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公开(公告)号：CN110637109A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201880032744.8
申请日：2018-04-19
Applicant: 昭和电工株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/42
Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
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公开(公告)号：CN110637109B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201880032744.8
申请日：2018-04-19
Applicant: 昭和电工株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
IPC: H01L21/20 , C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205 , C23C16/42
Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
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公开(公告)号：CN110192266A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201780082719.6
申请日：2017-12-25
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN109075038A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780012924.5
申请日：2017-02-27
Applicant: 纽富来科技股份有限公司 , 昭和电工株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所
IPC: H01L21/205 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/6719 , B01F3/028 , C23C16/455 , C23C16/45587 , H01L21/02529 , H01L21/205
Abstract: 提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。
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公开(公告)号：CN113302719B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201980088935.0
申请日：2019-12-18
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 半导体制造装置具有：薄膜形成部(10)，具有腔室(11)，该腔室具备设置基板(17)的设置台之上生长的供给气体；以及供给气体单元(20，30)，向腔室内导入供给气体。供给气体单元具有：供给配管(100a～100e，110a～110c)，供给来自气体导入源(21a～21e，31a～31c)的气体；原料用的流量控制器(22a～22e，32a～32c)；集合配管(101，111)，在比流量控制器靠下游侧生成混合气体；分配配管(102a～102e，112a～112c)，连接到集合配管的下游侧；压力控制器(24，34)，调整混合气体压力；以及分配用的流量控制器(23a，23b，33a，33b)，控制混合气体的流量。(13)并将基板加热、并且导入使薄膜(18)在基板
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公开(公告)号：CN110192266B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201780082719.6
申请日：2017-12-25
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN116344324A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211656107.2
申请日：2022-12-22
IPC: H01L21/02
Abstract: 碳化硅晶片，其包括：基础晶片(20)，其由碳化硅制成并掺杂有n型杂质；和外延层(30)，其布置在基础晶片(20)的主表面(20a)上，由碳化硅制成并掺杂有n型杂质。基础晶片(20)具有厚度t1和平均杂质浓度n1，外延层(30)具有厚度t2和平均杂质浓度n2。基础晶片(20)和外延层(30)被构造为满足数学公式1：[式1]‑0.0178
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公开(公告)号：CN113302719A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201980088935.0
申请日：2019-12-18
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 半导体制造装置具有：薄膜形成部(10)，具有腔室(11)，该腔室具备设置基板(17)的设置台(13)并将基板加热、并且导入使薄膜(18)在基板之上生长的供给气体；以及供给气体单元(20，30)，向腔室内导入供给气体。供给气体单元具有：供给配管(100a～100e，110a～110c)，供给来自气体导入源(21a～21e，31a～31c)的气体；原料用的流量控制器(22a～22e，32a～32c)；集合配管(101，111)，在比流量控制器靠下游侧生成混合气体；分配配管(102a～102e，112a～112c)，连接到集合配管的下游侧；压力控制器(24，34)，调整混合气体压力；以及分配用的流量控制器(23a，23b，33a，33b)，控制混合气体的流量。
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公开(公告)号：CN117947507A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311371635.8
申请日：2023-10-23
Abstract: 在碳化硅晶片的制造装置中，搭载部(50)构成为具备具有载置晶种基板(10)的背面(10b)侧的载置面(61a)的基座部(60)、以及以包围晶种基板的周围的状态配置于基座部的引导部(70)。在使外延层(11)生长时，使台阶流动生长方向的上游侧的晶种基板与引导部的第一间隔(L1)，比台阶流动生长方向的下游侧的晶种基板与引导部的第二间隔(L2)窄，引导部构成为在使外延层生长时，温度比晶种基板低。
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公开(公告)号：CN117410203A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310836231.5
申请日：2023-07-10
IPC: H01L21/67
Abstract: 半导体晶圆的制造装置具备将由筒部(41)及盖部(C)包围的空间设为中空室(41a)而设置于中空室(41a)中的加热装置(60)、将惰性气体导入中空室(41a)的惰性气体用供给管(90)和排出惰性气体的惰性气体用排气管(100)。而且，当将盖部(C)的质量除以盖部(C)的暴露于中空室(41a)的部分的面积(S2、S3、S5)而得的值设为盖部(C)的压力，且将盖部(C)的压力中的最小的部分设为最小封闭部压力时，中空室(41a)调整从惰性气体用排气管(100)排出的惰性气体的量，以使压力高于反应室(20a)的压力且处于最小封闭部压力以下。
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