公开(公告)号：CN117410203A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310836231.5

申请日：2023-07-10

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 藤林裕明 ,  森博隆 ,  里村隆幸 ,  高木茂行

IPC: H01L21/67

Abstract: 半导体晶圆的制造装置具备将由筒部(41)及盖部(C)包围的空间设为中空室(41a)而设置于中空室(41a)中的加热装置(60)、将惰性气体导入中空室(41a)的惰性气体用供给管(90)和排出惰性气体的惰性气体用排气管(100)。而且，当将盖部(C)的质量除以盖部(C)的暴露于中空室(41a)的部分的面积(S2、S3、S5)而得的值设为盖部(C)的压力，且将盖部(C)的压力中的最小的部分设为最小封闭部压力时，中空室(41a)调整从惰性气体用排气管(100)排出的惰性气体的量，以使压力高于反应室(20a)的压力且处于最小封闭部压力以下。

公开(公告)号：CN117403320A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310836230.0

申请日：2023-07-10

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 藤林裕明 ,  森博隆 ,  里村隆幸 ,  高木茂行

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

Abstract: 半导体晶圆的制造装置中，基座(50)被设为具有一面(50a)及另一面(50b)的板状，以一面(50a)侧位于反应室(20a)侧并且另一面(50b)侧位于中空室(41a)侧的方式配置于筒部(41)，在一面(50a)侧形成有收容基础晶圆(10)的凹部(51)，凹部(51)被设为在侧面(51b)和基础晶圆(10)之间形成间隙(S1)的大小，在底部(51a)形成有贯通该底部(51a)的贯通孔(54a、54b)，中空室(41)调整从惰性气体用排气管排出的惰性气体的量，以使压力为反应室的压力以上且为规定的压力以下。