-
公开(公告)号：CN104347088B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410379802.8
申请日：2014-08-04
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/851 , C23C14/08 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置。磁记录介质的制造方法至少具有：在非磁性基板上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤；及形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤。形成所述配向控制层的步骤具有：采用溅射法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。形成所述垂直磁性层的步骤具有：采用溅射法形成包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。所述磁性颗粒以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。
-
公开(公告)号：CN101120403B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200580048297.8
申请日：2005-10-27
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在能够获得更高记录密度的磁记录介质中，提供一种具有更高矫顽磁力和更低噪音的磁记录介质及其制造方法、以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于，至少包括：非磁性内涂层、非磁性中间层、磁性层和保护层，它们按照递升的顺序层叠在非磁性基底上，以及所述非磁性内涂层的至少一层由WV型多组分体心立方晶体合金构成。
-
公开(公告)号：CN101185128B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200680018703.0
申请日：2006-07-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在能够进行较高记录密度的磁记录介质中，提供了具有较高顽磁性和较低噪声的磁记录介质及其制造方法，以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于在非磁性衬底上按顺序至少叠置非磁性基底层、非磁性中间层、磁性层和保护层，并且该非磁性基底层的各层中的至少一个是由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf、Ta)形成的。
-
公开(公告)号：CN100409319C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200480028831.4
申请日：2004-10-05
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/7325
Abstract: 一种垂直磁性记录介质，包括：衬底；在所述衬底上方形成的至少一个底层；以及在所述至少一个底层上方形成的垂直磁性记录层，该垂直磁性记录层的容易磁化轴垂直于所述衬底，该垂直磁性记录层包括磁性晶体微粒和包围该磁性晶体微粒的颗粒边界，其中所述颗粒边界包含具有硅氧化物和从由Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba组成的组中选出的至少一个元素，以及垂直磁性记录层中的Si、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba的物质的总量的比例不小于1mol%，且不大于20mol%。
-
公开(公告)号：CN101120403A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200580048297.8
申请日：2005-10-27
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在能够获得更高记录密度的磁记录介质中，提供一种具有更高矫顽磁力和更低噪音的磁记录介质及其制造方法、以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于，至少包括：非磁性内涂层、非磁性中间层、磁性层和保护层，它们按照递升的顺序层叠在非磁性基底上，以及所述非磁性内涂层的至少一层由WV型多组分体心立方晶体合金构成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1864205A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480028831.4
申请日：2004-10-05
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/7325
Abstract: 一种垂直磁性记录介质，包括：衬底；在所述衬底上方形成的至少一个底层；以及在所述至少一个底层上方形成的垂直磁性记录层，该垂直磁性记录层的容易磁化轴垂直于所述衬底，该垂直磁性记录层包括磁性晶体微粒和包围该磁性晶体微粒的颗粒边界，其中所述颗粒边界包含具有硅氧化物和从由Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba组成的组中选出的至少一个元素，以及垂直磁性记录层中的Si、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba的物质的总量的比例不小于1mol％，且不大于20mol％。
-
公开(公告)号：CN1551122A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410007277.3
申请日：2004-02-27
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 磁记录介质和包含该磁记录介质的磁记录/再现装置，其中磁记录介质包含具有粒状结构的取向控制层(3)，该取向控制层在衬底(1)和磁记录层(4)之间形成并包含基底材料和分散在基底材料上的颗粒并且具有小于颗粒粒径的厚度。
-
公开(公告)号：CN104347088A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410379802.8
申请日：2014-08-04
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/851 , C23C14/08 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置。磁记录介质的制造方法至少具有：在非磁性基板上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤；及形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤。形成所述配向控制层的步骤具有：采用溅射法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。形成所述垂直磁性层的步骤具有：采用溅射法形成包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。所述磁性颗粒以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。
-
公开(公告)号：CN101185128A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200680018703.0
申请日：2006-07-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在能够进行较高记录密度的磁记录介质中，提供了具有较高顽磁性和较低噪声的磁记录介质及其制造方法，以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于在非磁性衬底上按顺序至少叠置非磁性基底层、非磁性中间层、磁性层和保护层，并且该非磁性基底层的各层中的至少一个是由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf、Ta)形成的。
-
公开(公告)号：CN101040326A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580034550.4
申请日：2005-10-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 清水谦治
Abstract: 提供了一种具有更高记录密度的垂直磁记录介质，以及利用这种介质的磁记录和再现设备。该垂直磁记录介质至少包括依次形成在非磁性基底上的底层、中间层、垂直磁记录膜以及保护膜，其中，所述垂直磁记录膜由具有不同成分的两层构成，该两层至少包含Co、Pt和氧化物并具有颗粒结构，设置在所述基底一侧的下层垂直磁记录膜的饱和磁化强度(Ms)小于设置在保护膜一侧的在该下层垂直磁记录膜上的上层记录膜的饱和磁化强度(Ms)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.027 seconds)
