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公开(公告)号：CN102576666B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201080037687.6
申请日：2010-08-25
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/20 , C30B29/36
CPC classification number: H01L29/0684 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种在晶片的整个面没有台阶束的无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：将以5°以下的偏轴角倾斜的4H-SiC单晶基板研磨到其表面的晶格无序层变为3nm以下的工序；在氢气氛下，使研磨后的基板为1400～1600℃，将其表面清洁化的工序；向清洁化后的基板的表面，以浓度比C/Si为0.7～1.2同时地供给碳化硅的外延生长所需要的量的SiH4气体和C3H8气体，使碳化硅外延生长的工序；和同时地停止SiH4气体和C3H8气体的供给，保持基板温度直到排出SiH4气体和C3H8气体，其后进行降温的工序。
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公开(公告)号：CN102165563B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200980137809.6
申请日：2009-09-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 坂口泰之
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/04 , C30B29/36 , H01L21/02008 , H01L21/02024 , H01L21/02052 , H01L29/1608 , Y10T428/24372
Abstract: 本发明的目的是提供一种除去了引起结晶缺陷的附着粒子的表面洁净度高的碳化硅单晶基板。通过使用附着于基板的一面的高度为100nm以上的第1附着粒子的密度为1个/cm2以下、并且附着于所述基板的一面的高度小于100nm的第2附着粒子的密度为1500个/cm2以下的碳化硅单晶基板，能够解决所述课题。
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公开(公告)号：CN101553604B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200780044779.5
申请日：2007-10-04
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/066 , C30B35/002
Abstract: 一种碳化硅单晶的制造方法，在晶体生长坩埚(6)中设有低温部和高温部，在该晶体生长坩埚的低温部配置由碳化硅单晶形成的晶种基板，在高温部配置碳化硅原料，使由碳化硅原料升华的升华气体在晶种基板上析出，使碳化硅单晶生长，其特征在于，配置晶种的部位的坩埚部件使用与碳化硅在室温下的线膨胀系数之差为1.0×10-6/开尔文以下的部件，此外，作为配置晶种的部位的坩埚部件使用碳化硅。
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公开(公告)号：CN102576666A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080037687.6
申请日：2010-08-25
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/20 , C30B29/36
CPC classification number: H01L29/0684 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种在晶片的整个面没有台阶束的无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：将以5°以下的偏轴角倾斜的4H-SiC单晶基板研磨到其表面的晶格无序层变为3nm以下的工序；在氢气氛下，使研磨后的基板为1400～1600℃，将其表面清洁化的工序；向清洁化后的基板的表面，以浓度比C/Si为0.7～1.2同时地供给碳化硅的外延生长所需要的量的SiH4气体和C3H8气体，使碳化硅外延生长的工序；和同时地停止SiH4气体和C3H8气体的供给，保持基板温度直到排出SiH4气体和C3H8气体，其后进行降温的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113748340A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202080031989.6
申请日：2020-05-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G01N33/30 , G01N15/02 , C10M177/00 , C10M125/02 , C10M171/06
Abstract: 本发明提供即使为包含富勒烯的润滑油组合物也可以使用比较容易测定的方法来稳定地再现耐磨损特性的、润滑油组合物的检查方法及润滑油组合物的制造方法。在润滑油组合物的检查方法中，测定存在于包含基油和富勒烯的润滑油组合物中的粒子的粒径(r)，根据上述粒子的粒径(r)的测定值与上述润滑油组合物的磨损系数的测定值的相关性来设定粒径(r)的规定范围，基于粒径(r)的规定范围来筛选润滑油组合物。
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公开(公告)号：CN101448984B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200780018105.8
申请日：2007-05-10
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B19/04 , C30B19/12 , C30B23/025 , C30B25/18 , Y10S117/902 , Y10S117/915
Abstract: 制造SiC单晶的方法，包括下列步骤：使第一SiC单晶在由SiC单晶形成的第一晶种上在第一生长方向上生长；在与第一生长方向平行或倾斜的方向上设定在第一晶种上生长的第一SiC单晶，并在与第一生长方向垂直的截面中的长轴方向上切割所述设定的第一SiC单晶，以获得第二晶种；使用第二晶种以在其上在第二生长方向上生长第二SiC单晶，至厚度大于所述截面中的长轴长度；在与第二生长方向平行或倾斜的方向上设定在第二晶种上生长的第二SiC单晶，并在与第二生长方向垂直的截面中的长轴方向上切割所述设定的第二SiC单晶，以获得第三晶种；使用第三晶种以在其上生长第三SiC单晶；并以暴露出{0001}晶面的方式切割在第三晶种上生长的第三SiC单晶，由此获得SiC单晶。该方法能在不损害结晶度的情况下有效增大晶体。
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公开(公告)号：CN102165563A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137809.6
申请日：2009-09-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 坂口泰之
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/04 , C30B29/36 , H01L21/02008 , H01L21/02024 , H01L21/02052 , H01L29/1608 , Y10T428/24372
Abstract: 本发明的目的是提供一种除去了引起结晶缺陷的附着粒子的表面洁净度高的碳化硅单晶基板。通过使用附着于基板的一面的高度为100nm以上的第1附着粒子的密度为1个/cm2以下、并且附着于所述基板的一面的高度小于100nm的第2附着粒子的密度为1500个/cm2以下的碳化硅单晶基板，能够解决所述课题。
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公开(公告)号：CN101553604A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200780044779.5
申请日：2007-10-04
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/066 , C30B35/002
Abstract: 一种碳化硅单晶的制造方法，在晶体生长坩埚(6)中设有低温部和高温部，在该晶体生长坩埚的低温部配置由碳化硅单晶形成的晶种基板，在高温部配置碳化硅原料，使由碳化硅原料升华的升华气体在晶种基板上析出，使碳化硅单晶生长，其特征在于，配置晶种的部位的坩埚部件使用与碳化硅在室温下的线膨胀系数之差为1.0×10－6/开尔文以下的部件，此外，作为配置晶种的部位的坩埚部件使用碳化硅。
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公开(公告)号：CN101448984A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018105.8
申请日：2007-05-10
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B19/04 , C30B19/12 , C30B23/025 , C30B25/18 , Y10S117/902 , Y10S117/915
Abstract: 制造SiC单晶的方法，包括下列步骤：使第一SiC单晶在由SiC单晶形成的第一晶种上在第一生长方向上生长；在与第一生长方向平行或倾斜的方向上设定在第一晶种上生长的第一SiC单晶，并在与第一生长方向垂直的截面中的长轴方向上切割所述设定的第一SiC单晶，以获得第二晶种；使用第二晶种以在其上在第二生长方向上生长第二SiC单晶，至厚度大于所述截面中的长轴长度；在与第二生长方向平行或倾斜的方向上设定在第二晶种上生长的第二SiC单晶，并在与第二生长方向垂直的截面中的长轴方向上切割所述设定的第二SiC单晶，以获得第三晶种；使用第三晶种以在其上生长第三SiC单晶；并以暴露出{0001}晶面的方式切割在第三晶种上生长的第三SiC单晶，由此获得SiC单晶。该方法能在不损害结晶度的情况下有效增大晶体。
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