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公开(公告)号：CN102057084B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980120925.7
申请日：2009-06-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/00 , C30B23/025 , Y10T428/24273 , Y10T428/263 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供能够抑制从籽晶与石墨的界面发生的晶体缺陷，再现性好地制造晶体缺陷密度低的高品质的碳化硅单晶的碳化硅单晶生长用籽晶。作为这样的碳化硅单晶生长用籽晶，是安装在填充有碳化硅原料粉末的石墨制坩埚的盖上的碳化硅单晶生长用籽晶(13)，使用由一面作为采用升华法使碳化硅单晶生长的生长面(4a)的由碳化硅构成的籽晶(4)、和形成于所述籽晶(4)的所述生长面的相反侧的面(4b)上碳膜(12)构成，且所述碳膜(12)的膜密度为1.2～3.3g/cm3的碳化硅单晶生长用籽晶(13)。
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公开(公告)号：CN102057084A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980120925.7
申请日：2009-06-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B29/36 , C30B23/00 , C30B23/025 , Y10T428/24273 , Y10T428/263 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供能够抑制从籽晶与石墨的界面发生的晶体缺陷，再现性好地制造晶体缺陷密度低的高品质的碳化硅单晶的碳化硅单晶生长用籽晶。作为这样的碳化硅单晶生长用籽晶，是安装在填充有碳化硅原料粉末的石墨制坩埚的盖上的碳化硅单晶生长用籽晶(13)，使用由一面作为采用升华法使碳化硅单晶生长的生长面(4a)的由碳化硅构成的籽晶(4)、和形成于所述籽晶(4)的所述生长面的相反侧的面(4b)上碳膜(12)构成，且所述碳膜(12)的膜密度为1.2～3.3g/cm3的碳化硅单晶生长用籽晶(13)。
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公开(公告)号：CN101448984B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200780018105.8
申请日：2007-05-10
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B19/04 , C30B19/12 , C30B23/025 , C30B25/18 , Y10S117/902 , Y10S117/915
Abstract: 制造SiC单晶的方法，包括下列步骤：使第一SiC单晶在由SiC单晶形成的第一晶种上在第一生长方向上生长；在与第一生长方向平行或倾斜的方向上设定在第一晶种上生长的第一SiC单晶，并在与第一生长方向垂直的截面中的长轴方向上切割所述设定的第一SiC单晶，以获得第二晶种；使用第二晶种以在其上在第二生长方向上生长第二SiC单晶，至厚度大于所述截面中的长轴长度；在与第二生长方向平行或倾斜的方向上设定在第二晶种上生长的第二SiC单晶，并在与第二生长方向垂直的截面中的长轴方向上切割所述设定的第二SiC单晶，以获得第三晶种；使用第三晶种以在其上生长第三SiC单晶；并以暴露出{0001}晶面的方式切割在第三晶种上生长的第三SiC单晶，由此获得SiC单晶。该方法能在不损害结晶度的情况下有效增大晶体。
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公开(公告)号：CN101448984A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018105.8
申请日：2007-05-10
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B19/04 , C30B19/12 , C30B23/025 , C30B25/18 , Y10S117/902 , Y10S117/915
Abstract: 制造SiC单晶的方法，包括下列步骤：使第一SiC单晶在由SiC单晶形成的第一晶种上在第一生长方向上生长；在与第一生长方向平行或倾斜的方向上设定在第一晶种上生长的第一SiC单晶，并在与第一生长方向垂直的截面中的长轴方向上切割所述设定的第一SiC单晶，以获得第二晶种；使用第二晶种以在其上在第二生长方向上生长第二SiC单晶，至厚度大于所述截面中的长轴长度；在与第二生长方向平行或倾斜的方向上设定在第二晶种上生长的第二SiC单晶，并在与第二生长方向垂直的截面中的长轴方向上切割所述设定的第二SiC单晶，以获得第三晶种；使用第三晶种以在其上生长第三SiC单晶；并以暴露出{0001}晶面的方式切割在第三晶种上生长的第三SiC单晶，由此获得SiC单晶。该方法能在不损害结晶度的情况下有效增大晶体。
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