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公开(公告)号：CN101621048B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200910145514.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 日本冲信息株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/78 , B41J2/45
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2202/50 , H01L21/78
Abstract: 一种复合半导体器件，该复合半导体器件形成于具有多个器件形成区域和多个切割区域的半导体晶片，并且通过在所述多个切割区域切割所述半导体晶片而形成，其中，半导体元件形成在所述多个器件形成区域内，并且所述切割区域被限定在所述器件形成区域之间。该复合半导体器件包括半导体基板，和多个布线层，所述多个布线层层叠在所述半导体基板上。布线层至少包括导电薄膜。连接部分被形成以便将所述布线层在层叠方向上彼此连接，每个所述连接部分被布置在所述器件形成区域上相对于切割位置一侧，其中，所述切割位置被限定在切割区域内。
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公开(公告)号：CN111384215A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910992624.9
申请日：2019-10-18
Applicant: 日本冲信息株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L33/30 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及发光晶闸管、发光元件芯片、光学打印头和图像形成装置。发光晶闸管包括：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，与第一半导体层相邻布置；第一导电类型的第三半导体层，与第二半导体层相邻布置；和第二导电类型的第四半导体层，与第三半导体层相邻布置。第一半导体层包括与第二半导体层相邻的活性层，第二半导体层包括与活性层相邻的第一层和布置在第一层和第三半导体层之间的第二层，并且第一层具有比活性层的带隙和第二层的带隙宽的带隙。
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公开(公告)号：CN102738350B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201210089840.0
申请日：2012-03-30
Applicant: 日本冲信息株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , G02B27/017 , H01L27/156 , H01L33/44 , H01L2224/48463
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件和头部安装显示设备。半导体发光器件包括薄膜半导体发光元件、衬底、具有薄膜半导体发光元件被接合到的表面的第一绝缘层、由铝组成且被设置在面对衬底的第一绝缘层的一侧上的第一金属层以及设置在第一绝缘层与第一金属层之间的第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN102738350A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210089840.0
申请日：2012-03-30
Applicant: 日本冲信息株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , G02B27/017 , H01L27/156 , H01L33/44 , H01L2224/48463
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件和头部安装显示设备。半导体发光器件包括薄膜半导体发光元件、衬底、具有薄膜半导体发光元件被接合到的表面的第一绝缘层、由铝组成且被设置在面对衬底的第一绝缘层的一侧上的第一金属层以及设置在第一绝缘层与第一金属层之间的第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN101621048A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910145514.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 日本冲信息株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/78 , B41J2/45 , H04N5/335
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2202/50 , H01L21/78
Abstract: 一种复合半导体器件，该复合半导体器件形成于具有多个器件形成区域和多个切割区域的半导体晶片，并且通过在所述多个切割区域切割所述半导体晶片而形成，其中，半导体元件形成在所述多个器件形成区域内，并且所述切割区域被限定在所述器件形成区域之间。该复合半导体器件包括半导体基板，和多个布线层，所述多个布线层层叠在所述半导体基板上。布线层至少包括导电薄膜。连接部分被形成以便将所述布线层在层叠方向上彼此连接，每个所述连接部分被布置在所述器件形成区域上相对于切割位置一侧，其中，所述切割位置被限定在切割区域内。
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