公开(公告)号：CN109994581A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201811558002.7

申请日：2018-12-19

Applicant: 日本冲信息株式会社

Inventor： 谷川兼一 ,  川田宽人

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明涉及半导体器件、发光器件芯片、光学打印头和图像形成设备。半导体器件1000包括：发光晶闸管10，其包括第一导电类型的第一半导体层1040、第二导电类型的第二半导体层1030、第一导电类型的第三半导体层1020和第二导电类型的第四半导体层1010；以及第一至第三电极61A、51G和41K。第一半导体层1040包括第一层1043、具有比第二半导体层1030和第三半导体层1020的带隙BGng和BGpg宽的带隙BGcl1的第二层1042、以及具有比第二半导体层1030和第三半导体层1020的杂质浓度IMng和IMpg高的杂质浓度IMac1并且具有比第二半导体层1030和第三半导体层1020的带隙BGng和BGpg窄或与其相等的带隙BGac1的第三层1041。

公开(公告)号：CN111384215A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201910992624.9

申请日：2019-10-18

Applicant: 日本冲信息株式会社

Inventor： 川田宽人 ,  谷川兼一 ,  十文字伸哉 ,  石川琢磨 ,  高桥千优

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L25/075

Abstract: 本发明涉及发光晶闸管、发光元件芯片、光学打印头和图像形成装置。发光晶闸管包括：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，与第一半导体层相邻布置；第一导电类型的第三半导体层，与第二半导体层相邻布置；和第二导电类型的第四半导体层，与第三半导体层相邻布置。第一半导体层包括与第二半导体层相邻的活性层，第二半导体层包括与活性层相邻的第一层和布置在第一层和第三半导体层之间的第二层，并且第一层具有比活性层的带隙和第二层的带隙宽的带隙。