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公开(公告)号：CN106715750A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580051441.7
申请日：2015-04-10
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/363 , H05H1/46
Abstract: 不设置靶材的移动机构，而抑制在成膜的开始时及结束时形成不均质的膜。此溅镀装置是向设置于导入气体10的真空容器2内的天线20供给高频电力PR来产生感应耦合型的等离子体22，利用所述等离子体22与靶材偏置电压VT，对靶材30进行溅镀而在基板12上进行成膜。在成膜的开始时，向天线20供给高频电力PR来产生等离子体22后，对靶材30施加靶材偏置电压VT而开始溅镀，在成膜的结束时，停止施加至靶材30的靶材偏置电压VT而停止溅镀后，停止供给至天线20的高频电力PR而使等离子体22消失。
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公开(公告)号：CN110709533B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201880036037.6
申请日：2018-03-14
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/363 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种溅射装置，包括：真空容器，被真空排气，并且被导入气体；基板保持部，在真空容器内保持基板；靶材保持部，在真空容器内与基板相向而保持靶材；以及多个天线，在内部具有冷却液所流通的流路；并且天线包括：导体部件，至少两个，且呈管状；绝缘部件，设置于相互邻接的导体部件之间，使所述导体部件绝缘，且呈管状；以及电容元件，与相互邻接的导体部件电串联连接；电容元件包括：第一电极，与相互邻接的导体部件中的一者电连接；第二电极，与相互邻接的导体部件中的另一者电连接，并且与第一电极相向而配置；以及电介质，填满第一电极与第二电极之间的空间；并且电介质为冷却液。
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公开(公告)号：CN110709533A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880036037.6
申请日：2018-03-14
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/363 , H05H1/46
Abstract: 利用天线高效率地产生溅射用的等离子体，并且使等离子体的均匀性提高而使成膜的均匀性提高。本发明包括：真空容器2，被真空排气，并且被导入气体；基板保持部3，在真空容器2内保持基板W；靶材保持部4，在真空容器2内与基板W相向而保持靶材T；以及多个天线5，在内部具有冷却液所流通的流路；并且天线5包括：导体部件51，至少两个，且呈管状；绝缘部件52，设置于相互邻接的导体部件51之间，使所述导体部件51绝缘，且呈管状；以及电容元件53，与相互邻接的导体部件51电串联连接；电容元件53包括：第一电极53A，与相互邻接的导体部件51中的一者电连接；第二电极53B，与相互邻接的导体部件51中的另一者电连接，并且与第一电极53A相向而配置；以及电介质，填满第一电极53A与第二电极53B之间的空间；并且电介质为冷却液CL。
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公开(公告)号：CN106715750B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201580051441.7
申请日：2015-04-10
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/363 , H05H1/46
Abstract: 本发明涉及一种成膜方法及溅镀装置，不设置靶材的移动机构，而抑制在成膜的开始时及结束时形成不均质的膜。此溅镀装置是向设置于导入气体(10)的真空容器(2)内的天线(20)供给高频电力(PR)来产生感应耦合型的等离子体(22)，利用所述等离子体(22)与靶材偏置电压(VT)，对靶材(30)进行溅镀而在基板(12)上进行成膜。在成膜的开始时，向天线(20)供给高频电力(PR)来产生等离子体(22)后，对靶材(30)施加靶材偏置电压(VT)而开始溅镀，在成膜的结束时，停止施加至靶材(30)的靶材偏置电压(VT)而停止溅镀后，停止供给至天线(20)的高频电力(PR)而使等离子体(22)消失。
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公开(公告)号：CN114080864B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202080050164.9
申请日：2020-07-10
Applicant: 日新电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体控制系统，可使用长条状的天线来应对基板的大型化，并沿着天线的长边方向产生均匀的等离子体。本发明包括：高频电源4；天线组3x，具有连接于高频电源4的多个天线3；多个电抗可变元件VC，连接于多个天线3的供电侧以及接地侧；电流检测机构Sx，检测在多个天线3的供电侧及接地侧流动的电流；均匀性算出部X1，基于由电流检测机构Sx检测出的电流值，算出在多个天线3中流过的电流的均匀性指标值；以及电抗变更部X2，依次变更多个电抗可变元件VC的电抗，以使由均匀性算出部X1算出的均匀性指标值接近规定的设定值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114080864A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080050164.9
申请日：2020-07-10
Applicant: 日新电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体控制系统，可使用长条状的天线来应对基板的大型化，并沿着天线的长边方向产生均匀的等离子体。本发明包括：高频电源4；天线组3x，具有连接于高频电源4的多个天线3；多个电抗可变元件VC，连接于多个天线3的供电侧以及接地侧；电流检测机构Sx，检测在多个天线3的供电侧及接地侧流动的电流；均匀性算出部X1，基于由电流检测机构Sx检测出的电流值，算出在多个天线3中流过的电流的均匀性指标值；以及电抗变更部X2，依次变更多个电抗可变元件VC的电抗，以使由均匀性算出部X1算出的均匀性指标值接近规定的设定值。
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公开(公告)号：CN110382734A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880016032.7
申请日：2018-03-14
Applicant: 日新电机株式会社
Abstract: 本发明在使用等离子体的溅射装置中提高成膜的均匀性。本发明的溅射装置100使用等离子体P对靶T进行溅射而于基板W上成膜，且包括：真空容器2，经真空排气且供导入气体；基板保持部3，在真空容器2内保持基板W；靶保持部4，在真空容器2内保持靶T；多根天线5，沿着由基板保持部3所保持的基板W的表面而排列，且产生等离子体P；以及往返扫描机构14，使基板保持部3沿着多根天线5的排列方向X而往返扫描。
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公开(公告)号：CN104427736B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410415737.X
申请日：2014-08-21
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可以提升在天线的长度方向上的基板处理的均匀性。天线形成将高频电极收纳在电介质盒内的构造。高频电极形成：使2片电极导体以两者作为整体来呈现矩形板状的方式，相互隔开间隙且接近并平行地配置，且利用导体将两电极导体的长度方向的其中一端彼此连接而构成返回导体构造，且高频电流相互逆向地流向两电极导体。且在电极导体的间隙侧的边形成开口部，将该开口部以多个分散并配置在高频电极的长度方向。将该天线以高频电极的主面与基板的表面成为实质上相互垂直的方向而配置在真空容器内。
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公开(公告)号：CN1934679B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580009526.5
申请日：2005-03-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/203 , H01L21/205 , C23C14/14
CPC classification number: C23C16/24 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02631
Abstract: 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。
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公开(公告)号：CN1934679A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009526.5
申请日：2005-03-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/203 , H01L21/205 , C23C14/14
CPC classification number: C23C16/24 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02631
Abstract: 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。
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