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公开(公告)号：CN114878921B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210484943.0
申请日：2022-05-06
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法，首先制造三维互连TSV转接板，利用矢量网络分析仪测试出经不同剂量总剂量辐照下转接板的散射参数；其次利用HFSS软件拟合经不同辐照剂量下转接板的散射参数，提取在不同辐照剂量的条件下TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数；接着总结出辐照剂量与TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数关系；最后根据得到的关系来分析出在任意值辐照剂量情况下TSV结构的材料参数。相较于现有技术，本发明通过结合有限元仿真软件构建辐照剂量与TSV结构材料Si、SiO2的介电常数的关系，能够快速、方便、精确、经济地分析出任意辐照剂量下TSV结构材料的物理参数。
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公开(公告)号：CN116976278A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310938014.7
申请日：2023-07-27
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/367 , G06F30/394 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G06F115/12
Abstract: 本发明公开了一种基于神经网络的互连结构工作温度及电流密度预测方法。该方法将机器学习方法应用于封装领域，充分利用历史实验和有限元仿真数据，通过数据驱动的方法得到输入(焊点高度、焊盘直径、通电电流)到输出(焊点处电流密度/工作温度)的非线性映射关系。具体为设计一种互连结构，通过有限元仿真得到不同参数下几十组工作温度和电流密度的数据，然后利用这些数据构造并训练BP神经网络模型。训练好的模型在给定输入下可预测出电流密度和工作温度。本发明方法成本低且耗时短，同时随着实验以及仿真数据的增多，模型会学习到更多数据间的关系，变得更加强大，预测也将会更加准确。
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公开(公告)号：CN117074918A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311077992.3
申请日：2023-08-25
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种辐照条件下电迁移现象测试装置及测试方法，所述测试装置包括测试板，所述测试板包括芯片、设在芯片下方或下方的基板，以及焊接在芯片和基板之间的焊球组；辐射源，所述辐射源相对于测试板垂直布置，所述辐射源直接照射在测试板的焊球上；恒流源，所述恒流源与测试板连接并形成通电回路，所述测试板的焊球组中的位于两个端点的焊球处于上述通电回路中，作为电迁移现象的观测点，中间焊球处于通电回路之外，作为未通电的环境参考点。本发明可以对同一样品进行多次测试，可对样品的微观组织形貌进行观测。本发明方法为三维封装互连技术在航天领域的应用提供了重要的技术保障，能够提高互连结构在空间环境下的可靠性。
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公开(公告)号：CN114878921A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210484943.0
申请日：2022-05-06
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种总剂量效应对TSV结构材料性能变化的分析方法，首先制造三维互连TSV转接板，利用矢量网络分析仪测试出经不同剂量总剂量辐照下转接板的散射参数；其次利用HFSS软件拟合经不同辐照剂量下转接板的散射参数，提取在不同辐照剂量的条件下TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数；接着总结出辐照剂量与TSV结构中材料Si、SiO2的介电常数关系；最后根据得到的关系来分析出在任意值辐照剂量情况下TSV结构的材料参数。相较于现有技术，本发明通过结合有限元仿真软件构建辐照剂量与TSV结构材料Si、SiO2的介电常数的关系，能够快速、方便、精确、经济地分析出任意辐照剂量下TSV结构材料的物理参数。
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