公开(公告)号：CN107408491B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201680011676.8

申请日：2016-02-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·帕德希 ,  S·古格吉拉 ,  A·T·迪莫斯 ,  B·库玛 ,  任河 ,  P·达舍

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 描述一种在电介质层中形成特征的方法。通孔、沟槽或双镶嵌结构可以在沉积共形氮化铝层前存在于电介质层中。共形氮化铝层被配置成用作阻挡层以便防止跨阻挡层的扩散。形成氮化铝层的方法包括交替地暴露于两个前驱物处理(如ALD)以便实现高共形度。氮化铝阻挡层的高共形度使得厚度减小和后续的填隙金属层的有效导电率增大。

公开(公告)号：CN107408491A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680011676.8

申请日：2016-02-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·帕德希 ,  S·古格吉拉 ,  A·T·迪莫斯 ,  B·库玛 ,  任河 ,  P·达舍

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 描述一种在电介质层中形成特征的方法。通孔、沟槽或双镶嵌结构可以在沉积共形氮化铝层前存在于电介质层中。共形氮化铝层被配置成用作阻挡层以便防止跨阻挡层的扩散。形成氮化铝层的方法包括交替地暴露于两个前驱物处理(如ALD)以便实现高共形度。氮化铝阻挡层的高共形度使得厚度减小和后续的填隙金属层的有效导电率增大。

公开(公告)号：CN112714948A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201980060100.4

申请日：2019-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·达舍 ,  蒋志钧 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  Q·马 ,  K·高希 ,  K·阿拉亚瓦里 ,  张宇星 ,  D·黄 ,  S·贾法里

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本文中讨论了用于工艺腔室的系统和方法，所述系统和方法降低了由于松动的积垢而导致的基板缺陷的严重性和发生。气体分配组件设置在工艺腔室中，并包括面板和第二构件，面板具有穿过面板形成的多个孔。面板耦接至第二构件，第二构件被配置成耦接至面板以减小面板的暴露面积并使在向工艺腔室中释放气体期间用于材料积聚的可用面积最小化。第二构件被进一步配置成改善前驱物到工艺腔室中的辉光。气体分配组件可在工艺腔室操作之前和期间被加热，并且可在工艺腔室操作之间保持加热。

公开(公告)号：CN108292594A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680069461.1

申请日：2016-09-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·慕克吉 ,  K·S·伊姆 ,  D·帕德希 ,  K·M·赵 ,  K·A·范 ,  C-A·陈 ,  P·达舍

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/32

Abstract: 描述了硬掩模和ARC层的单一前驱物沉积的方法。所得的膜是利用具有低碳含量的高密度氧化硅SiO2层封端的具有较高碳含量的SiOC层。所述方法可以包括：将第一沉积前驱物输送至基板，所述第一沉积前驱物包含SiOC前驱物和第一流速的含氧气体；使用等离子体激活沉积物质，由此在基板的已暴露表面上方沉积含SiOC的层。随后，将第二前驱物气体输送至含SiOC的层，所述第二沉积气体包含具有第二流速的不同或相同的SiOC前驱物和第二流速的含氧气体，并且使用等离子体激活沉积气体，所述第二沉积气体在硬掩模上方形成含SiO2的层，所述含SiO2的层具有非常低的碳。