公开(公告)号：CN112020770B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN201980028149.1

申请日：2019-02-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卢多维克·戈代 ,  韦恩·麦克米兰 ,  罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 ,  拿玛·阿加曼 ,  塔帕什里·罗伊 ,  赛捷·多莎

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/52 ,  H01L33/00 ,  H01L27/146 ,  G03F7/00

Abstract: 此处系统及方法相关于使用硅晶圆、玻璃、或如基板的装置来形成光学装置，所述光学装置包含堆叠的光学元件层。可在暂时或永久基板上制造此处所讨论的光学元件。在一些范例中，制造光学装置以包含透明基板或装置，所述装置包含电荷耦合装置(CCD)、或互补式金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器、发光二极管(LED)、微LED(μLED)显示器、有机发光二极管(OLED)或垂直腔表面发光激光器(VCSEL)。光学元件可在光学元件层之间形成夹层，夹层的厚度范围可为1nm至3mm。

公开(公告)号：CN119767820A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411817242.X

申请日：2019-02-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卢多维克·戈代 ,  韦恩·麦克米兰 ,  罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 ,  拿玛·阿加曼 ,  塔帕什里·罗伊 ,  赛捷·多莎

IPC: H10F39/12 ,  G03F7/00 ,  H10H20/855 ,  H01S5/0225

Abstract: 此处系统及方法相关于使用硅晶圆、玻璃、或如基板的装置来形成光学装置，所述光学装置包含堆叠的光学元件层。可在暂时或永久基板上制造此处所讨论的光学元件。在一些范例中，制造光学装置以包含透明基板或装置，所述装置包含电荷耦合装置(CCD)、或互补式金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器、发光二极管(LED)、微LED(μLED)显示器、有机发光二极管(OLED)或垂直腔表面发光激光器(VCSEL)。光学元件可在光学元件层之间形成夹层，夹层的厚度范围可为1nm至3mm。

公开(公告)号：CN112020770A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201980028149.1

申请日：2019-02-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卢多维克·戈代 ,  韦恩·麦克米兰 ,  罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 ,  拿玛·阿加曼 ,  塔帕什里·罗伊 ,  赛捷·多莎

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/52 ,  H01L33/00 ,  H01L27/146 ,  G03F7/00

Abstract: 此处系统及方法相关于使用硅晶圆、玻璃、或如基板的装置来形成光学装置，所述光学装置包含堆叠的光学元件层。可在暂时或永久基板上制造此处所讨论的光学元件。在一些范例中，制造光学装置以包含透明基板或装置，所述装置包含电荷耦合装置(CCD)、或互补式金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器、发光二极管(LED)、微LED(uLED)显示器、有机发光二极管(OLED)或垂直腔表面发光激光器(VCSEL)。光学元件可在光学元件层之间形成夹层，夹层的厚度范围可为1nm至3mm。