公开(公告)号：CN101274757A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810090317.3

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 浅野高治

IPC: C01B31/02

Abstract: 本发明涉及制造表面修饰的碳纳米管材料的方法，该方法包括将碳纳米管材料曝光于紫外线中，并向碳纳米管材料提供含硅化合物，其中所述含硅化合物能够通过紫外线活化修饰碳纳米管材料的表面。

公开(公告)号：CN103227157B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201210477612.0

申请日：2012-11-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山口佳孝 ,  岩井大介 ,  作山诚树 ,  水野义博 ,  乘松正明 ,  崎田幸惠 ,  浅野高治 ,  广瀬真一 ,  八木下洋平

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K7/2039 ,  H01L21/4817 ,  H01L21/56 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/42 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16251

Abstract: 本发明涉及电子器件及其制造方法。所述电子器件包括：半导体器件；设置在所述半导体器件上方的导热树脂，所述导热树脂包括热导体和树脂；设置在所述导热树脂上方的线形碳件，所述线形碳件待与所述热导体热接触；以及设置在所述线形碳件上方的散热器，所述散热器包括容纳所述导热树脂的凹部。

公开(公告)号：CN103426842B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201310181339.1

申请日：2013-05-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山口佳孝 ,  作山诚树 ,  水野义博 ,  岩井大介 ,  崎田幸惠 ,  乘松正明 ,  浅野高治 ,  广濑真一 ,  八木下洋平

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/433

CPC classification number: H01L23/3733 ,  B82Y40/00 ,  H01L23/373 ,  H01L23/433 ,  H01L2224/73253 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/932 ,  Y10T428/24174

Abstract: 本发明公开一种片状结构、片状结构的制造方法及电子器件。该片状结构具有：束结构，包括取向为预定方向的由碳制成的多个线性结构；覆盖层，覆盖所述由碳制成的多个线性结构；以及填充层，设置在被所述覆盖层覆盖的所述由碳制成的多个线性结构之间。所述覆盖层的厚度在与所述预定方向交叉的方向上是不均匀的。本发明能够提供一种具有热传导均匀的平面的片状结构。

公开(公告)号：CN103426842A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310181339.1

申请日：2013-05-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山口佳孝 ,  作山诚树 ,  水野义博 ,  岩井大介 ,  崎田幸惠 ,  乘松正明 ,  浅野高治 ,  广濑真一 ,  八木下洋平

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/433

CPC classification number: H01L23/3733 ,  B82Y40/00 ,  H01L23/373 ,  H01L23/433 ,  H01L2224/73253 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/932 ,  Y10T428/24174

Abstract: 本发明公开一种片状结构、片状结构的制造方法及电子器件。该片状结构具有：束结构，包括取向为预定方向的由碳制成的多个线性结构；覆盖层，覆盖所述由碳制成的多个线性结构；以及填充层，设置在被所述覆盖层覆盖的所述由碳制成的多个线性结构之间。所述覆盖层的厚度在与所述预定方向交叉的方向上是不均匀的。本发明能够提供一种具有热传导均匀的平面的片状结构。

公开(公告)号：CN103227157A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201210477612.0

申请日：2012-11-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山口佳孝 ,  岩井大介 ,  作山诚树 ,  水野义博 ,  乘松正明 ,  崎田幸惠 ,  浅野高治 ,  广瀬真一 ,  八木下洋平

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K7/2039 ,  H01L21/4817 ,  H01L21/56 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/42 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16251

Abstract: 本发明涉及电子器件及其制造方法。所述电子器件包括：半导体器件；设置在所述半导体器件上方的导热树脂，所述导热树脂包括热导体和树脂；设置在所述导热树脂上方的线形碳件，所述线形碳件待与所述热导体热接触；以及设置在所述线形碳件上方的散热器，所述散热器包括容纳所述导热树脂的凹部。