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公开(公告)号：CN1838244A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200510083079.X
申请日：2005-07-08
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3113 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3146 , H01F10/16 , H01F41/26
Abstract: 具有高饱和磁通密度和优异的软磁性能的软磁性薄膜。本发明的软磁性薄膜通过电解电镀来形成。该电镀膜由组成表示为FexCo1－x(60重量％≤x≤75重量％)的FeCo形成，该FeCo膜具有bcc晶体结构，并且该FeCo膜的晶体沿(110)晶面取向。
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公开(公告)号：CN115509487A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210269177.6
申请日：2022-03-18
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 提供了计算机可读记录介质、信息处理方法和信息处理装置。使计算机执行以下处理：在深度学习中，检测与使用特定位数执行的运算相比使用较低位数执行的运算中的学习失败的征兆；回滚至检测到征兆的运算，并且通过使用特定位数的运算执行重新计算；确定是否允许从使用特定位数的运算返回至使用较低位数的运算；并且当允许返回至使用较低位数的运算时，切换至使用较低位数的运算。
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公开(公告)号：CN100371989C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200510083079.X
申请日：2005-07-08
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3113 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3146 , H01F10/16 , H01F41/26
Abstract: 具有高饱和磁通密度和优异的软磁性能的软磁性薄膜。本发明的软磁性薄膜通过电解电镀来形成。该电镀膜由组成表示为FexCo1-x(60重量%≤x≤75重量%)的FeCo形成，该FeCo膜具有bcc晶体结构，并且该FeCo膜的晶体沿(110)晶面取向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101096770A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200610138196.6
申请日：2006-11-16
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K3/4682 , C25D5/02 , G11B5/102 , G11B5/3163 , G11B5/3173 , H05K1/056 , H05K3/0052 , H05K3/108 , H05K3/242 , H05K2203/0152
Abstract: 即使在电镀种子层的阻抗相对较高时也能以均匀的厚度进行电解电镀，由此提高了产品的形成精度并提高产品的出产率。在衬底上进行电镀的方法中，绝缘层形成在由电阻制成的衬底上，绝缘层包含导电至衬底的导电部件，电镀种子层形成于绝缘层上，电镀种子层经由导电部件导电至衬底，并且将电镀种子层作为功率供应层，在电镀种子层上形成镀膜。
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公开(公告)号：CN112465105B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202010818106.8
申请日：2020-08-14
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 提供了其中存储有学习程序的计算机可读记录介质以及学习方法，该学习程序用于使计算机执行包括以下的处理：在学习作为深度学习的目标并且具有多个节点的计算模型时，参考存储单元，在该存储单元中，指示在学习时间之前的每个学习阶段中张量所遵循的运算路径的路径信息和与运算路径中使用的小数点的位置有关的统计信息彼此相关联；当在学习时执行在多个节点中的每个节点中设置的每块运算处理时，获取与到达多个节点中的每个节点的路径信息相对应的统计信息；以及使用由所获取的统计信息指定的小数点的位置来执行每块运算处理。
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公开(公告)号：CN100429698C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200510051143.6
申请日：2005-02-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C25D3/562 , G11B5/232 , G11B5/235 , G11B5/3163
Abstract: 本发明的方法可以容易而安全地形成NiP非磁性膜。在通过电解电镀形成NiP非磁性膜的方法中，电解电镀在由以下组分构成的NiP电镀溶液中进行：提供镍离子的试剂；提供磷离子的试剂；和包含羧基的试剂。例如，镍的硫酸盐和氯盐等可以用作提供镍离子的试剂；磷酸、亚磷酸钠等可以用作提供磷离子的试剂。
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公开(公告)号：CN1783217A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510051143.6
申请日：2005-02-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C25D3/562 , G11B5/232 , G11B5/235 , G11B5/3163
Abstract: 本发明的方法可以容易而安全地形成NiP非磁性膜。在通过电解电镀形成NiP非磁性膜的方法中，电解电镀在由以下组分构成的NiP电镀溶液中进行：提供镍离子的试剂；提供磷离子的试剂；和包含羧基的试剂。例如，镍的硫酸盐和氯盐等可以用作提供镍离子的试剂；磷酸、亚磷酸钠等可以用作提供磷离子的试剂。
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公开(公告)号：CN112465105A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010818106.8
申请日：2020-08-14
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 提供了其中存储有学习程序的计算机可读记录介质以及学习方法，该学习程序用于使计算机执行包括以下的处理：在学习作为深度学习的目标并且具有多个节点的计算模型时，参考存储单元，在该存储单元中，指示在学习时间之前的每个学习阶段中张量所遵循的运算路径的路径信息和与运算路径中使用的小数点的位置有关的统计信息彼此相关联；当在学习时执行在多个节点中的每个节点中设置的每块运算处理时，获取与到达多个节点中的每个节点的路径信息相对应的统计信息；以及使用由所获取的统计信息指定的小数点的位置来执行每块运算处理。
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