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公开(公告)号：CN116895637A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310166963.8
申请日：2023-02-24
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L29/423 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备设置于半导体基板的MOS栅极结构，所述半导体装置具备：层间绝缘膜，其具有接触孔，并且设置在所述半导体基板的上方；导电性的第一阻挡金属层，其在所述接触孔中设置在所述层间绝缘膜的侧壁；导电性的第二阻挡金属层，其在所述接触孔中层叠在所述第一阻挡金属层；以及硅化物层，其在所述接触孔的下方设置在所述半导体基板的上表面，所述第一阻挡金属层比所述第二阻挡金属层更致密，并且膜厚是1nm以上且10nm以下。
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公开(公告)号：CN115989563A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202280005677.7
申请日：2022-03-17
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 洼内源宜
IPC: H01L21/265
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其整体分布有体施主；高浓度氢峰，其设置于半导体基板，且氢剂量为3×1015/cm2以上；高浓度区，其包含在半导体基板的深度方向上与高浓度氢峰重叠的位置，且高浓度区的施主浓度高于体施主浓度；以及寿命调整部，其设置于在深度方向上与高浓度氢峰重叠的位置，且载流子寿命呈现极小值。
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公开(公告)号：CN114467180A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202180005478.1
申请日：2021-04-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L27/07 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，并包含体施主；第一导电型的缓冲区，其配置在半导体基板的下表面侧，并包含氢施主，并且半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布具有单个的第一掺杂浓度峰；第一导电型的高浓度区，其配置在缓冲区与半导体基板的上表面之间，并包含氢施主，并且施主浓度比体施主浓度高；第一导电型或第二导电型的下表面区，其配置在缓冲区与半导体基板的下表面之间，掺杂浓度比高浓度区的掺杂浓度高。
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公开(公告)号：CN117995902A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311378369.1
申请日：2023-10-23
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/08
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在半导体装置中，优选具有抑制缺陷区域对晶体管部造成的影响并且容易小型化的结构。在半导体装置中，晶体管部与二极管部之间的边界区具有：第一部分，其与晶体管部相接，不设置寿命调整区；以及第二部分，其与二极管部相接，供二极管部的寿命调整区延伸设置，第一方向上的寿命抑制剂的密度分布具有寿命抑制剂的密度从边界区的第二部分朝向第一部分减少的横斜坡，在第一方向上，第一部分的宽度小于第二部分的宽度，在第一方向上，第一部分的宽度为横斜坡的宽度以上。
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公开(公告)号：CN117242553A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280032245.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：从半导体基板的正面侧形成寿命控制区的步骤；在接触孔的底面以离子方式注入Ti的步骤，所述接触孔贯通配置于半导体基板的正面上的层间绝缘膜而设置；以及利用退火在接触孔的底面形成Ti硅化物层的步骤。另外，提供一种半导体装置，具备：半导体基板，其具有晶体管部和二极管部；以及层间绝缘膜，其配置于半导体基板的正面上，并且被贯通地设置有接触孔，半导体基板从二极管部起遍及晶体管部的至少一部分，具有从半导体基板的正面起形成的寿命控制区，在接触孔的底面设置有Ti硅化物层，在接触孔的侧壁，TiN层与层间绝缘膜相接而设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114467182A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202180005544.5
申请日：2021-04-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/322 , H01L21/265
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的缓冲区，其配置于半导体基板的下表面侧，并具有两个以上的掺杂浓度峰；第一导电型的高浓度区，其配置于缓冲区与半导体基板的上表面之间，在深度方向上具有50μm以上的长度，且施主浓度比体施主浓度高；以及第一导电型或第二导电型的下表面区域，其配置于缓冲区与半导体基板的下表面之间，且掺杂浓度比高浓度区的掺杂浓度高，缓冲区的掺杂浓度峰中的最接近半导体基板的下表面的最浅掺杂浓度峰是浓度比其他的掺杂浓度峰高的氢施主的浓度峰，最浅掺杂浓度峰的峰浓度A与其他的掺杂浓度峰的平均峰浓度B之比A/B为200以下。
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公开(公告)号：CN114175270A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202180004693.X
申请日：2021-02-17
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 洼内源宜
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，并且整体分布有第一导电型的体施主；第一导电型的高浓度区，其包括半导体基板的深度方向上的中央位置，并且施主浓度高于体施主的掺杂浓度；以及上表面侧氧减少区，其在半导体基板的内部与半导体基板的上表面接触而设置，并且越接近半导体基板的上表面则氧化学浓度越小。氧化学浓度分布可以具有氧化学浓度成为最大值的50％以上的最大值区，在高浓度区的深度方向的端部可以配置有杂质化学浓度的第一峰，第一峰可以配置在最大值区内，或者可以配置在比最大值区更靠半导体基板的上表面侧的位置。
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公开(公告)号：CN112786556A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011061378.4
申请日：2020-09-30
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 洼内源宜
Abstract: 提供半导体装置及半导体装置的制造方法。正面的正上方不受空间限制。半导体装置具有具备外部连接端子(24)的半导体模块和导通基板(40)，该导通基板(40)具备贯通主面而形成的端子孔(41)，外部连接端子(24)的另一端部从端子孔(41)的入口(41a)向出口(41b)嵌合到端子孔(41)而被焊料(50)固定，导通基板(40)与外部连接端子(24)电连接。此外，在端子孔(41)形成有卡止另一端部针对端子孔(41)的插通的作为阶梯差(42)的卡止部。外部连接端子(24)的另一端部针对端子孔的插通被卡止部卡合而使外部连接端子(24)的另一端部留在端子孔。因此，以不从导通基板突出的方式接合到导通基板。
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公开(公告)号：CN111656497A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201980010232.6
申请日：2019-07-08
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 洼内源宜
IPC: H01L21/336 , H01L21/322 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置具备具有晶体管部和二极管部的半导体基板，晶体管部和二极管部这两者具有：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板的内部；以及第二导电型的基区，其在半导体基板的内部，设置在漂移区的上方，在半导体基板的内部，在基区的下方，从晶体管部的至少一部分起遍及二极管部而设置有包含寿命控制剂的寿命控制区，在晶体管部设置有在俯视半导体基板时与寿命控制区重叠，而调整晶体管部的阈值的阈值调整部。
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公开(公告)号：CN111146197A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910897265.9
申请日：2019-09-23
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及制造方法，在半导体装置中，优选抑制温度传感器的特性变动。半导体装置具备：半导体基板，其设置有第一导电型的漂移区；晶体管部，其设置于半导体基板；二极管部，其设置于半导体基板；阱区，其在半导体基板的上表面露出的第二导电型；温度检测部，在俯视下其与二极管部相邻且设置于阱区的上方；上表面侧寿命控制区域，其在二极管部设置于半导体基板的上表面侧，并且在俯视下设置在不与温度检测部重叠的区域。
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