-
公开(公告)号：CN1449005A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03107634.3
申请日：2003-03-20
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/206 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L2224/29111 , H01L2224/32145 , H01L2224/83101 , H01L2224/8319 , H01L2224/8385 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K3/0058 , H05K3/341 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 为了获得在软焊连接层中无空隙的半导体器件，在短时间内实施软焊过程而焊接一层叠物，提供一种制造半导体器件的方法。其中，该层叠物包括一金属底板，一软焊料片，一绝缘体基底，一软焊料片，和一硅芯片。将该层叠物放置在一减压炉内，在炉内抽真空之后，炉内达到正压下的氢气气氛，以还原层叠物各个部件的表面，在加热和熔化软焊料之后，炉内达到真空气氛，以除去软焊料中的空隙，且炉内达到正压下的氢气气氛，以阻止隧道形孔通过空隙的流动形成在软焊料中，由此，获得一均匀的软焊角焊缝形。此后，快速冷却层叠物使软焊料结构变得更细密，由此，提高用作焊接绝缘体基底和金属底板的软焊料的蠕变速率，以快速将金属底板的翘曲恢复到原始的状态。
-
公开(公告)号：CN1266753C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN03107634.3
申请日：2003-03-20
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/206 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L2224/29111 , H01L2224/32145 , H01L2224/83101 , H01L2224/8319 , H01L2224/8385 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K3/0058 , H05K3/341 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 为了获得在软焊连接层中无空隙的半导体器件，在短时间内实施软焊过程而焊接一层叠物，提供一种制造半导体器件的方法。其中，该层叠物包括一金属底板，一软焊料片，一绝缘体基底，一软焊料片，和一硅芯片。将该层叠物放置在一减压炉内，在炉内抽真空之后，炉内达到正压下的氢气气氛，以还原层叠物各个部件的表面，在加热和熔化软焊料之后，炉内达到真空气氛，以除去软焊料中的空隙，且炉内达到正压下的氢气气氛，以阻止隧道形孔通过空隙的流动形成在软焊料中，由此，获得一均匀的软焊角焊缝形。此后，快速冷却层叠物使软焊料结构变得更细密，由此，提高用作焊接绝缘体基底和金属底板的软焊料的蠕变速率，以快速将金属底板的翘曲恢复到原始的状态。
-
Search Results
2
records
(took 0.023 seconds)
