半导体模块
    2.
    发明公开
    半导体模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN117917770A

    公开(公告)日:2024-04-23

    申请号:CN202311059406.2

    申请日:2023-08-22

    Abstract: 本发明提供一种抑制栅极振荡的半导体模块,所述半导体模块(1‑1)具有:配置有IGBT(11)的电路基板(b1)、配置有IGBT(12)的电路基板(b2)、辅助发射极端子(AE1)、在电路基板(b1)上与IGBT(11)的发射极电连接的连接部(13)、在电路基板(b2)上与IGBT(21)的发射极电连接的连接部(23)和辅助发射极布线。辅助发射极布线包括共用布线部(1a)和单独布线部(1b、1c)。共用布线部(1a)将辅助发射极端子(AE1)与分支点连结。单独布线部(1b)将分支点与连接部(13)连结,并且具有比共用布线部(1a)的电感的10%小的电感。单独布线部(1c)将分支点与连接部(23)连结,并且具有比共用布线部(1a)的电感的10%小的电感。

    半导体装置
    3.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115700915A

    公开(公告)日:2023-02-07

    申请号:CN202210593444.5

    申请日:2022-05-27

    Abstract: 本发明提供能够降低振荡现象的产生的半导体装置。半导体装置通过电阻芯片来减小从控制端子起控制电极为止的布线电阻以及电感的相对差。在导通(或关断)针对控制电极的控制电压时,能够抑制多个半导体芯片的上升时间(或下降时间)的差。由此,输出电极(源极)的电压不会紊乱。因此,能够向外部的控制装置输出稳定的电压。此外,半导体装置通过引线而使配置于不同的绝缘电路基板的半导体芯片的输出电极间的电位均匀化。由此,能够从输出电极(源极)向外部的控制装置稳定地输出电压。因此,半导体装置能够抑制振荡现象以及由其引起的误动作的产生,并且能够抑制可靠性的降低。

    半导体装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110739941B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN201910455385.3

    申请日:2019-05-29

    Inventor: 佐佐木雅浩

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,能够在过渡时,没有短路电流的检测延迟,并抑制向感测IGBT的电流集中。IGBT(10)在主IGBT(11)的栅极端子和发射极端子设置将分压电阻器(Rdiv1、Rdiv2)串联连接而构成的分压电路,将两个分压电阻器的连接点连接到感测IGBT(12)的栅极端子。分压电路对施加到主IGBT的栅极端子的电压进行分压以使得在施加到主IGBT的栅极端子的电压与主IGBT的阈值电压相等时,成为感测IGBT的阈值电压。如果IGBT(10)的栅极端子(G)被施加使其导通的栅极信号,则主IGBT和感测IGBT的电流同时上升,由此没有短路电流的检测延迟,向感测IGBT的电流集中受到抑制。

    半导体装置
    5.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116261775A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202280006635.5

    申请日:2022-04-13

    Abstract: 本申请提供一种半导体装置,其具备:半导体基板(111),其具有上表面和下表面,并且具有第一导电型的漂移区(116);第一主端子(101),其设置于上表面的上方;第二主端子(102),其设置于下表面的下方;控制端子(103),其对在第一主端子与第二主端子之间是否流通电流进行控制;以及缓冲区(118),其设置于漂移区和下表面之间,且掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度,在示出施加于第一主端子与第二主端子之间的电源电压(VCE)、以及控制端子与第二主端子之间的端子间容量(CGC)之间的关系的C‑V特性中,在电源电压为500V以上的区域中,具有端子间电容的峰(180)。

    功率半导体器件的电流检测电路

    公开(公告)号:CN102455382B

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201110339904.3

    申请日:2011-10-21

    Inventor: 佐佐木雅浩

    CPC classification number: G01R19/0092 G01R19/14 H02M2001/0009 H03K2217/0027

    Abstract: 本发明的目的是提供功率半导体器件的电流检测电路,该电流检测电路的电路规模小、部件数量少、且产生小量的损耗。该电流检测电路利用功率半导体器件的感测功能来执行电流检测。由连接至功率半导体器件的感测端子S、S的电流-电压转换电路24来检测在功率半导体器件1、11中流动的未知幅值的电流。所检测的信号被传送至电流方向检测电路27,其检测电流的方向并将检测到的电流方向信号传送至外部CPU 3,外部CPU 3进而给出对应于电流方向信号的增益设置信号和偏移设置信号。输出增益调整器221调整增益幅度,且输出偏移调整器231调整偏移幅度,以便对感测区和主区的特性差异进行校正。

    功率半导体器件的电流检测电路

    公开(公告)号:CN102455382A

    公开(公告)日:2012-05-16

    申请号:CN201110339904.3

    申请日:2011-10-21

    Inventor: 佐佐木雅浩

    CPC classification number: G01R19/0092 G01R19/14 H02M2001/0009 H03K2217/0027

    Abstract: 本发明的目的是提供功率半导体器件的电流检测电路,该电流检测电路的电路规模小、部件数量少、且产生小量的损耗。该电流检测电路利用功率半导体器件的感测功能来执行电流检测。由连接至功率半导体器件的感测端子S、S的电流-电压转换电路24来检测在功率半导体器件1、11中流动的未知幅值的电流。所检测的信号被传送至电流方向检测电路27,其检测电流的方向并将检测到的电流方向信号传送至外部CPU 3,外部CPU 3进而给出对应于电流方向信号的增益设置信号和偏移设置信号。输出增益调整器221调整增益幅度,且输出偏移调整器231调整偏移幅度,以便对感测区和主区的特性差异进行校正。

    半导体装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116261775A9

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202280006635.5

    申请日:2022-04-13

    Abstract: 本申请提供一种半导体装置,其具备:半导体基板(111),其具有上表面和下表面,并且具有第一导电型的漂移区(116);第一主端子(101),其设置于上表面的上方;第二主端子(102),其设置于下表面的下方;控制端子(103),其对在第一主端子与第二主端子之间是否流通电流进行控制;以及缓冲区(118),其设置于漂移区和下表面之间,且掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度,在示出施加于第一主端子与第二主端子之间的电源电压(VCE)、以及控制端子与第二主端子之间的端子间容量(CGC)之间的关系的C-V特性中,在电源电压为500V以上的区域中,具有端子间电容的峰(180)。

    检测装置、控制装置及逆变器装置

    公开(公告)号:CN110249520B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201880009658.5

    申请日:2018-06-21

    Inventor: 佐佐木雅浩

    Abstract: 如果通过电流互感器来检测电流的过零,则会因纹波的影响而产生检测误差。提供一种检测装置,检测具有串联连接的第一开关元件和第二开关元件的开关电路所输出的输出电流的过零,检测装置具备:获取部,获取基于米勒期间内的栅极电压的观测值或基于米勒期间内的栅极电流的观测值,米勒期间为对第一开关元件和第二开关元件中的至少一个开关元件的漏极栅极间的米勒电容进行充电的期间;以及检测部,基于米勒期间内的观测值,检测在第一开关元件和第二开关元件之间的输出端子与连接于输出端子的负载之间流通的输出电流的过零。

    检测装置、控制装置及逆变器装置

    公开(公告)号:CN110249520A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201880009658.5

    申请日:2018-06-21

    Inventor: 佐佐木雅浩

    Abstract: 如果通过电流互感器来检测电流的过零,则会因纹波的影响而产生检测误差。提供一种检测装置,检测具有串联连接的第一开关元件和第二开关元件的开关电路所输出的输出电流的过零,检测装置具备:获取部,获取基于米勒期间内的栅极电压的观测值或基于米勒期间内的栅极电流的观测值,米勒期间为对第一开关元件和第二开关元件中的至少一个开关元件的漏极栅极间的米勒电容进行充电的期间;以及检测部,基于米勒期间内的观测值,检测在第一开关元件和第二开关元件之间的输出端子与连接于输出端子的负载之间流通的输出电流的过零。

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