公开(公告)号：CN1641879A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510004327.7

申请日：2005-01-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川添豪哉 ,  玉井幸夫 ,  岛冈笃志 ,  萩原直人 ,  增田秀俊 ,  铃木利昌

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  G11C11/00

CPC classification number: H01L27/2436 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

Abstract: 非易失性存储元件(10)通过依次层叠下部电极(7)、可变电阻体(8)和上部电极(9)构成，可变电阻体(8)在结晶和无定形混合存在的状态下成膜，形成非易失性存储元件(10)。更为理想的是，可变电阻体(8)是在350℃～500℃的范围内的成膜温度下成膜的可用通式Pr1－xCaxMnO3表示的镨·钙·锰氧化物。或者，可变电阻体(8)通过在形成无定形状态或者结晶和无定形混合存在的状态的成膜温度下成膜后，在比上述成膜温度高的温度下并且在可变电阻体(8)能够维持结晶和无定形混合存在的状态的温度范围内进行退火处理而形成。

公开(公告)号：CN1551239A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410008008.9

申请日：2004-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木利昌 ,  西汤二 ,  藤本正之 ,  粟屋信义 ,  井上刚至 ,  崎山惠三

IPC: G11C13/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: G11C13/0007 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明的课题是，提供在生产率方面优越的实用性高的EPIR元件。EPIR元件是在各种基板上依次层叠了下部电极层、CMR薄膜层、上部电极层的元件。作为下部电极层的Pt多晶薄膜10包含柱状的Pt晶粒10A、10B、10C、…，但它们之中的90％以上具有(111)取向。在Pt晶粒10A、10B、10C、…的各最表面上分别局部地外延生长柱状的PCMO晶粒群20A、20B、20C、…。于是，在各PCMO晶粒群20A、20B、20C、…中所包含的晶粒在垂直于基板法线方向的晶面为(100)p、(110)p、(111)p中的某1个。

公开(公告)号：CN100380524C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200410008008.9

申请日：2004-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木利昌 ,  西汤二 ,  藤本正之 ,  粟屋信义 ,  井上刚至 ,  崎山惠三

IPC: G11C13/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: G11C13/0007 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明的课题是，提供在生产率方面优越的实用性高的EPIR元件。EPIR元件是在各种基板上依次层叠了下部电极层、CMR薄膜层、上部电极层的元件。作为下部电极层的Pt多晶薄膜10包含柱状的Pt晶粒10A、10B、10C、...，但它们之中的90%以上具有(111)取向。在Pt晶粒10A、10B、10C、...的各最表面上分别局部地外延生长柱状的PCMO晶粒群20A、20B、20C、...。于是，在各PCMO晶粒群20A、20B、20C、...中所包含的晶粒在垂直于基板法线方向的晶面为(100)p、(110)p、(111)p中的某1个。