公开(公告)号：CN100380524C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200410008008.9

申请日：2004-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木利昌 ,  西汤二 ,  藤本正之 ,  粟屋信义 ,  井上刚至 ,  崎山惠三

IPC: G11C13/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: G11C13/0007 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明的课题是，提供在生产率方面优越的实用性高的EPIR元件。EPIR元件是在各种基板上依次层叠了下部电极层、CMR薄膜层、上部电极层的元件。作为下部电极层的Pt多晶薄膜10包含柱状的Pt晶粒10A、10B、10C、...，但它们之中的90%以上具有(111)取向。在Pt晶粒10A、10B、10C、...的各最表面上分别局部地外延生长柱状的PCMO晶粒群20A、20B、20C、...。于是，在各PCMO晶粒群20A、20B、20C、...中所包含的晶粒在垂直于基板法线方向的晶面为(100)p、(110)p、(111)p中的某1个。

公开(公告)号：CN1551239A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410008008.9

申请日：2004-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木利昌 ,  西汤二 ,  藤本正之 ,  粟屋信义 ,  井上刚至 ,  崎山惠三

IPC: G11C13/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: G11C13/0007 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明的课题是，提供在生产率方面优越的实用性高的EPIR元件。EPIR元件是在各种基板上依次层叠了下部电极层、CMR薄膜层、上部电极层的元件。作为下部电极层的Pt多晶薄膜10包含柱状的Pt晶粒10A、10B、10C、…，但它们之中的90％以上具有(111)取向。在Pt晶粒10A、10B、10C、…的各最表面上分别局部地外延生长柱状的PCMO晶粒群20A、20B、20C、…。于是，在各PCMO晶粒群20A、20B、20C、…中所包含的晶粒在垂直于基板法线方向的晶面为(100)p、(110)p、(111)p中的某1个。