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公开(公告)号：CN113102756A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110392091.8
申请日：2021-04-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种钼铜合金品质改良方法，涉及粉末冶金技术领域。本发明通过以下步骤获得高品质的钼铜合金：1)通过理论计算，确定钼铜合金致密化的可行性，确定致密化热处理的温度及时间；2)将宏观裂纹明显的钼铜合金进行温挤压预处理，预处理温度为400℃～700℃；3)将钼铜合金放入热处理炉，使合金致密化，致密化温度分别为700℃～900℃，致密化时间分别为0h～10h；4)通过OM观察致密化热处理后的钼铜合金；5)观察钼铜合金硬度随时间变化曲线并绘制图谱；6)观察钼铜合金硬度随温度变化曲线并绘制图谱。该方法提供的制备方法可操作性强、成本低，解决了市售钼铜合金孔洞多、致密度差问题，可以制备致密度高且性能较好的钼铜合金材料。
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公开(公告)号：CN113523270B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110774171.X
申请日：2021-07-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 发明属于一维纳米材料的制备技术领域，特别涉及一种基于界面反应及固态相变的金属纳米线阵列的制备方法，所述金属纳米线阵列制备方法包括以下步骤：首先，对基板进行清洁；其次，使低熔点合金作为熔覆材料与基板进行紧密接触；再次，通过反应扩散的方法使金属纳米线阵列生长在有基板内；最后，去除基板表面鼓包获得内嵌在基板中的金属纳米线阵列。本发明的优点是：(1)本发明成本低，反应时间短，操作简单并有效。(2)本发明制备的金属纳米线具有高度取向性，有序性，长度均一。(3)本发明方法具有普适性，可以选择改变基板晶粒的择优取向，控制纳米线的生长方向和生长区域，有望实现在基板内大范围的贴覆金属纳米线阵列。
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公开(公告)号：CN113084391A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110388722.9
申请日：2021-04-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B23K35/26
Abstract: 一种低熔点绿色柔性钎料及制备方法，它涉及一种低熔点钎料及其制备方法。本发明的目的是解决现有合金钎料硬脆性大、塑性差、润湿性差等问题导致无法应用在3D封装及柔性封装领域的技术问题。该Sn‑In‑Zn‑Bi合金钎料由Sn、In、Zn、Bi制备而成；所述合金钎料中Bi的含量为1％～5％。方法：一、称取纯锡块、纯铟块、纯锌块以及纯铋块。二、加热熔化，获得熔液。三、对熔液进行熔炼、搅拌获得钎料液。四、凝固轧制。本发明制备的合金钎料的熔点最低在162.5℃，润湿角在23°～29°之间，抗拉强度在42MPa～58MPa之间且无毒性绿色环保。本发明可获得一种低熔点绿色柔性钎料。
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公开(公告)号：CN112077477A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010950459.3
申请日：2020-09-10
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B23K35/24
Abstract: 一种高稳定低熔点纤料及其制备方法，它涉及一种低熔点纤料及其制备方法。本发明的目的是要解决使用现有纤料得到的焊点可靠性受到相粗化、晶须生长和极化效应的严重影响，导致钎焊效果差的问题。一种高稳定低熔点纤料由纯铟粉末、纯锡粉末和纯锌粉末制备而成；所述的高稳定低熔点纤料中Zn的质量分数为1％～9％。方法：一、称取纯铟粉末、纯锡粉末和纯锌粉末，混合均匀，得到混合粉末；二、加热熔化、轧制。本发明制备的高稳定低熔点纤料的熔点最低为108℃，比铟锡共晶合金熔点120℃更低，延伸率最高达到31％。本发明可获得一种高稳定低熔点纤料。
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公开(公告)号：CN101767120A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010032431.8
申请日：2010-01-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 连续变截面直接挤压制备细晶材料的装置及方法，它涉及一种制备细晶材料的装置及方法。本发明解决了目前细晶材料制备方法中存在的工序繁多、工艺要求高、织构倾向显著，加工制备时易产生褶皱和材料界面叠合缺陷及难于在生产中实施的问题。本发明的制备装置的一级过渡模的型腔、二级过渡模的型腔和芯模的型腔组合形成连续变截面的轴向波纹形挤压模型腔；本发明的制备方法步骤：组装制备装置；将坯料置于凹模内，放入冲头，将芯模挤出端的模口封闭，冲头下行，坯料从一级过渡模的模口以及二级过渡模的模口挤出，冲头继续下行，坯料墩粗变形；移除封闭物，冲头继续下行，坯料挤出成型。本发明所需设备简单、生产工序少，易于在生产中实施和推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118171737A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410152856.4
申请日：2024-02-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G06N5/04 , G06N3/042 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/0442 , G06N3/084 , G06V10/82 , G06V10/44 , G06V10/80 , G06V10/764 , G06F30/17 , G06F30/27 , G06N3/048
Abstract: 本发明涉及一种基于深度学习的MBD零件工艺推理方法。该方法利用CNN特征分类器和对CAD软件二次开发从MBD中提取零件制造特征信息，将制造特征信息向量化再序列化，制造特征序列经过RNN工艺推理器生成工艺参数序列和制造资源序列，再通过反向查询工艺知识库生成工艺方案。该方法可以充分利用MBD的优势，通过使用两种神经网络提高了加工特征识别、工艺推理的准确性和智能程度，以实现智能化制造的目标。
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公开(公告)号：CN110423909B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910811881.8
申请日：2019-08-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种通过构建亚微米活性层制备高致密度钼铜合金的方法，涉及粉末冶金技术领域。本发明通过以下步骤制备钼铜合金：1）通过理论计算，确定粗粉和细粉的质量；2）通过机械预处理对混合粉进行破碎和混合，使细粉颗粒附着于粗粉颗粒表面；3）通过冷压成形，使压坯密度为理论密度的60%；4）在800℃进行骨架烧结，保温时间3h，将烧结钼骨架置于熔渗模具中进行熔渗烧结，烧结温度为1160℃，保温时间1h。本发明提供的制备方法可操作性强、烧结温度低、烧结时间短、钼相与铜相物理结合增强、钼铜界面形成扩散层。
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公开(公告)号：CN104388829B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410735684.X
申请日：2014-12-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种取向铁基形状记忆合金的制备方法。本发明涉及新型金属功能材料领域，具体涉及一种取向铁基形状记忆合金的制备方法。本发明是为了解决现有铁基形状记忆合金形状记忆能力差、回复力低和强度低的问题。方法：一、将A3钢、电解锰、硅铁和铬铁置于中频感应电炉熔炼，然后铸造成型；二、采用线切割方法进行机械加工；三、先退火后进行压缩变形，变形后再退火，得到取向铁基形状记忆合金。
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公开(公告)号：CN114769934A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210548487.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种用于电子封装的高留存率多尺寸颗粒强化低温复合钎料及制备方法，本发明涉及复合钎料及其制备方法领域。本发明的目的是要解决现有钎料熔点高，焊接润湿性差以及面对功率器件小型化导致焊点内部承载负载电流过大致使焊点失效的问题。该颗粒增强复合钎料包括：Sn基钎料、In基钎料等。增强颗粒包括：Mo颗粒、Cu颗粒、SiC颗粒、Al2O3颗粒、TiO2颗粒、石墨烯、碳纳米管等。本发明通过调节添加增强相颗粒的比例，达到调节钎料组织性能的目的，抑制了界面IMC的生长、细化了IMC颗粒尺寸，提高了焊接接头强度，改善焊点电迁移抗性。可以根据不同的工作条件，适配合适的硬度、电导率等性能指标的钎料，本发明可获得一种复合钎料。
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公开(公告)号：CN113523270A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110774171.X
申请日：2021-07-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 发明属于一维纳米材料的制备技术领域，特别涉及一种基于界面反应及固态相变的金属纳米线阵列的制备方法，所述金属纳米线阵列制备方法包括以下步骤：首先，对基板进行清洁；其次，使低熔点合金作为熔覆材料与基板进行紧密接触；再次，通过反应扩散的方法使金属纳米线阵列生长在有基板内；最后，去除基板表面鼓包获得内嵌在基板中的金属纳米线阵列。本发明的优点是：(1)本发明成本低，反应时间短，操作简单并有效。(2)本发明制备的金属纳米线具有高度取向性，有序性，长度均一。(3)本发明方法具有普适性，可以选择改变基板晶粒的择优取向，控制纳米线的生长方向和生长区域，有望实现在基板内大范围的贴覆金属纳米线阵列。
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