公开(公告)号：CN114769934A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210548487.1

申请日：2022-05-20

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王敬泽 ,  孙云龙 ,  尹佳庆 ,  常晶 ,  翁冠军

IPC: B23K35/02 ,  B23K35/26 ,  B23K35/28 ,  B23K35/30 ,  B23K35/40

Abstract: 一种用于电子封装的高留存率多尺寸颗粒强化低温复合钎料及制备方法，本发明涉及复合钎料及其制备方法领域。本发明的目的是要解决现有钎料熔点高，焊接润湿性差以及面对功率器件小型化导致焊点内部承载负载电流过大致使焊点失效的问题。该颗粒增强复合钎料包括：Sn基钎料、In基钎料等。增强颗粒包括：Mo颗粒、Cu颗粒、SiC颗粒、Al2O3颗粒、TiO2颗粒、石墨烯、碳纳米管等。本发明通过调节添加增强相颗粒的比例，达到调节钎料组织性能的目的，抑制了界面IMC的生长、细化了IMC颗粒尺寸，提高了焊接接头强度，改善焊点电迁移抗性。可以根据不同的工作条件，适配合适的硬度、电导率等性能指标的钎料，本发明可获得一种复合钎料。

公开(公告)号：CN113523270A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110774171.X

申请日：2021-07-08

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王敬泽 ,  翁冠军 ,  常晶 ,  苏云龙 ,  尹佳庆

IPC: B22F1/00 ,  B22F9/04 ,  C22C23/02 ,  C23C26/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 发明属于一维纳米材料的制备技术领域，特别涉及一种基于界面反应及固态相变的金属纳米线阵列的制备方法，所述金属纳米线阵列制备方法包括以下步骤：首先，对基板进行清洁；其次，使低熔点合金作为熔覆材料与基板进行紧密接触；再次，通过反应扩散的方法使金属纳米线阵列生长在有基板内；最后，去除基板表面鼓包获得内嵌在基板中的金属纳米线阵列。本发明的优点是：(1)本发明成本低，反应时间短，操作简单并有效。(2)本发明制备的金属纳米线具有高度取向性，有序性，长度均一。(3)本发明方法具有普适性，可以选择改变基板晶粒的择优取向，控制纳米线的生长方向和生长区域，有望实现在基板内大范围的贴覆金属纳米线阵列。

公开(公告)号：CN113523270B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202110774171.X

申请日：2021-07-08

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王敬泽 ,  翁冠军 ,  常晶 ,  苏云龙 ,  尹佳庆

IPC: B22F1/054 ,  B22F9/04 ,  C22C23/02 ,  C23C26/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 发明属于一维纳米材料的制备技术领域，特别涉及一种基于界面反应及固态相变的金属纳米线阵列的制备方法，所述金属纳米线阵列制备方法包括以下步骤：首先，对基板进行清洁；其次，使低熔点合金作为熔覆材料与基板进行紧密接触；再次，通过反应扩散的方法使金属纳米线阵列生长在有基板内；最后，去除基板表面鼓包获得内嵌在基板中的金属纳米线阵列。本发明的优点是：(1)本发明成本低，反应时间短，操作简单并有效。(2)本发明制备的金属纳米线具有高度取向性，有序性，长度均一。(3)本发明方法具有普适性，可以选择改变基板晶粒的择优取向，控制纳米线的生长方向和生长区域，有望实现在基板内大范围的贴覆金属纳米线阵列。

公开(公告)号：CN113084391A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110388722.9

申请日：2021-04-12

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王敬泽 ,  常晶 ,  尹佳庆 ,  翁冠军 ,  孙云龙

IPC: B23K35/26

Abstract: 一种低熔点绿色柔性钎料及制备方法，它涉及一种低熔点钎料及其制备方法。本发明的目的是解决现有合金钎料硬脆性大、塑性差、润湿性差等问题导致无法应用在3D封装及柔性封装领域的技术问题。该Sn‑In‑Zn‑Bi合金钎料由Sn、In、Zn、Bi制备而成；所述合金钎料中Bi的含量为1％～5％。方法：一、称取纯锡块、纯铟块、纯锌块以及纯铋块。二、加热熔化，获得熔液。三、对熔液进行熔炼、搅拌获得钎料液。四、凝固轧制。本发明制备的合金钎料的熔点最低在162.5℃，润湿角在23°～29°之间，抗拉强度在42MPa～58MPa之间且无毒性绿色环保。本发明可获得一种低熔点绿色柔性钎料。

公开(公告)号：CN113102756A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110392091.8

申请日：2021-04-12

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王敬泽 ,  尹佳庆 ,  常晶 ,  翁冠军 ,  孙云龙

IPC: B22F3/24 ,  B22F3/26 ,  B22F3/20 ,  C22C1/04

Abstract: 一种钼铜合金品质改良方法，涉及粉末冶金技术领域。本发明通过以下步骤获得高品质的钼铜合金：1)通过理论计算，确定钼铜合金致密化的可行性，确定致密化热处理的温度及时间；2)将宏观裂纹明显的钼铜合金进行温挤压预处理，预处理温度为400℃～700℃；3)将钼铜合金放入热处理炉，使合金致密化，致密化温度分别为700℃～900℃，致密化时间分别为0h～10h；4)通过OM观察致密化热处理后的钼铜合金；5)观察钼铜合金硬度随时间变化曲线并绘制图谱；6)观察钼铜合金硬度随温度变化曲线并绘制图谱。该方法提供的制备方法可操作性强、成本低，解决了市售钼铜合金孔洞多、致密度差问题，可以制备致密度高且性能较好的钼铜合金材料。