公开(公告)号：CN113523270A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110774171.X

申请日：2021-07-08

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王敬泽 ,  翁冠军 ,  常晶 ,  苏云龙 ,  尹佳庆

IPC: B22F1/00 ,  B22F9/04 ,  C22C23/02 ,  C23C26/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 发明属于一维纳米材料的制备技术领域，特别涉及一种基于界面反应及固态相变的金属纳米线阵列的制备方法，所述金属纳米线阵列制备方法包括以下步骤：首先，对基板进行清洁；其次，使低熔点合金作为熔覆材料与基板进行紧密接触；再次，通过反应扩散的方法使金属纳米线阵列生长在有基板内；最后，去除基板表面鼓包获得内嵌在基板中的金属纳米线阵列。本发明的优点是：(1)本发明成本低，反应时间短，操作简单并有效。(2)本发明制备的金属纳米线具有高度取向性，有序性，长度均一。(3)本发明方法具有普适性，可以选择改变基板晶粒的择优取向，控制纳米线的生长方向和生长区域，有望实现在基板内大范围的贴覆金属纳米线阵列。

公开(公告)号：CN113523270B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202110774171.X

申请日：2021-07-08

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王敬泽 ,  翁冠军 ,  常晶 ,  苏云龙 ,  尹佳庆

IPC: B22F1/054 ,  B22F9/04 ,  C22C23/02 ,  C23C26/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 发明属于一维纳米材料的制备技术领域，特别涉及一种基于界面反应及固态相变的金属纳米线阵列的制备方法，所述金属纳米线阵列制备方法包括以下步骤：首先，对基板进行清洁；其次，使低熔点合金作为熔覆材料与基板进行紧密接触；再次，通过反应扩散的方法使金属纳米线阵列生长在有基板内；最后，去除基板表面鼓包获得内嵌在基板中的金属纳米线阵列。本发明的优点是：(1)本发明成本低，反应时间短，操作简单并有效。(2)本发明制备的金属纳米线具有高度取向性，有序性，长度均一。(3)本发明方法具有普适性，可以选择改变基板晶粒的择优取向，控制纳米线的生长方向和生长区域，有望实现在基板内大范围的贴覆金属纳米线阵列。