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公开(公告)号：CN116554503A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310358845.7
申请日：2023-04-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种用于监测人体运动的MXene/PVA水凝胶可穿戴传感器及其制备方法，属于传感器领域。本发明方法如下的：将PVA加入在DMSO中溶解完全；再加入HCl溶液和CBA，溶解完全；再加入MXene，倒入模具中，用无水乙醇浸泡，最后转移到水中。本发明用于超灵敏的人机交互和智能检测，具有自修复能力。本发明可组装成可修复的软智能传感器，可准确检测各种人体运动。可以组装成智能传感器，用于速度识别和手写识别。由于PVA的加入，导电水凝胶具有良好的生物相容性。在仿生智能机器人领域具有巨大的应用前景。因此，可拉伸和柔性水凝胶电子传感器由于其优异的自修复能力和可穿戴性，在人体运动检测和智能检测方面具有巨大潜力。
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公开(公告)号：CN113861596B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111022078.X
申请日：2021-09-01
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜及其制备方法和应用，属于嵌入式电容器和半导体存储器件等的应用领域。现有聚偏氟乙烯还难以满足现在嵌入式电容器以及半导体储存器件生产应用的需求。本发明包括制备多形貌的棒状、线状、球状和立方状纳米银@二氧化硅核壳无机粉体，同时用多形貌的纳米银@二氧化硅核壳粉体改性聚偏氟乙烯，得到一种高介电常数低介电损耗的聚合无机复合材料。可用于制作现代嵌入式电容器和半导体存储器件等的原材料。
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公开(公告)号：CN113912966B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202111136204.4
申请日：2021-09-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C08L27/16 , C08K9/06 , C08K7/10 , C08K7/08 , C08J5/18 , B32B27/30 , B32B27/20 , B32B27/06 , B32B37/10
Abstract: 本发明公开了一种高介电性能三元复合材料及其制备方法，属于嵌入式电容器和半导体存储器件等的应用领域。本发明复合材料由聚偏氟乙烯和填料组成，填料为硅烷偶联剂KH550改性碳化硅纳米线和硅烷偶联剂KH570改性四针状氧化锌晶须；是按下述步骤进行的：将KH550‑SiCNWs和KH570‑T‑ZnOw溶于N,N二甲基甲酰胺中，室温超声震荡至少2h，加入PVDF粉末，在室温下超声溶解反应至少4h，得到掺杂改性填料溶胶；然后进行抽滤和抽气泡，然后铺膜，然后烘干，得到复合薄膜；积叠放后热压，得高介电性能三元复合材料。相较于SiCNWs/PVDF二元复合材料，本发明的三元复合材料具有更加优异的介电性能。
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公开(公告)号：CN113881079A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111061524.8
申请日：2021-09-10
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高介电常数和低介电损耗的聚合物复合薄膜及其制备方法和应用，属于嵌入式电容器和半导体存储器件等应用领域。本发明要解决相比无机陶瓷材料的高介电常数，聚偏氟乙烯及其共聚物还难以满足现在嵌入式电容器以及半导体储存器件生产应用的需求。本发明所述CNT@PDA是由多巴胺(DA)在碳纳米管(CNT)表面自聚生成聚多巴胺(PDA)而制备，同时改变基体聚合物的种类和填料的添加量，得到一种高介电常数低介电损耗的聚合无机复合材料。本发明广泛用于现代嵌入式电容器和半导体存储器件等的领域。
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公开(公告)号：CN113861596A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111022078.X
申请日：2021-09-01
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜及其制备方法和应用，属于嵌入式电容器和半导体存储器件等的应用领域。现有聚偏氟乙烯还难以满足现在嵌入式电容器以及半导体储存器件生产应用的需求。本发明包括制备多形貌的棒状、线状、球状和立方状纳米银@二氧化硅核壳无机粉体，同时用多形貌的纳米银@二氧化硅核壳粉体改性聚偏氟乙烯，得到一种高介电常数低介电损耗的聚合无机复合材料。可用于制作现代嵌入式电容器和半导体存储器件等的原材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113773536A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111055221.5
申请日：2021-09-09
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电、低损耗和高击穿强度的聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法和应用，属于高性能电容器和储能器件等应用领域。本发明要解决PVDF介电常数有限难以满足电容器和储能器件对高介电性能要求的技术问题。本发明是先用硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠，纳米钛酸铋钠的形貌为球状，以聚偏氟乙烯作为基体；方法：将硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠加入N,N‑二甲基甲酰胺中，超声搅拌2h，加入聚偏氟乙烯粉末，超声搅拌反应2h；铺膜，烘干；热压。本发明用于制作电容器和储能器件。
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公开(公告)号：CN111618312A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010349859.9
申请日：2020-04-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了棒状Ag粉体的制备方法及棒状Ag@BST核壳粒子的制备方法和应用；属于微电容器的技术领域。本发明要解决棒状纳米银作为单一填料时，当达到渗流阈值时，提高介电常数的同时也会降低击穿强、增大介电损耗，进而降低储能密度的问题，这限制了其在电容器领域的应用。本发明以硝酸银和聚乙烯吡咯烷酮为原料制备棒状纳米Ag，然后通过溶胶凝胶水热法在Ag棒外面包覆一层Ba0.6Sr0.4TiO3，最后洗涤、离心、烘干得到棒状Ag@BST粉体。本发明棒状Ag@BST粉体在可以提高介电常数的同时并且保持一定的击穿场强，这种新型复合材料具有良好的介电性能和储能性能，在静电电容器等储能应用领域具有巨大的潜力。
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公开(公告)号：CN113733697A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110919946.8
申请日：2021-08-11
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度宽传感范围的柔性复合薄膜及其应用，属于可穿戴传感器和电子皮肤等的应用领域。本发明要解决柔性基底和活性材料的结合力不强、材料的耐用性不强、传感范围不够大的技术问题。本发明柔性复合薄膜包括MXene/TPU复合薄膜和PDMS薄膜，所述PDMS薄膜设置在MXene/TPU复合薄膜两侧并与其粘结为一体；其中，MXene/TPU复合薄膜是采用涂膜法制备TPU薄膜，再喷涂2D的Ti3C2MXene纳米片配置的胶体水溶液后烘干得到的。本发明适用于健康检测、运动讯号、检测机器人动作、可穿戴电子设备等一系列应用。
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公开(公告)号：CN111618312B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010349859.9
申请日：2020-04-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了棒状Ag粉体的制备方法及棒状Ag@BST核壳粒子的制备方法和应用；属于微电容器的技术领域。本发明要解决棒状纳米银作为单一填料时，当达到渗流阈值时，提高介电常数的同时也会降低击穿强、增大介电损耗，进而降低储能密度的问题，这限制了其在电容器领域的应用。本发明以硝酸银和聚乙烯吡咯烷酮为原料制备棒状纳米Ag，然后通过溶胶凝胶水热法在Ag棒外面包覆一层Ba0.6Sr0.4TiO3，最后洗涤、离心、烘干得到棒状Ag@BST粉体。本发明棒状Ag@BST粉体在可以提高介电常数的同时并且保持一定的击穿场强，这种新型复合材料具有良好的介电性能和储能性能，在静电电容器等储能应用领域具有巨大的潜力。
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公开(公告)号：CN113773536B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202111055221.5
申请日：2021-09-09
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电、低损耗和高击穿强度的聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法和应用，属于高性能电容器和储能器件等应用领域。本发明要解决PVDF介电常数有限难以满足电容器和储能器件对高介电性能要求的技术问题。本发明是先用硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠，纳米钛酸铋钠的形貌为球状，以聚偏氟乙烯作为基体；方法：将硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠加入N,N‑二甲基甲酰胺中，超声搅拌2h，加入聚偏氟乙烯粉末，超声搅拌反应2h；铺膜，烘干；热压。本发明用于制作电容器和储能器件。
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