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公开(公告)号:CN113773536A
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN202111055221.5
申请日:2021-09-09
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电、低损耗和高击穿强度的聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法和应用,属于高性能电容器和储能器件等应用领域。本发明要解决PVDF介电常数有限难以满足电容器和储能器件对高介电性能要求的技术问题。本发明是先用硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠,纳米钛酸铋钠的形貌为球状,以聚偏氟乙烯作为基体;方法:将硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠加入N,N‑二甲基甲酰胺中,超声搅拌2h,加入聚偏氟乙烯粉末,超声搅拌反应2h;铺膜,烘干;热压。本发明用于制作电容器和储能器件。
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公开(公告)号:CN113773536B
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202111055221.5
申请日:2021-09-09
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电、低损耗和高击穿强度的聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法和应用,属于高性能电容器和储能器件等应用领域。本发明要解决PVDF介电常数有限难以满足电容器和储能器件对高介电性能要求的技术问题。本发明是先用硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠,纳米钛酸铋钠的形貌为球状,以聚偏氟乙烯作为基体;方法:将硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠加入N,N‑二甲基甲酰胺中,超声搅拌2h,加入聚偏氟乙烯粉末,超声搅拌反应2h;铺膜,烘干;热压。本发明用于制作电容器和储能器件。
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