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公开(公告)号：CN116275028B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202310314041.7
申请日：2023-03-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于低温连接、高温服役的碳纳米球@Ag核壳材料的制备方法与互连工艺，所述碳纳米球@Ag核壳材料的制备方法如下：步骤1、将中空碳纳米球分散在溶剂中，搅拌并超声处理；步骤2、加入银源，在避光条件下搅拌后，加入还原剂；步骤3、将所得溶液在室温下避光搅拌；步骤4、将所得产物进行多次洗涤、离心、再分散，随后经干燥，得到碳纳米球@Ag核壳材料。本发明的碳纳米球@Ag核壳材料具有良好的抗氧化性，通过塑性变形可以有效减少形成接头中的孔隙和孔洞；可实现“低温连接、高温服役”，通过纳米颗粒的塑性变形有效减少形成接头中的孔隙和孔洞，可在低温条件下将芯片与基板互连，完成半导体器件的连接封装。
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公开(公告)号：CN117564542A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311614432.7
申请日：2023-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种Ag‑Cu@Pd钎料预制片及其制备方法和应用，属于电子封装微互联技术领域，所述Ag‑Cu@Pd钎料预制片由微米Cu@Pd核壳颗粒和纳米Ag颗粒组成，不含其他组分，所述微米Cu@Pd核壳颗粒与纳米Ag颗粒的质量百分比为65％～80％:20％～35％。本发明将Ag‑Cu@Pd钎料制成预制片，Pd元素的加入可以显著提高Cu的高温抗氧化性，改善Ag的电迁移和离子迁移问题。此外，预制片避免了有机物溶剂挥发过程造成的孔隙率升高，增加合金量使得焊点强化。预制片易于制成特定形状和尺寸，方便拾取和快速放置，在低温低压条件下实现芯片与基板互连，可以在产业化大批量生产中发挥巨大优势。
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公开(公告)号：CN117381232A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311457249.0
申请日：2023-11-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种微米Cu@Pd核壳与纳米Ag复合焊膏及其制备方法和应用，所述工艺包括如下步骤：步骤一：微米Cu@Pd核壳颗粒的制备；步骤二：纳米Ag颗粒的制备；步骤三：复合焊膏制备；步骤四：基板的处理；步骤五：焊膏的涂覆；步骤六：热压烧结。本发明采用Cu@Pd微米核壳颗粒代替银纳米焊膏和铜纳米焊膏，解决了银纳米焊膏的电迁移和离子迁移、铜纳米焊膏易氧化的问题，同时钯与铜、银分别可以形成无限固溶体，解决了混合焊膏压力烧结时银壳从铜核上剥离，从而产生大量氧化的问题。
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公开(公告)号：CN115410934B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210853994.6
申请日：2022-07-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60 , H01L21/603 , H01L21/48 , H01L23/488 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种微米In与纳米Cu@Ag核壳混合材料互连工艺，所述工艺包括如下步骤：步骤一：微米In与纳米Cu@Ag核壳混合焊膏的制备；步骤二：基板的处理；步骤三：焊膏的涂覆/印刷；步骤四：热压/电磁感应烧结。微米In与纳米Cu@Ag核壳能够相互配合，充分利用空间，降低孔隙率，能够大幅度地降低原材料的成本，在产业化大批量生产中发挥巨大优势。本发明可实现低温连接高温服役，不仅降低了互连温度和互连条件，还可有效的减少形成接头中的孔隙和孔洞，可在低温无压条件下将芯片与基板互连，完成半导体器件的连接封装，能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。
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公开(公告)号：CN116790140B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202310759097.3
申请日：2023-06-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种掺杂多孔碳纳米球的二氧化锡基气敏涂料的制备方法及应用。所述方法为：将多孔碳纳米球分散在去离子水中，加入二氧化锡粉末，先后进行搅拌、超声和涡旋振荡得到均匀的混合溶液；在混合溶液中加入硝酸银，在60℃下搅拌反应，随后进行离心、洗涤，得到SnO2/多孔碳纳米球@Ag材料；将所得材料溶解于无水乙醇中混匀，将混匀后的气敏涂料涂覆至带电极的陶瓷管表面，待涂料干燥后重复数次，得到SnO2/多孔碳纳米球@Ag气敏传感器。本发明的纳米涂料可在100℃的温度下对异丙醇具备良好的传感特性，可有效解决目前的传感器工作温度较高的问题。具有工艺简单、成本低廉的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116504654A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310045231.3
申请日：2023-01-30
Applicant: 南京恒电电子有限公司 , 哈尔滨工业大学 , 南京恒电先进微波技术研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种核壳结构的微米金属互连工艺，包括使用化学镀的方法得到Cu@In核壳结构粉末，将Cu@In核壳结构粉体与不同种类的助焊膏混合制备成钎焊膏，通过丝网印刷将上述钎焊膏印刷至基板上，静置15‑60min后将芯片从互连材料上方缓慢压入覆盖在其表面，再将其整体置于200‑250℃空气环境下保温2‑60min得到互连器件；本发明制备的壳层金属形态致密、尺寸均匀可控，易在较低温度下发生原子扩散，与微米铜颗粒连接在一起，形成互连体系，不仅提高了核层微米铜颗粒的抗氧化性与稳定性，还大大降低了互连温度和互连条件；可在低温无压条件下将芯片与基板互连，完成半导体器件的连接封装，能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。
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公开(公告)号：CN119911963A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510120394.2
申请日：2025-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米颗粒组装的多孔花状二氧化锡基体材料的可控制备方法、气敏材料的制备方法及应用，属于气敏材料领域。本发明采用溶剂热法、煅烧、化学镀等方法，实现了一种纳米颗粒组装的多孔花状二氧化锡基气敏材料的可控制备。该材料呈现出大小均一、直径约5微米的3D花状结构，该花状结构由2D的片状花瓣构成，而构成片状花瓣的基本单元则是直径约40纳米的SnO2颗粒。其独特的分级多孔形貌结构一方面具有大比表面积，可以提供更多的表面活性位点；另一方面，较多的孔隙有利于气体分子在材料表面的传输与扩散。此外，采用多种增效策略协同增强了SnO2基气敏材料的正丁醇传感性能。
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公开(公告)号：CN117505838A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311522363.7
申请日：2023-11-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片及其制备方法和应用，属于电子封装微互连技术领域，具体方案为：通过化学镀法制得微米Cu@In核壳材料，并与微米In颗粒、微米Ag颗粒进行混合，最终得到微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片。将微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片置于基板上，并将芯片、预制片、基板装配成三明治结构，得到整体器件，将所述整体器件在一定压力下进行连接，得到互连器件。本发明能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。
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公开(公告)号：CN116790140A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310759097.3
申请日：2023-06-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种掺杂多孔碳纳米球的二氧化锡基气敏涂料的制备方法及应用。所述方法为：将多孔碳纳米球分散在去离子水中，加入二氧化锡粉末，先后进行搅拌、超声和涡旋振荡得到均匀的混合溶液；在混合溶液中加入硝酸银，在60℃下搅拌反应，随后进行离心、洗涤，得到SnO2/多孔碳纳米球@Ag材料；将所得材料溶解于无水乙醇中混匀，将混匀后的气敏涂料涂覆至带电极的陶瓷管表面，待涂料干燥后重复数次，得到SnO2/多孔碳纳米球@Ag气敏传感器。本发明的纳米涂料可在100℃的温度下对异丙醇具备良好的传感特性，可有效解决目前的传感器工作温度较高的问题。具有工艺简单、成本低廉的特点。
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公开(公告)号：CN116275058A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310314039.X
申请日：2023-03-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F7/08 , B23K26/00 , B22F1/107 , B22F1/0545 , B22F1/17
Abstract: 本发明公开了一种微纳米合金接头的多场耦合快速制备方法，所述方法将微纳米金属粉末与分散剂、粘结剂、稀释剂以及助焊剂混合，得到混合焊膏；用常规的方法印刷或滴涂于待焊部位；用加热平台对基板预热去除部分水和有机物；采用电磁或激光与加热平台耦合、或激光、电磁感应与传统热场三场耦合加热焊接，形成接头。该方法将激光、电磁场与传统的热场耦合，三维立体烧结微纳混合颗粒，实现其瞬态、芯片区域的局部键合，攻克微纳米颗粒键合需要整体加热、键合效率低下的问题。多场耦合快速加热条件下，混合颗粒的原子和缺陷运动、扩散行为、填充行为，能够降低孔隙率，对接头微观组织结构和力学行为产生巨大影响。
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