公开(公告)号：CN113745333B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202111021113.6

申请日：2021-09-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杨伟锋 ,  帅浩 ,  张保平

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/36 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开一种含δ掺杂势垒层的常关型氧化镓基MIS‑HEMT器件及其制备方法，其中器件包括衬底和层叠设置在衬底一端面上的缓冲层，其还包括：沟道层、间隔层、δ掺杂层、势垒层、源电极、漏电极、介质层和栅电极；其中，所述δ掺杂层设置在间隔层远离沟道层的端面上，用于避免产生平行导电沟道。本发明采用δ掺杂势垒层结构来代替对整层进行均匀掺杂的势垒层结构，可以避免产生平行导电通道，并克服由其带来的器件跨导和击穿电压降低，射频特性功能下降和开关特性变差等不足。可以减弱陷阱效应，增大沟道中的2DEG浓度，以及提高器件的击穿电压和可靠性。本发明用于实现器件常关操作所采用的凹槽栅刻蚀技术具备工艺成熟、成本低、均匀性和重复性好等优势。

公开(公告)号：CN118198848A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410292850.7

申请日：2024-03-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 许荣彬 ,  方明超 ,  丁文停 ,  张保平

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/024

Abstract: 本发明涉及激光照明技术领域，具体公开了一种使用图形化金刚石衬底提高荧光玻璃发光性能的方法，包括如下步骤：金刚石衬底预处理：对金刚石衬底的表面抛光处理后进行酸洗和超声清洗；金刚石衬底图形化：对预处理后的金刚石衬底进行光刻、刻蚀处理，在金刚石衬底上形成图形；将荧光粉、玻璃粉、有机溶剂按比例混合得到荧光玻璃混合物浆料；在图形化后的金刚石衬底上旋涂或涂抹荧光玻璃混合物浆料，烧结后得到荧光玻璃薄膜层。本发明采用图形化后的金刚石基板作为器件的衬底，大大提升了荧光体的散热和发光性能，增大荧光玻璃和金刚石接触面积，增强衬底与荧光玻璃间的结合，并在一定程度上改变激光光路，改变激光在荧光玻璃中的光程与作用面积。

公开(公告)号：CN113675716A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110935263.1

申请日：2021-08-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张丹 ,  朱纪云 ,  张保平 ,  应磊莹 ,  杨星辰

IPC: H01S3/0933 ,  H01S3/063 ,  H01S3/08

Abstract: 本发明公开了LED泵浦多波长波导激光器及多波长波导激光器，包括：光学基体、LED泵浦光源、弯曲波导、第一增透膜、第一高反膜、第二高反膜、第三高反膜和滤光膜；其中，光学基体的一端面与LED泵浦光源的输出端相对；弯曲波导为多根且间隔掩埋设置在光学基体内，其两端分别延伸至光学基体两侧；第一增透膜设置在光学基体与LED泵浦光源输出端相对的端面上；第一高反膜设置在光学基体远离第一增透膜的端面；第二高反膜和第三高反膜均为多片且与弯曲波导一一对应并分别与弯曲波导的两端相对；滤光膜为多片且与多根弯曲波导一一对应并与弯曲波导的输出端相对；本方案体积小、加工可靠灵活、成本低且可实现多波长激光输出和易于与其他光电设备进行集成。

公开(公告)号：CN110212078B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201910514858.2

申请日：2019-06-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  梅洋 ,  许荣彬 ,  徐欢 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明涉及光电子、半导体激光技术领域，特别地涉及一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法。本发明公开了一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法，其中电注入微盘谐振腔发光器件包括半导体微盘、金属支撑柱和金属支撑衬底，半导体微盘通过金属支撑柱支撑在金属支撑衬底上，半导体微盘的边缘突出于金属支撑柱的侧壁而形成悬空结构。本发明很好地解决了具有边缘悬空结构微盘谐振腔的电流注入难题，且相比于传统微盘谐振腔发光器件中的Si等其他半导体支撑材料，金属支撑柱能更好地改善器件的散热特性；金属支撑柱与金属支撑衬底可以通过电镀的方式制备，工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。

公开(公告)号：CN110120448A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910375275.6

申请日：2019-05-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 龙浩 ,  冯笑杰 ,  田梦飞 ,  张保平 ,  应磊莹

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 一种基于金属掩膜衬底的氮化物LED制作方法，涉及半导体发光二极管器件。在衬底上形成过渡层；采用单一外延生长技术或各种外延生长技术的组合在过渡层上生长LED外延片；采用沉积技术在上述LED外延片上沉积厚度在10～200nm的ITO，并进行退火；对沉积好ITO的LED外延片，进行光刻、刻蚀、生长电极和封装等工艺，即制备正装LED；或在转移衬底后，采用激光剥离等分离技术将外延片与原衬底分离，再进行光刻、刻蚀、生长电极和封装等工艺，即制备垂直结构LED。可有效改善LED的散热性能，有利于提高LED器件的可靠性。金属具有较好的导热性能，进而实现高可靠性的LED工作，延长LED的寿命。

公开(公告)号：CN104634767A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510094227.1

申请日：2015-03-03

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  翁国恩 ,  梅洋 ,  张江勇 ,  应磊莹

IPC: G01N21/63

Abstract: 一种氮化镓基谐振腔气体传感器的制备方法，涉及气体传感器。在蓝宝石衬底GaN基外延片上制作图形化分布布拉格反射镜，然后在表面蒸发或溅射第一含金属层；在衬底表面蒸发或溅射第二含金属层；将第一含金属层和第二含金属层贴合，在真空或氮气氛围下键合，再通过激光剥离技术去除蓝宝石衬底；对去除蓝宝石衬底后的GaN基外延片进行器件分离，形成二维阵列结构，接着蒸发或溅射金属电极、分布布拉格反射镜，最后沉积聚合物涂层，完成器件制作。探测灵敏度高，易于制作成二维阵列结构，达到同时检测多种气体的目的，成本低，效率高。基于氮化镓基谐振腔结构，利用器件谐振发光波长的移动确定被检测气体含量，原理简单，制作容易且探测灵敏度高。

公开(公告)号：CN104465907A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201510018419.4

申请日：2015-01-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  曾勇平 ,  张江勇 ,  应磊莹

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L2933/0033

Abstract: 一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法，涉及发光二极管。在p-GaN上制作ITO薄膜；用等离子体轰击ITO薄膜；利用缓冲氧化刻蚀剂除去表面因感应耦合等离子体轰击产生的氧化物。通过在传统结构的LED外延层P-GaN薄膜上方沉积一层氧化铟锡，再通过感应耦合等离子体等轰击ITO薄膜，使得轰击后的p-GaN薄膜空穴浓度得到提高，降低电阻率，从而改善了薄膜的电学特性。从根本上避免了传统的提高p-GaN薄膜空穴浓度、降低薄膜电阻率的方法，即高温退火对InGaN多量子阱的结构和光学特性产生的影响，而且工艺步骤简单。

公开(公告)号：CN103151416A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310084674.X

申请日：2013-03-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  蔡晓梅 ,  张江勇 ,  余健 ,  王宇

IPC: H01L31/0693 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/052 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池。所述垂直结构InGaN太阳能电池设有：支撑衬底；键合介质层；金属反射镜层；p-GaN层；InGaN吸收层；n-GaN层；栅状电极。在外延片表面镀上金属电极，并当作反射镜使用；将镀上反射镜的外延片倒置键合于支撑基板上；采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底，将外延薄膜转移到支撑基板上；粗化n-GaN表面；制作器件台面；制作栅状n-GaN表面电极，得垂直结构InGaN太阳能电池。可以避免同侧电极带来的电流不均匀性和局部热效应，延长电池的使用寿命；在电池的背面制作反射镜，增强了对入射光的吸收，增大光生载流子数目，从而有效提高电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN101667561B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910112478.2

申请日：2009-09-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张玉龙 ,  张保平 ,  罗仲梓 ,  蒋书森 ,  张艳 ,  谷丹丹 ,  张春权 ,  李燕飞

IPC: H01L23/427 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。

公开(公告)号：CN101183697A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710009956.8

申请日：2007-12-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  张保平 ,  朱丽虹

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种出光效率高、晶体质量好的氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法。设有衬底、GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、介质层、第2掺硅GaN层，InGaN/GaN多量子阱、掺镁AlGaN层和掺镁GaN层，并从下至上设于衬底上。将(0001)面的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下热处理；降温生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上生长第1掺硅GaN层，降温取出样品；在样品上沉积介质层，沿第1掺硅GaN层的 方向刻出窗口作为图形衬底，样品清洗后外延生长：整个外延生长完成后，将外延片退火。