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公开(公告)号：CN118281125A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410425843.X
申请日：2024-04-10
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于通孔电极的垂直堆叠式全彩化Micro‑LED器件及其制备方法，采用垂直堆叠的芯片结构，垂直堆叠的芯片结构按序包括第一发光单元、第一隧道结、第二发光单元、第二隧道结和第三发光单元，第一发光单元、第二发光单元的第一电极分别通过导电通孔引出至第三发光单元一侧表面并与第三发光单元的第一电极形成共电极，第二发光单元、第三发光单元的第二电极分别通过导电通孔引出至第一发光单元一侧表面并与第一发光单元的第二电极彼此独立。本发明采用垂直堆叠结构设计三色外延片层，使正负电极分别位于上下两侧并能实现单独点亮每个发光单元的功能，缓解了电流拥挤现象，能够显著提升全彩化显示器件的性能。
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公开(公告)号：CN117210907A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311157655.5
申请日：2023-09-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种制备全彩化Micro‑LED显示器件的多色量子点电泳沉积系统，包括溶液池，量子点溶液存储单元、气压控制单元、干燥气体单元、废液收集单元、电压集成分配控制单元和清洗喷淋单元；量子点溶液存储单元包括多个量子点溶液存储装置，电压集成分配控制单元包括位于正负电极之间的若干控制开关，各控制开关分别连接不同的待沉积区域线路，并通过控制开关切换待沉积区域线路的正负电压连接关系实现不同待沉积区域的量子点沉积。本发明还公开了基于上述多色量子点电泳沉积系统的全彩化Micro‑LED显示器件制备方法，颜色转换效率高、制备速度快、可实现大面积的量子点的沉积同时节约了时间成本，适合于大规模工业化生产，加快全彩化显示的进程。
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公开(公告)号：CN117133764A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311227259.5
申请日：2023-09-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED显示器件结构及其制作方法，该结构包括有源控制电路单元、芯片单元、玻璃基板和填充层，芯片单元的第一表面倒装于有源控制电路单元上，填充层设于芯片单元与有源控制电路单元之间以及芯片单元间的不同方向的沟道空隙的交叉位置，相邻两个芯片单元之间的沟道空隙填充有液晶，玻璃基板封装于芯片单元的第二表面，玻璃基板和有源控制电路单元上与相邻两个芯片单元之间的沟道空隙相对应的位置分别设有第一电极和第一控制电路电极，液晶以及第一电极和第一控制电路电极构成每相邻两个芯片单元之间的调光控制层，阻挡每相邻两个芯片单元之间的光线或产生偏光作用。不仅解决侧面光路串扰问题，还实现偏光/调光作用，增强光输出效率。
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公开(公告)号：CN114597303A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210184209.2
申请日：2022-02-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , G09F9/33
Abstract: 本发明公开了一种可抑制咖啡环效应的颜色转换层，包括基板、封装盖板和量子点层；基板的上表面设有若干第一凹槽，量子点层包括一一形成于第一凹槽内的量子点单元；封装盖板键合于基板上，具有与第一凹槽配合的盖板单元，盖板单元分布有若干挥发孔，其中中心区域的挥发孔的分布密度大于边缘区域；基板的底部对应第一凹槽中心区域的热导率大于边缘区域。本发明还公开了其制作方法和应用。通过将设计有挥发通道的封装盖板与基板键合和对基板底部受热面的设计，实现了对溶剂挥发速率调控进而抑制咖啡环的目的，使量子点图案形貌更加规则、良好。
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公开(公告)号：CN114784047B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202210571784.8
申请日：2022-05-24
Applicant: 厦门大学
IPC: H10H29/30 , H10H29/852
Abstract: 本申请涉及一种主动驱动式Micro‑LED基板，包括LED发光阵列和透明基板，所述透明基板上开设有凹槽，所述LED发光阵列嵌入凹槽内，所述凹槽内设置有第一粘胶层和第二粘胶层，第一粘胶层固定连接LED发光阵列的底壁和凹槽的底壁，第二粘胶层固定连接LED发光阵列的侧壁和凹槽的侧壁。通过将LED发光阵列嵌入透明基板对芯片进行封装，不受限于焊接键合要求的封装方法，工艺简单，解决了键合不准确的问题。主动驱动式Micro‑LED基板还设置有封装层，在封装层中至少有一条金属引线从LED发光阵列对应位置引出并向外延伸超过LED发光阵列的边缘，可以任意规定驱动电路的间距尺寸，不受限于MicroLED芯片尺寸和结构，可根据Micro‑LED芯片尺寸和结构自行设计，显著降低工艺成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116344715A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310419422.1
申请日：2023-04-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种高转换效率量子点色转换层的制备方法，其是对硬质透明衬底的表面进行图案化，得到分立间隔排布的凸起结构阵列，并于图案化的表面上沉积量子点单元得到量子点色转换层，其图案化的表面可以帮助器件内部光子纵向传播，从而提高光提取效率；用于Micro‑LED全彩显示，显示效果好，且制作工艺简单，避免巨量转移，成本低，可以作为显示器的封装层，更易于批量化生产。
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公开(公告)号：CN115763518A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211444320.7
申请日：2022-11-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微流控技术的高品质Micro‑LED全彩显示器件及制备方法，于透明基底上形成图案化金属层，图案化金属层具有阵列排布的透光开口，利用阵列化透光的金属层作为量子点沉积区域，并通过微流控芯片技术对不同的阵列填充红色和绿色量子点，作为红色和绿色子像素色转换层，再与蓝光Micro‑LED键合制备Micro‑LED全彩显示器件，子像素点之间的金属层为不透光材质，子像素点之间的红、绿、蓝光只能从预设的阵列区域透射出来，降低相同颜色和不同颜色子像素点发射的光之间的窜扰，提升Micro‑LED器件的光品质。
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公开(公告)号：CN114967316A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210513754.1
申请日：2022-05-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法的制备方法，根据光刻图形设计分隔构件，所述分隔构件包括罩板，罩板具有遮蔽区和镂空区，镂空区周缘垂直向下延伸形成隔板；在半导体基板表面涂覆光刻胶后放置分隔构件，并使隔板嵌入光刻胶中将光刻胶对应遮蔽区和对应镂空区的部分物理隔开，然后进行曝光、显影以及后续的蚀刻工艺。通过分隔构件物理隔离需曝光部分的光刻胶，可实现九十度的垂直剖面，实现了低成本，高精度的光刻工艺。
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公开(公告)号：CN114927600A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210574620.0
申请日：2022-05-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微流控技术的MicroLED全彩化显示器件结构与制备方法，是将减薄后的MicroLED芯片阵列的衬底作为基板，在衬底上蚀刻出与MicroLED单元一一对应的凹坑，将微流控盖板与衬底相压合直接在衬底上完成了微流控芯片的制备，然后注入量子点溶液在衬底的凹坑中形成色转换层，省去了微流控芯片基板，省去了量子点色转换层与MicroLED芯片阵列进行键合等步骤。本发明简化了制备工艺、节省了原料，同时提高了色转换的效率。
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公开(公告)号：CN114597302A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210169794.9
申请日：2022-02-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , G09F9/33
Abstract: 本发明公开了一种量子点色转换层的制备方法，通过制作微流控芯片，在微流控芯片的微通道内引入了凹槽和疏水性物质，解决了制备颜色转换层中易出现的量子点层厚度及形状不可控、混色等现象。同时，通过对封装层的设计使颜色转换层激发光的品质得到有效提升，防止光串扰的发生。本发明还公开了通过上述制备方法得到的量子点色转换层及其在MicroLED显示器件中的应用。
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