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公开(公告)号：CN112669728A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011630164.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 厦门大学
IPC: G09F13/20
Abstract: 一种基于激光激发荧光粉的透射式显示实现办法，属于显示装置领域。设置显示实现装置壳体底部及侧面不透光壳；在壳体底部不透光壳中心位置设置入射窗口，以使入射激光光束能进入显示实现装置的壳体内部；在入射窗口布置入射激光光源；在壳体内底层填充一层不规则颗粒填充物作为漫反射层；在不规则颗粒填充物层上设置一层基板，在基板上下表面镀膜，基板上层设有显示面薄层；在壳体顶部设置显示面，在显示面上定制印刷相应的显示内容荧光粉涂层；开启入射激光光源，入射激光光束通过与氧化铝不规则颗粒填充物发生接触进行漫反射，从下至上通过漫反射层，散射后的激光照射到显示面的荧光粉图形，发光实现显示。显示色彩丰富、显示效果好，更耐用。
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公开(公告)号：CN107680505A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201711020850.8
申请日：2017-10-26
Applicant: 厦门大学嘉庚学院
Abstract: 本发明提出一种激光光源显示装置，其特征在于，包括：壳体、激光光源和填充物；所述壳体至少有一部分为显示面，显示面之外部分为不透光壳；所述不透光壳任一部分的内侧面为反光面或吸光面；所述不透光壳上设有使入射光能够进入壳体内部的入射窗口；所述激光光源包括红色激光器、绿色激光器、蓝色激光器共三个激光器，或包括黄色激光器、蓝色激光器共两个激光器；所述填充物使入射进入壳体内部的光线发生漫反射。本发明与现有技术相比成本低廉、显示色彩丰富、显示效果好，尤其在公共信息发布的场合，本发明技术方案的显示能力强于现有技术。
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公开(公告)号：CN102593207A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210073692.3
申请日：2012-03-19
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 一种局域化发射区结构的太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。局域化发射区结构的太阳能电池设有衬底，在衬底表面外延本征半导体层，本征半导体层上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在衬底底部蒸镀背电极，当衬底为p型半导体层时，半导体层为n型半导体层；当衬底为n型半导体层时，半导体层为p型半导体层。将衬底生长本征半导体层；在样品热生长或沉积一层遮挡层；在样品上表面刻出图形，去除遮挡层，刻出凹槽；在凹槽内形成半导体层，去除遮挡层形成发射区；沉积上电极，剥离；在样品上表面刻出上电极的反图形后沉积减反膜，剥离；在样品背面沉积背电极。
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公开(公告)号：CN101572288A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910111881.3
申请日：2009-05-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种出光效率和输出功率较高的GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法。设有蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上外延生长多层异质结构，多层异质结构自下而上设有低温GaN缓冲层、N型GaN电极接触层、N型AlGaN/GaN超晶格光限制层、N型GaN波导层、InGaN/GaN多量子阱有源层、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、P型AlGaN/GaN超晶格光限制层、p型GaN层和p型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层，在N型GaN电极接触层上设有n型电极，在p型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层上设有p型电极。
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公开(公告)号：CN100533666C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810070780.1
申请日：2008-03-19
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基外延膜的制备方法，涉及一种氮化镓基外延膜。提供一种提高氮化镓激光剥离的速率，降低氮化镓激光剥离的阈值功率密度的氮化镓基外延膜的制备方法。在蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜，将其P面粘在衬底支撑材料上，或用金属键合在衬底支撑材料上；设定电动平台的行进速度；将外延膜固定在载物玻璃上，放入真空室中抽真空；调整激光束经过光学系统后的聚焦光斑大小，激光束照射到外延膜背面，激光光斑扫描外延膜，使蓝宝石和氮化镓界面的氮化镓发生分解，氮化镓基外延膜与蓝宝石衬底分离；激光扫描蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜结束后，关闭真空泵；将外延膜浸入盐酸，去除氮化镓和蓝宝石表面的镓，使蓝宝石衬底脱落。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101478025A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910110947.7
申请日：2009-01-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 大功率半导体微腔发光二极管，涉及一种发光管。提供一种可提高发光功率的大功率半导体微腔发光二极管。从下至上设有底部分布布拉格反射镜和腔区。分布布拉格反射镜是由两种折射率不同的材料以层厚为四分之一中心波长交替生长形成的。在腔区上可设有顶部分布布拉格反射镜，或顶部金属反射镜。提出一种用较少周期数(两种折射率不同的半导体材料层厚各为四分之一中心波长叠加后厚度为二分之一中心波长定为一个周期)的DBR得到较高反射率的方法，两种折射率不同的半导体材料由于晶格失配和热膨胀系数失配导致构成的DBR表面出现裂痕影响随后腔区晶体质量的可能性减少。
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公开(公告)号：CN101246821A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810070781.6
申请日：2008-03-19
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 镓极性氮化镓缓冲层的生长方法，涉及一种氮化镓缓冲层，尤其是涉及一种采用四步骤生长氮化镓缓冲层的方法。提供一种位错较少的单纯镓极性氮化镓缓冲层的生长方法。在蓝宝石衬底上高温生长第一层氮化镓缓冲层，高温生长的温度为1030～1050℃；在纯H2气氛中保持高温一段时间，使第一层氮化镓缓冲层中氮极性氮化镓完全升华掉；降低温度，在保留下来的镓极性氮化镓及蓝宝石衬底上低温生长第二层氮化镓缓冲层；在纯H2气氛高温退火，得单纯镓极性氮化镓缓冲层。
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公开(公告)号：CN101188256A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710009957.2
申请日：2007-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304
Abstract: 无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种将光信号转换为电信号的铟铝镓氮/氮化镓(InAlGaN/GaN)PIN光电探测器。提供一种无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器。设有蓝宝石(Al2O3)衬底、GaN缓冲层、n－GaN层、i－InAlGaN光敏层、p－InAlN层和p－GaN顶层，从下至上GaN缓冲层、n－GaN层、i－InAlGaN光敏层、p－InAlN层和p－GaN顶层依次设在蓝宝石(Al2O3)衬底上，在p－GaN顶层上设有p电极，在n－GaN层上设有n电极。
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公开(公告)号：CN101183642A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710009955.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种p－GaN低阻欧姆接触的制备方法，涉及一种p型氮化镓(p－GaN)。提供一种p－GaN低阻欧姆接触的制备方法。将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下对衬底热处理，降温对衬底氮化处理；降温生长GaN缓冲层，升温使GaN缓冲层重新结晶；外延生长GaN层；降温生长掺镁GaN层；再降温生长5个周期的p－InGaN/p－AlGaN超晶格层；在5个周期的p－InGaN/p－AlGaN超晶格层上再生长p－InGaN盖层。结果表明采用p－InGaN/p－AlGaN超晶格作顶层可以获得更低的比接触电阻。
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公开(公告)号：CN1250274A
公开(公告)日：2000-04-12
申请号：CN99119121.8
申请日：1999-09-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H04B10/12
Abstract: 涉及一种光纤收发器。执行芯片的COL、Rx、Tx端分别接耦合器,耦合器与AUI接口连接;SQE端接选择开关;工作状态输出端接工作状态显示器,Vin端和TxOUT端分别接PIN接收组件和发射组件。接收与发射组件分别接光纤接口。AUI接口的直流电压接降压稳压电路。使传输速度为10Mbps,不采用晶振和时钟定时器,抗干扰性强,工作稳定,成本低,用于计算机以太网中主机、服务器、中继器、集线器、终端机之间以及终端机之间的光互连。
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