公开(公告)号：CN101552248A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910132909.1

申请日：2009-03-31

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 小六泰辅 ,  若林猛 ,  冈田修 ,  桑原治 ,  盐田纯司 ,  藤井信充

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在硅基板(1)的上表面的除去周边部以外的区域上，设有由低介电常数膜(4)和布线(5)的层叠构造构成的低介电常数膜布线层叠构造部(3)。通过密封膜(15)覆盖低介电常数膜布线层叠构造部(3)的周侧面。由此，成为低介电常数膜(4)不易剥离的构造。这时，在硅基板(1)的下表面，为了保护该下表面不发生裂缝等，设有下层保护膜(18)。

公开(公告)号：CN1160769C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN00100754.8

申请日：2000-02-03

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 三原一郎 ,  桑原治

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/10253 ,  Y10S438/942 ,  Y10S438/945 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种封装具有凸电极的半导体器件的方法，利用印刷掩模和刮板，在硅衬底上形成树脂密封膜。刮板端梢部分的侧面基本上为V形，通过将刮板的端梢部分推到相邻凸电极间的间隙中进行印刷。结果，密封膜形成为在相邻凸电极间凹下，从而有助于凸电极的摆动运动。由此可知，在硅衬底安装到电路基片上后进行的温度循环试验中，凸电极可以吸收硅衬底和电路基片间热膨胀系数差造成的应力。

公开(公告)号：CN1264173A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN00100755.6

申请日：2000-02-03

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 桑原治 ,  若林猛 ,  三原一郎

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置,包括:一半导体基片;在该半导体基片上形成的多个凸缘电极;及在相邻的凸缘电极之间的所述的半导体基片上形成的一密封膜,所述密封膜的一预定特性在其厚度方向上不同以使接近于该半导体基片的一部分中的该密封膜的特性比远离于该半导体基片的一部分中的该密封膜的特性更接近于该半导体基片的特性。

公开(公告)号：CN101752274A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910225179.X

申请日：2009-12-09

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 小六泰辅 ,  冈田修 ,  桑原治 ,  盐田纯司 ,  藤井信充

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。首先，在与切割道及其两侧相对应的部分的半导体晶片以及密封膜等上形成槽。在该状态下，由于槽的形成，半导体晶片被分离为各个硅基板。接着，在包括槽内的各硅基板(1)的底面上形成树脂保护膜。此时，半导体晶片被分离为各个硅基板，但在柱状电极以及密封膜的上面上经由粘接层粘贴有支承板，因此在树脂保护膜的形成时，能够使包括被分离各个的硅基板的整体难以弯曲。

公开(公告)号：CN1214452C

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN00124774.3

申请日：2000-09-14

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 桑原治

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过网板印刷法形成密封膜。通过配置在印刷台内的一平面加热器，印刷台的温度被设置在约30至50℃。具有约500,000至1,500,000cPS的相对高的粘滞性的液体密封树脂被用于形成密封膜。然而，该液体密封膜通过印刷台被加热到约30至50℃。结果液体密封树脂的粘滞性被降低到约50,000至200,000cPS。在固化后，密封膜的粘滞性恢复到约500,000至1,500，000cPS的原始值。

公开(公告)号：CN1288258A

公开(公告)日：2001-03-21

申请号：CN00124774.3

申请日：2000-09-14

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 桑原治

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过网板印刷法形成密封膜。通过配置在印刷台内的一平面加热器,印刷台的温度被设置在约30至50℃。具有约500,000至1,500,000cPS的相对高的粘滞性的液体密封树脂被用于形成密封膜。然而,该液体密封膜通过印刷台被加热到约30至50℃。结果液体密封树脂的粘滞性被降低到约50,000至200,000cPS。在固化后,密封膜的粘滞性恢复到约500,000至1,500,000cPS的原始值。

公开(公告)号：CN101752272A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910225177.0

申请日：2009-12-09

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 小六泰辅 ,  冈田修 ,  桑原治 ,  盐田纯司 ,  藤井信充

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/525 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及通过树脂保护膜将半导体衬底的底面及侧面覆盖的半导体器件的制造方法。首先，在与划片道及其两侧相对应的部分的半导体晶片及密封膜等中形成槽。在该状态下，通过槽的形成，半导体晶片被分离成各个硅衬底。接着，在包含槽内的各硅衬底(1)的底面形成树脂保护膜。此时，半导体晶片被分离成各个硅衬底，但因为在柱状电极及密封膜的上表面间隔着粘接层等粘贴支撑板，所以可以在形成树脂保护膜时，使包含被各个分离的硅衬底的整体难以翘曲。

公开(公告)号：CN1953167A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610162516.1

申请日：2004-05-26

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 胁坂伸治 ,  伊藤智宏 ,  横山茂 ,  桑原治

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54466 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体元件，在柱电极形成后，能可靠地识别调整标记，并高效率地进行调整，其具有：半导体衬底，具有多个半导体元件形成区域及至少一个调整标记形成区域；多个连接焊盘；绝缘膜；多个柱电极；及用于进行暂时调整的暂时调整用柱电极和用于进行正式调整的正式调整用柱电极，形成在各调整标记形成区域内的绝缘膜的上侧，而且个数少于在各半导体元件形成区域内形成的柱电极，正式调整用柱电极的平面尺寸小于暂时调整用柱电极；密封膜，由有机树脂形成，且形成在各个半导体元件形成区域内的柱电极之间、并在各调整标记形成区域内的调整用柱电极的外部；其中，各调整用柱电极的上表面被露出到外部，而且与密封膜的上表面成齐平面。

公开(公告)号：CN1246900C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN00100755.6

申请日：2000-02-03

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 桑原治 ,  若林猛 ,  三原一郎

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置，包括：一半导体基片；在该半导体基片上形成的多个凸缘电极；及在相邻的凸缘电极之间的所述的半导体基片上形成的一密封膜，所述密封膜的一预定特性在其厚度方向上不同以使接近于该半导体基片的一部分中的该密封膜的特性比远离于该半导体基片的一部分中的该密封膜的特性更接近于该半导体基片的特性。

公开(公告)号：CN1264168A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN00100754.8

申请日：2000-02-03

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 三原一郎 ,  桑原治

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/10253 ,  Y10S438/942 ,  Y10S438/945 ,  H01L2924/00

Abstract: 利用印刷掩模和刮板,在硅衬底上形成树脂密封膜。刮板端梢部分的侧面基本上为V形,通过将刮板的端梢部分推到相邻凸电极间的间隙中进行印刷。结果,密封膜形成为在相邻凸电极间凹下,从而有助于凸电极的摆动运动。由此可知,在硅衬底安装到电路基片上后进行的温度循环试验中,凸电极可以吸收硅衬底和电路基片间热膨胀系数差造成的应力。