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公开(公告)号：CN119233653B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411748895.7
申请日：2024-12-02
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种二维有机/无机异质结光电神经元器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本申请先通过机械剥离的方法将TMDC材料MoS2转移至衬底上，再通过电子束光刻法在MoS2层上镀覆薄膜电极，最后利用倒扣法在MoS2层上外延生长单层Me‑PTCDI晶体形成异质结。MoS2/Me‑PTCDI异质结的形成使得光电神经元器件具有出色的光敏性、光适应性，能模拟视网膜本质光敏神经节细胞在不同光照下的反应；该器件能够在光脉冲刺激下做出电流改变，从而模仿人体褪黑素的产生与作用，并且能在栅压调控下做到明亮和黑暗环境下的视觉自适应，相应特性使得此器件在自动驾驶领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119816079B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510295715.2
申请日：2025-03-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种具有SHG响应的二维有机/无机异质结光电器件及其制备，属于非线性光学器件技术领域。制备时，先通过机械剥离法将二维无机材料对撕到衬底上，得二维无机材料/衬底结构；再通过外延生长法诱导有机分子在二维无机材料表面有序排列，形成有机/无机异质结。本申请通过调控有机分子的覆盖度和二维无机材料的厚度优化异质结界面处的电荷转移，从而增强材料的SHG响应，所制Me‑PTCDI/GaSe异质结的SHG响应强度优于单一组分，其光谱响应可以从原本的可见光范围拓展到近红外波段，SHG转换效率甚至高达0.26%，在非线性光学器件中具有重要应用潜力。
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公开(公告)号：CN119233653A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411748895.7
申请日：2024-12-02
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种二维有机/无机异质结光电神经元器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本申请先通过机械剥离的方法将TMDC材料MoS2转移至衬底上，再通过电子束光刻法在MoS2层上镀覆薄膜电极，最后利用倒扣法在MoS2层上外延生长单层Me‑PTCDI晶体形成异质结。MoS2/Me‑PTCDI异质结的形成使得光电神经元器件具有出色的光敏性、光适应性，能模拟视网膜本质光敏神经节细胞在不同光照下的反应；该器件能够在光脉冲刺激下做出电流改变，从而模仿人体褪黑素的产生与作用，并且能在栅压调控下做到明亮和黑暗环境下的视觉自适应，相应特性使得此器件在自动驾驶领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119816079A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510295715.2
申请日：2025-03-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种具有SHG响应的二维有机/无机异质结光电器件及其制备，属于非线性光学器件技术领域。制备时，先通过机械剥离法将二维无机材料对撕到衬底上，得二维无机材料/衬底结构；再通过外延生长法诱导有机分子在二维无机材料表面有序排列，形成有机/无机异质结。本申请通过调控有机分子的覆盖度和二维无机材料的厚度优化异质结界面处的电荷转移，从而增强材料的SHG响应，所制Me‑PTCDI/GaSe异质结的SHG响应强度优于单一组分，其光谱响应可以从原本的可见光范围拓展到近红外波段，SHG转换效率甚至高达0.26%，在非线性光学器件中具有重要应用潜力。
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