一种分子介导与调控离子迁移的忆阻器及制备方法与应用

    公开(公告)号:CN116406168A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310406711.8

    申请日:2023-04-17

    Abstract: 本发明公开了一种分子介导与调控离子迁移的忆阻器及制备方法与应用,忆阻器为垂直三明治结构,自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极;其中,有机功能层包括由聚(9‑乙烯基咔唑)与7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷构成的不同分子域分布的有机体异质结功能层。本发明所制得的忆阻器具有低操作电压和功率,稳定的读写循环与稳定的维持能力等优良忆阻性能。本发明的忆阻器的制备方法通过改变掺杂溶剂极性来调节7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷的分子域分布,从而控制形成的导电丝尺寸来调节存储行为,实现多阶存储与阈值切换行为,并实现人工突触与神经元动态电位发放功能模拟。

    一种基于CS-DCSK的去参考调制解调器及调制解调方法

    公开(公告)号:CN116192581A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202211088899.8

    申请日:2022-09-07

    Abstract: 本发明公开了一种基于CS‑DCSK的去参考调制解调器及调制解调方法,所述调制解调器包括调制器和解调器,通过调制解调器实现去参考的调制解调方法,所述调制解调方法包括:在发送端针对各个待发送数据信息分别所对应的各个数据比特,依次经过二进制到十进制转换器、极性转换器、索引选择器、Walsh码矩阵寄存器、调制乘法器、调制加法器后发送至解调器,解调器在接收端,依次利用解调乘法器、平均器、相关乘法器、能量检测器、十进制到二进制转换器、门限判决器恢复待发送数据信息中的各个数据比特。通过本发明的技术方案,通过去除码移差分混沌移位键控系统中发送参考信号的步骤来提高系统的能量效率和比特误码性能。

    一种本征可拉伸双网络离子凝胶电解质及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN113644313B

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202110695524.7

    申请日:2021-06-23

    Abstract: 本发明公开了一种本征可拉伸双网络离子凝胶电解质及其制备方法与应用。所述电解质具有互相穿插的无机和有机双网络的结构,其无机网络的组分为无机氧化物或无机烷氧基化合物与无机氧化物的混合物,有机网络的组分为丙烯酸酯聚合物或两性离子聚合物。具体制备方法如下:非水解溶胶‑凝胶反应制备无机网络,光引发自由基聚合制备有机网络。本发明电解质具有离子电导率高、力学性能优异、应用温度范围广等优势,可适用于拉伸、弯折等特殊应用场景,应用于锂电池可有效防止电解质被拉断或被锂枝晶刺破造成的短路,提升储能器件的安全性,简单可行的制备方法亦可有效降低工艺成本,在柔性可拉伸储能器件领域有重要的应用价值。

    一种太阳能电池组件等效电路参数的提取和估算方法

    公开(公告)号:CN114491389A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210037734.1

    申请日:2022-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池组件等效电路参数的提取和估算方法,涉及光伏发电技术领域;首先,针对太阳能电池组件的电流‑电压标准测试曲线,利用线性代数矩阵运算和最小二乘法提取太阳能电池组件等效电路参数的标准值,包括太阳能电池组件在标准测试条件下的光生电流、并联电阻、串联电阻、理想因子,反向饱和电流。其次,根据太阳能电池组件标注的短路电流温度系数和开路电压温度系数,估算在任意光照和温度条件下的等效电路参数。本发明能够实现太阳电池等效电路参数的自动化提取,无需人为干预,根据等效电路参数拟合的电流值与实际测量值的误差在10‑2A量级,适用于有高精度、自动化及快速检测需求的应用场合。

    一种基于多阻态忆阻器的电流型神经网络

    公开(公告)号:CN110443356B

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN201910726323.1

    申请日:2019-08-07

    Abstract: 本发明针对以忆阻器作为神经网络核心器件的的特殊要求,提出一种由类脑器件忆阻器结合传统器件搭建电流型神经元电路的方法,能够模拟实现前向的神经网络运算,采用由忆阻器件和MOS管为核心的1T1R权重模式,极大地减少了神经网络运算中所耗费的片上资源,结合其他类的电子器件诸如MOS管、低功耗运放、轨到轨运放技术、以及数字、模拟电路方面的原理和仿生学原理,解决了1T1R作为神经网络中核心器件所设计的信号输入、权值网络、电流等效加法器求和以及激活层面的的设计问题,实现正负信号的处理和神经网络层之间的传递,并搭建了相对应的突触权值矩阵模型和多层神经元网络电路。

    忆阻器3D阵列架构及其制备方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114068615A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111324977.5

    申请日:2021-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种忆阻器3D阵列架构及其制备方法,属于忆阻器阵列架构技术领域。忆阻器3D阵列架构包括电极和阻变单元,电极包括顶电极和底电极,顶电极所在的水平面置于底电极所在的水平面的上方,阻变单元的一端与顶电极连接、另一端与底电极连接,第n个阵列与第n‑1个阵列在竖直方向上错位连接,同时,第n个阵列所在的水平面置于第n‑1个阵列所在的水平面的上方或下方,第n个阵列与第n‑1个阵列通过同一电极连接,其中n为不小于2的整数。本发明提出的忆阻器3D阵列架构,通过将忆阻器阵列展开成平面形式,以定点测试单个忆阻器;同时,新的结构有良好的散热效果,可以进行长时间、海量的多比特数据的交换。

    一种基于忆阻器芯片的可编程电路最小单元及其操作方法

    公开(公告)号:CN110473580B

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN201910771732.3

    申请日:2019-08-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器芯片的可编程电路最小单元及其操作方法,可编程电路最小单元包括:阻变元件、MOS管、和地址寄存器;对最小单元中的相同功能区域的部分进行统一划分,并用使能端wl通过连接珊极进行统一控制,不同的功能区域忆阻器和MOS(1T1R),可以设置多个对应的{wl}进行使能控制打开;通过设置时钟周期clk和ctrol_information,以及Vs、Vd、wl的工作特点,实现了忆阻芯片中的忆阻器的定向编程、和格式化操作,有效提高忆阻器电路和芯片中忆阻器编码的可控性和效率。

    一种基于二维过渡金属材料的忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111900250A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010720981.2

    申请日:2020-07-24

    Abstract: 本发明揭示了一种基于二维过渡金属材料的忆阻器及其制备方法,忆阻器的结构包括由下至上按序依次层叠设置的硅衬底、底电极层以及顶电极层,在所述底电极层与所述顶电极层二者之间设置有阻变层且二者通过所述阻变层实现分隔;所述阻变层的材质为碳化钒。本发明丰富了二维过渡金属材料忆阻器的种类,对类脑器件模拟神经元以及神经突触的相关研究起到了很大的推动作用。

    中文在线音视频的字幕生成方法

    公开(公告)号:CN109257547A

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201811107225.1

    申请日:2018-09-21

    Inventor: 薛景 陈康扬 王宇

    Abstract: 本发明揭示了一种中文在线音视频的字幕生成方法,包括如下步骤:S1、音频数据提取步骤,服务器接收音视频文件、提取音频数据并转化为标准格式;S2、降噪步骤,对音频数据进行降噪处理,得到音频文件;S3、数据切分步骤,对音频文件进行端点切分,得到音频样本;S4、片段识别步骤,对所得到的音频样本进行进一步切分,得到语音片段,再对语音片段进行识别,整理得到全部音频数据的识别结果;S5、字幕生成步骤,整合分析出文本及对应的时间轴,得到字幕文件,按照生成的字幕文件将字幕与音频数据进行匹配。本发明的方法可以自动完成音视频信息的语音识别和字幕生成工作,有效地弥补了传统的人工速记在字幕生成工作中转换效率上的不足。

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