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公开(公告)号：CN116471850A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310357670.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于体异质结的光突触器件及其制备方法与应用，属于信息技术与人工智能技术领域，包括由下至上依次连接的基底、底电极、功能层和顶电极，所述功能层为体异质结，所述体异质结包括聚[2‑甲氧基‑5‑(2‑乙基己氧基)‑1,4‑苯乙炔]和[6,6]‑苯基C61丁酸甲酯，所述体异质结采用混合溶液旋涂法制备而成，所述体异质结的厚度为70‑90nm；本发明能够实现光突触器件利用光信号进行光学习记忆行为模拟，这将进一步拓展在光作用下的神经形态网络、生物仿真和人工智能领域的应用。
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公开(公告)号：CN116761438A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310780374.9
申请日：2023-06-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于有机电子与信息技术领域，具体涉及一种多功能有机场效应晶体管、制备方法及应用。多功能有机场效应晶体管，包括，栅极层；位于栅极层表面的栅绝缘层；位于栅绝缘层表面的共混层；共混层由聚[2,6′]‑4,8‑二(5‑乙基己基噻吩)苯并[1,2‑b；3,3‑b]二噻吩]{3‑氟‑2[(2‑乙基己基)羰基]噻吩[3,4‑b]噻吩二基}、6,13‑双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯的混合溶液在所述栅绝缘层表面一步涂覆、干燥后制成；位于共混层表面的源电极和漏电极。本发明提供的多功能有机场效应晶体管能够同时实现存储器和光电突触晶体管功能，在构建类脑计算系统具有巨大的应用潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116867289A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310898432.8
申请日：2023-07-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚苯乙烯的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于有机电子与信息技术领域。所述的存储器结构自下而上依次为源漏电极，半导体层，电荷存储层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极。本发明通过真空沉积的方式，在硅片与聚苯乙烯（PS）薄膜中间引入一层3,4,9,10‑苝四甲酸二酐（PTCDA）薄膜。3,4,9,10‑苝四甲酸二酐薄膜具有疏水属性，改善了聚苯乙烯薄膜形貌，提高了离子注入效率，器件的开启电压降低，迁移率、开关比均有提升。本发明所描述的晶体管存储器电荷存储层采用旋涂溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点，实现了其存储容量，迁移率和开关比的提升。且价格低廉节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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公开(公告)号：CN116406168A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310406711.8
申请日：2023-04-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种分子介导与调控离子迁移的忆阻器及制备方法与应用，忆阻器为垂直三明治结构，自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极；其中，有机功能层包括由聚(9‑乙烯基咔唑)与7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷构成的不同分子域分布的有机体异质结功能层。本发明所制得的忆阻器具有低操作电压和功率，稳定的读写循环与稳定的维持能力等优良忆阻性能。本发明的忆阻器的制备方法通过改变掺杂溶剂极性来调节7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷的分子域分布，从而控制形成的导电丝尺寸来调节存储行为，实现多阶存储与阈值切换行为，并实现人工突触与神经元动态电位发放功能模拟。
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公开(公告)号：CN116709790A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310781543.0
申请日：2023-06-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于有机电子与信息技术领域，具体涉及一种有机场效应晶体管、制备方法及应用。有机场效应晶体管，包括栅极层；位于栅极层表面的栅绝缘层；位于栅绝缘层表面的功能层；功能层为聚苯乙烯和聚[2,6′]‑4,8‑二(5‑乙基己基噻吩)苯并[1,2‑b；3,3‑b]二噻吩]{3‑氟‑2[(2‑乙基己基)羰基]噻吩[3,4‑b]噻吩二基}的共混膜；位于功能层表面的有机半导体层；位于有机半导体层表面的源电极和漏电极。本发明提供的有机场效应晶体管能够同时实现存储器和光电突触晶体管功能，在构建类脑计算系统中中具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116471848A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310434614.X
申请日：2023-04-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器，包括自上而下依次设置的源漏电极层，有机半导体层，电荷俘获储层，界面修饰层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极层，界面修饰层修饰在栅绝缘层表面，栅绝缘层位于栅电极层上面。本发明还公开一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器制备方法。本发明提供的一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器及其制备方法，能够提高器件载流子迁移率，以及提高改善读写擦和维持方面开关比。
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公开(公告)号：CN116234425A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310257896.0
申请日：2023-03-16
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种具有线性连续电导变化的异质结忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、上层活性层、下层活性层、底电极和基底，上层活性层由有机聚合物材料聚(3‑己基噻吩‑2,5‑二基)组成，下层活性层由非金属单质碳60组成。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，然后在真空蒸镀系统中蒸镀下层活性层碳60，在下层活性层上旋涂聚(3‑己基噻吩‑2,5‑二基)上层活性层，最后在真空蒸镀系统中蒸镀顶电极。本发明的异质结结构忆阻器在回扫电压和脉冲电压刺激下，具有多阻态特性，同时在特定脉冲电压下能够保持线性电导增长趋势。
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