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公开(公告)号:CN113845099B
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202110733925.7
申请日:2021-06-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京亿浦先进材料研究院有限公司
IPC: C01B25/14 , C23C14/06 , C23C14/32 , H01M4/58 , H01M10/054
Abstract: 一种弧光放电技术用于制备CoSP钠电负极材料的方法,制备出CoSP的方法是先通过水热法制备出氢氧化钴前驱体,然后分别先后对硫单质和磷单质进行弧光放电处理,处理后的正离子通过磁过滤进行筛选,最后结合化学气相沉积将其沉积到靶材上便可以得到硫、磷双掺杂的CoSP空心球材料,将其应用到钠离子电池中可以实现较为优异的电化学性能。在0.1 A g‑1电流密度下,在循环100圈后,其比容量仍可高达633 mAh g‑1,2 A g‑1的电流密度下,经过400圈循环后,其比容量高达456 mAh g‑1,体现其较好的循环稳定性。
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公开(公告)号:CN117845168A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202311830230.6
申请日:2023-12-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本申请公开了一种磁控溅射制备锂镧锆钽氧固态电解质薄膜的方法,属于锂离子薄膜电池技术领域,制备方法为将基片材料放入真空腔室内的基片台上,安装锂镧锆钽氧靶材,向腔室内通入的氩气和氧气,调节真空系统的真空度,开启磁控溅射靶源,在基片表面沉积锂镧锆钽氧LLZTO薄膜,退火处理,制得锂镧锆钽氧固态电解质薄膜。本发明采用磁控溅射法制备的锂镧锆钽氧固态电解质薄膜结构致密均匀、稳定性高,其离子电导率可达1.2×10‑5s/cm,电化学窗口可达5V。本发明制备工艺简单,可重复性强,具有薄膜沉积面积大、效率高、绿色无污染的特点,有利于工业化推广应用。
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公开(公告)号:CN113564524B
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN202110792701.3
申请日:2021-07-13
Applicant: 南京邮电大学 , 南京亿浦先进材料研究院有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种制备碳包覆三维多孔铜集流体的方法,以粉末烧结法制备三维多孔铜骨架,再通过弧光放电等离子体物理气相沉积法在其表面镀一层均匀的碳膜,得到碳包覆三维多孔铜(C@3D Cu)集流体。本发明以粉末烧结法制备三维多孔铜骨架,再通过弧光放电等离子体物理气相沉积法在其表面镀一层均匀的碳膜,得到碳包覆三维多孔铜(C@3D Cu)集流体。这种碳包覆三维多孔铜的复合结构改善了材料的机械强度并有效提高电池的容量的保持率、寿命及循环稳定性。该方法原理简单,成本较低,可实现大规模的生产。
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公开(公告)号:CN113564524A
公开(公告)日:2021-10-29
申请号:CN202110792701.3
申请日:2021-07-13
Applicant: 南京邮电大学 , 南京亿浦先进材料研究院有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种制备碳包覆三维多孔铜集流体的方法,以粉末烧结法制备三维多孔铜骨架,再通过弧光放电等离子体物理气相沉积法在其表面镀一层均匀的碳膜,得到碳包覆三维多孔铜(C@3D Cu)集流体。本发明以粉末烧结法制备三维多孔铜骨架,再通过弧光放电等离子体物理气相沉积法在其表面镀一层均匀的碳膜,得到碳包覆三维多孔铜(C@3D Cu)集流体。这种碳包覆三维多孔铜的复合结构改善了材料的机械强度并有效提高电池的容量的保持率、寿命及循环稳定性。该方法原理简单,成本较低,可实现大规模的生产。
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公开(公告)号:CN113529047A
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202110792571.3
申请日:2021-07-13
Applicant: 南京邮电大学 , 南京亿浦先进材料研究院有限公司
IPC: C23C16/26 , C23C16/50 , C23C16/44 , H01M4/66 , H01M10/0525
Abstract: 本发明揭示了一种MXene/C复合材料的制备方法,该方法包括以下步骤:S1:制备MXene片层;S2:用多元一体化镀碳装置对MXene片层进行镀碳,得到MXene/C复合材料。在所述S2步骤中,以MXene材料为基底,碳弧源进行沉积,制得MXene/C复合材料。本发明提供的多元一体化共沉积技术结合了磁过滤筛选技术、弧光放电技术和等离子体技术,制备的MXene/C复合材料厚度可调、简单方便、可大规模生产,适合应用于锂离子电池集流体等领域。
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公开(公告)号:CN113517374A
公开(公告)日:2021-10-19
申请号:CN202110737254.1
申请日:2021-06-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京亿浦先进材料研究院有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0336 , C23C14/08 , C23C14/32 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌包覆氧化铜纳米线的异质结阵列的制备方法,本发明在液相法生长的氧化铜纳米线的基础上,将其作为反应衬底,采用弧光放电等离子体技术将氧化锌颗粒均匀沉积在氧化铜纳米线表面,形成均匀稳定的氧化锌修饰的氧化铜纳米线异质结阵列结构。本发明的好处在于利用新型气相沉积技术可在氧化铜纳米线表面一步沉积氧化锌颗粒,且氧化锌涂层与氧化铜纳米线表面具有强的结合力,且可大规模制备。
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公开(公告)号:CN113421935A
公开(公告)日:2021-09-21
申请号:CN202110684755.8
申请日:2021-06-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/0224 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种硫化铜/氧化锌异质结柔性透明自驱动紫外光电探测器,包括柔性透明衬底、硫化铜/氧化锌异质结活性层和电极层。将铜纳米线进行硫化处理,得到p型硫化铜层包裹的铜纳米线;在p型硫化铜层表面生长n型氧化锌纳米线层后制得硫化铜/氧化锌p‑n异质结纳米线;将硫化铜/氧化锌p‑n异质结纳米线喷涂于柔性透明衬底上,制得硫化铜/氧化锌p‑n异质结薄膜活性层;在硫化铜/氧化锌p‑n异质结薄膜活性层上沉积叉指结构透明电极,获得柔性透明自驱动紫外光电探测器。该紫外光电探测器的响应时间小于20 ms,透光度在80%以上,在不施加额外电压条件下显示出良好的紫外传感性能。
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公开(公告)号:CN113224186A
公开(公告)日:2021-08-06
申请号:CN202110509278.1
申请日:2021-05-10
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/109 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明揭示了一种基于石墨烯/氧化锌异质结的柔性自驱动纤维紫外光电探测器,包括第一柔性纤维衬底、p型石墨烯纳米片薄膜层、n型氧化锌纳米线阵列层、导电纤维电极、第二柔性纤维衬底和纤维状透明导电薄膜,第一柔性纤维衬底表面包覆有p型石墨烯纳米片薄膜层,在p型石墨烯纳米片薄膜层表面生长有n型氧化锌纳米线阵列层和纤维状电极,p型石墨烯纳米片薄膜层和n型氧化锌纳米线阵列层组成p‑n纳米异质结活性层,在p‑n纳米异质结活性层上连接导电纤维电极或沉积纤维状透明导电薄膜,得到柔性自驱动纤维紫外光电探测器。该紫外光电探测器采用石墨烯纳米片薄膜和氧化锌纳米线阵列构筑异质结,具有紫外光吸收效率高和柔韧性优异的特点。
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公开(公告)号:CN108267488B
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:CN201711390657.3
申请日:2017-12-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铜/氧化锌异质结构的透明气体传感器及其制备方法,所述传感器包括ITO玻璃衬底、沉积在衬底上的氧化铜/氧化锌异质结构层和顶电极层。本发明所述基于氧化铜/氧化锌异质结构的透明气体传感器能够利用氧化铜和氧化锌的协同作用,从而增加纳米材料的孔隙率和比表面积,还能在异质结构的界面处显示出电子结性能;氧化铜与还原性气体如硫化氢可以反应生成中间产物充当传感器的电子门,从而大大提高传感器的效率与灵敏性。
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公开(公告)号:CN108274018A
公开(公告)日:2018-07-13
申请号:CN201711390658.8
申请日:2017-12-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种以铜纳米线为模板制备银纳米管的方法,所述方法以铜纳米线为模板,以硝酸银为银源进行化学镀银,退火过程后采用蚀刻液去除铜纳米线,即可制得银纳米管。本发明所述方法以铜纳米线为模板,以硝酸银为镀液的银源,经退火和蚀刻液洗涤去除模板等过程制得以纳米管,整个过程能耗少,且操作简便,适合大规模生产。
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