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公开(公告)号：CN120018679A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510488426.4
申请日：2025-04-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于噻吩有机聚合物的神经形态忆阻器及其制备方法，属于有机二极管忆阻器件制备领域。所述神经形态忆阻器由上至下包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由噻吩有机聚合物聚3‑十二烷基噻吩PQT‑12制备。本发明利用PQT‑12作为关键材料，模拟生物突触的可塑性，实现了高效的信息存储与处理，PQT‑12作为有机活性层，具备优异的电荷保持能力和低功耗特性。本发明制备的忆阻器在开关速度、稳定性和可扩展性方面表现出优异性能，具有广泛的应用前景，尤其在神经形态计算、低功耗存储器件以及人工智能系统等领域。
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公开(公告)号：CN114512609B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202210037716.3
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超低操作电压的有机忆阻器及其制备方法，该忆阻器为垂直三明治结构，自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极；其中，所述有机功能层是将有机功能层溶液旋涂于底部电极上制备形成的纳米薄膜，所述有机功能层溶液为叶绿素铜钠溶于超纯水形成，所述叶绿素铜钠的结构式如式(Ⅰ)所示。本发明使用中小型分子‑叶绿素铜钠(有机盐)，通过控制旋涂工艺参数，解决基于叶绿素铜钠旋涂过程易析晶问题，成功在水溶剂下旋涂制备出与蒸镀方式相媲美的均一光滑薄膜，并制备了基于ITO/叶绿素铜钠/Ag的垂直三明治结构器件，最终实现超低操作电压，高开关比，高的保持特性，读写擦循环＞6000次。
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公开(公告)号：CN115241376A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210862520.8
申请日：2022-07-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种极耐湿度的稳定型忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由有机小分子材料全氟酞菁铜制备。本发明的忆阻器表现出优异的湿度稳定性，在60%相对湿度的空气中暴露1年后仍能保持良好的忆阻特性，在90%相对湿度的恒温恒湿箱中放置45天依旧具有性能，最重要的是将器件浸泡在水中96小时后仍能正常工作，除浸泡在水中之外，发现将其浸泡在氨水中48小时后仍具有性能，证明本发明可抵抗比水更恶劣的环境。本发明可用于构建耐高湿度神经形态系统的人工突触器件，弥补了目前忆阻器件无法在水中正常工作的空白。
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公开(公告)号：CN112259683B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010964464.X
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种自组装双极性有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷俘获层，电荷俘获层为十八烷基三氯硅烷与具有高介电常数的聚合物通过自组装而形成的纳米柱状薄膜；制备方法通过两种聚合物溶液组合自组装，构造出纳米柱的结构，从而实现电荷空穴载流子的传输以达到的双极性信息存储。同时，混合两种聚合物的自组装降低了制备超平滑OTS层的难度，对比于超平滑OTS薄膜晶体管存储器，混合自组装的晶体管存储器表现出明显的电荷稳定，在保证的各项晶体管性能参数的前提下，实现了较好的存储性能以及器件的维持性能。
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公开(公告)号：CN112259684B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010964466.9
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米阵列与隧道结构共存有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷存储层，电荷存储层为具有高介电常数的聚合物溶液通过旋涂调控而得到的纳米薄膜，纳米薄膜表面为纳米阵列与隧道结构共存的的结构，电荷存储层的厚度为10~30nm；制备方法采用旋涂溶液加工法制备。本发明通过简单的调节旋涂转速便可调控纳米整列与隧道结构的薄膜形貌，实现了大存储容量，高迁移率和开关比，存储器件具有电子和空穴双重俘获能力并具有较大的存储窗口和优异的光电协同效应，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112259684A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010964466.9
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米阵列与隧道结构共存有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷存储层，电荷存储层为具有高介电常数的聚合物溶液通过旋涂调控而得到的纳米薄膜，纳米薄膜表面为纳米阵列与隧道结构共存的的结构，电荷存储层的厚度为10~30nm；制备方法采用旋涂溶液加工法制备。本发明通过简单的调节旋涂转速便可调控纳米整列与隧道结构的薄膜形貌，实现了大存储容量，高迁移率和开关比，存储器件具有电子和空穴双重俘获能力并具有较大的存储窗口和优异的光电协同效应，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
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公开(公告)号：CN112259683A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010964464.X
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种自组装双极性有机场效应晶体管存储器及其制备方法，存储器由上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、栅绝缘层和衬底，有机半导体层和栅绝缘层之间设有电荷俘获层，电荷俘获层为十八烷基三氯硅烷与具有高介电常数的聚合物通过自组装而形成的纳米柱状薄膜；制备方法通过两种聚合物溶液组合自组装，构造出纳米柱的结构，从而实现电荷空穴载流子的传输以达到的双极性信息存储。同时，混合两种聚合物的自组装降低了制备超平滑OTS层的难度，对比于超平滑OTS薄膜晶体管存储器，混合自组装的晶体管存储器表现出明显的电荷稳定，在保证的各项晶体管性能参数的前提下，实现了较好的存储性能以及器件的维持性能。
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公开(公告)号：CN117119877A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310874733.7
申请日：2023-07-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高生物兼容性的有机多糖材料忆阻器及其制备方法。该忆阻器结构由下而上依次包括基底、底电极、功能层和顶电极四个部分。以木聚糖为有机层材料，并以超纯水作为其溶剂旋涂得到均一光滑薄膜，制得的忆阻器具有低操作电压，高开关比，高的保持特性>1*104s以及稳定性的优势，本发明的结构设计简单、工艺便于操作、制备简便而且产率高，具有普适性，为提高与生物具有良好相容性的阻变存储器的综合性能开拓了一条有效的路径。
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公开(公告)号：CN116456728A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310343274.X
申请日：2023-03-31
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种超宽温度有机聚合物忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由有机聚合物聚[2‑甲氧基‑5‑(3′,7′‑二甲基辛氧基)‑1,4‑亚苯基亚乙烯基](MDMO‑PPV)组成。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，有机活性层采用溶液旋涂法制备而成，最后在真空蒸镀系统中蒸镀顶电极。本发明的忆阻器件表现出优异的温度稳定性，在无封装的情况下，从低温‑196℃到高温300℃的超宽温度范围下仍保持忆阻性能，其阻值变化可以用来有效地模拟生物突触功能。
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公开(公告)号：CN114512609A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210037716.3
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超低操作电压的有机忆阻器及其制备方法，该忆阻器为垂直三明治结构，自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极；其中，所述有机功能层是将有机功能层溶液旋涂于底部电极上制备形成的纳米薄膜，所述有机功能层溶液为叶绿素铜钠溶于超纯水形成，所述叶绿素铜钠的结构式如式(Ⅰ)所示。本发明使用中小型分子‑叶绿素铜钠(有机盐)，通过控制旋涂工艺参数，解决基于叶绿素铜钠旋涂过程易析晶问题，成功在水溶剂下旋涂制备出与蒸镀方式相媲美的均一光滑薄膜，并制备了基于ITO/叶绿素铜钠/Ag的垂直三明治结构器件，最终实现超低操作电压，高开关比，高的保持特性，读写擦循环＞6000次。
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