一种温度频率稳定度测试方法和系统

    公开(公告)号:CN117665441A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311586696.6

    申请日:2023-11-24

    Abstract: 本申请公开了一种温度频率稳定度测试方法,包括以下步骤:多个晶体振荡器同时晶振上电模块固定在高低温箱中,在设定的温度条件下,控制保温时间,通过电脑控制多路选择开关轮流对各个晶体振荡器输出信号进行采样,在采样时长内获得晶体振荡器输出信号周期的计数值;根据获得的采样数据,计算任一晶体振荡器在所述设定的温度条件下的频率值。本申请还包含使用所述方法进行温度频率稳定度测试的系统。本申请解决单独测试晶振效率低、误差大的问题。

    一种基于双桥结构MEMS振荡器驯服与保持系统和方法

    公开(公告)号:CN119966348A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202411966059.6

    申请日:2024-12-30

    Abstract: 本发明公开一种基于双桥结构MEMS振荡器驯服与保持系统和方法,包括:GNSS接收机和双桥结构MEMS振荡器,所述GNSS接收机和双桥结构MEMS振荡器输出端连接至高精度相位测量模块,所述高精度相位测量模块的输出端连接至MCU,所述MCU的输出端连接至DAC转化模块,所述DAC转化模块的输出端连接至双桥结构MEMS振荡器,所述双桥结构MEMS振荡器通过锁相分频模块输出信号到所述高精度相位测量模块,所述MCU上连接有温度采集模块,还包括供电模块给所述系统供电;其中所述MCU包括EEPROM芯片,所述EEPROM芯片中存贮有温度补偿与老化时间补偿模型拟合数据。有效地提高了MEMS振荡器的频率准确度和长期频率稳定度。

    一种MEMS振荡器和制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117639667A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311560652.6

    申请日:2023-11-21

    Abstract: 本申请公开了一种MEMS振荡器,用半导体和金属层结构制成,包括中央振子、外环振子和支撑结构。在层平面上,中央振子为圆形,多个外环振子沿中央振子外围圆周排列;多个外环振子内侧与中央振子外侧之间构成环状间隙,且每个外环振子内侧中部与中央振子外侧连通;所述支撑结构为完整的环状体,连接在外环振子底部。本申请还包含一种MEMS振荡器的制造方法。本申请的技术方案解决现有技术的MEMS振荡器杂散波较多的问题。

    一种晶振温度补偿自动化测试系统

    公开(公告)号:CN119995521A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202411968214.8

    申请日:2024-12-30

    Abstract: 本发明提供一种基于温补芯片的晶振驯服系统,包括晶振、温补芯片、分频电路、相位测量模块、微控制器和数模转换器,其中:温补芯片用于对晶振进行温度补偿;分频电路用于对晶振的输出信号进行分频处理;相位测量模块用于测量分频信号和参考信号的相位差;微控制器用于存储并定期更新晶振在不同温度下的频率补偿值;还用于在参考信号有效时基于卡尔曼滤波算法对相位差进行处理,在滤波后的相位差大于或等于预设阈值时基于PID控制算法对滤波后的相位差进行处理;数模转换器用于将调节后的相位差转换为模拟信号。本发明提供了一种基于温补芯片的晶振驯服系统,用以解决现有技术中单纯依赖温补芯片进行温度补偿无法满足频率精度高要求场合的问题。

    一种晶振恒温结构和安装方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117651397A

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202311588701.7

    申请日:2023-11-24

    Abstract: 本申请公开了一种晶振恒温结构和安装方法,解决了现有技术恒温晶振的频率温度稳定度指标差问题。一种晶振恒温结构,包含槽体、加热功率器件。所述槽体内部设置有相邻的第一密封腔和第二密封腔。所述第一密封腔,用于设置晶体谐振器。所述第二密封腔,用于设置加热功率器件。本申请加热功率器件在槽体内部,因此全部加热功耗都用来加热槽体,提高了加热效率,在相同的控制温度下,利于降低晶振功耗。同时,晶体谐振器及热敏器件也处于恒温结构内部,而槽体及上盖均采用了高热导率的金属材料,内部热梯度较小,热分布均匀,利于改善晶振的频率温度稳定度指标。

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