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公开(公告)号：CN118399178A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410520317.1
申请日：2024-04-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S3/067 , H01S3/16 , G02B6/02 , C03B37/027 , C03B37/012 , C03C25/105 , C03C25/12 , C03C25/24
Abstract: 本发明公开了一种全固态反谐振大模场高功率光纤放大器与制备方法，自内至外依次包括：稀土掺杂的纤芯、具有高折射率沉积环形层的包层以及低折射率的聚合物涂层；纤芯的折射率低于或等于包层的折射率，包层的折射率低于高折射率沉积环形层的折射率，聚合物涂层的折射率低于纤芯和包层的折射率。本发明的光纤放大器的包层中的高折射率沉积环形层作为反谐振功能层，可实现传导泵浦光，同时抑制高阶模传导，保证大模场的单模传导；纤芯区域掺有稀土离子，可以对信号光进行有源放大；本发明的光纤放大器具有更大的表面积，热稳定性能良好，从而可提高高功率光纤放大器的寿命和稳定性并实现对泵浦光及信号光的传输。
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公开(公告)号：CN117944077A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410231414.9
申请日：2024-03-01
Applicant: 北京工业大学
IPC: B25J15/00
Abstract: 本发明公开了一种辅助口腔影像拍摄的单体双腔仿生手指，气驱动仿生软体手指由变腔体双腔软体仿生手指和辅助系统平台组成，二者由导管连接。软体仿生指主要由气腔、输气道组成。气腔包括主气腔和副气腔，输气道包括主输气道、副输气道。所述主气腔位于软体仿生指的上面端部，连接主输气道。给主气腔充气时，由于气腔内气压增大而在气腔端部产生轴向力，在硅胶底板的限制下使手指正向弯。通过副输气道给位于仿生软体指背面根部的副气腔充气时可以使手指反向弯曲。当主气腔输入气压恒定时，改变副气腔输入气压大小能够实现软体仿生指的弯曲可调节功能，更好的适应实际工作环境。本发明可以在承载装置不转向的前提下进行双向弯曲。
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公开(公告)号：CN110838480B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201911090620.8
申请日：2019-11-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET模块的封装结构和制作方法，由碳化硅MOSFET芯片，上DBC基板，下DBC基板，陶瓷转接板，氧化硅介电填充层，纳米银焊膏，再布线层，过孔导电金属和功率端子组成。本发明通过纳米银焊膏将碳化硅MOSFET芯片和下DBC基板连接。同时在陶瓷转接板上制作矩形框架，并通过填充介电材料，将碳化硅MOSFET芯片嵌入在陶瓷转接板内。芯片和转接板的上表面覆有导电金属层，陶瓷转接板的上下表面分别和上下DBC基板互连，各功率端子分别从上下DBC基板的导电覆铜层引出。该发明可以实现碳化硅MOSFET模块的高温封装，而且可以实现双面散热，提高了散热效率。采用平面互连的方式取代引线键合，减小了模块的寄生电感。
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公开(公告)号：CN111613566A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010472464.8
申请日：2020-05-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供了一种超薄晶圆转运装置，涉及半导体制造设备技术领域。该晶圆转运装置包括负压转运托盘和负压发生装置两部分。其特征在于：所述负压转运托盘和负压发生装置通过气压阀和压力枪活动接触方式连接，可分离。利用本发明提供的超薄晶圆转运装置和方法，可以实现超薄晶圆的加工、转运和晶圆级封装过程，对提高超薄晶圆的可制造性、降低晶圆加工损伤有重要意义。本发明具有如下特点：晶圆与转运托盘结合与分离采用真空吸附设计，实施方便，可重复利用，节约成本。负压转运托盘厚度较小，可应用于晶圆加工、转运和晶圆级封装过程，可有效提高超薄晶圆的可制造性。
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公开(公告)号：CN109333360B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201811194797.8
申请日：2018-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: B24B49/00
Abstract: 本发明提供了一种晶圆减薄磨削力在线测量装置及方法，属于半导体晶圆材料超精密加工领域。该磨削力测量装置包括半导体晶圆、工作台、承载台、薄膜压力传感器、数据处理与无线传输模块。磨削力的测试方法包含基于测试装置的传感器标定与磨削力在线测量。利用本发明提供的磨削力测量装置及方法，可以实时监测半导体晶圆磨削过程中的磨削力，对半导体的加工，降低磨削损伤具有重要意义。本发明具有如下特点：传感器采用薄膜压力传感器，响应时间短，测试精度高；数据的传输采用无线传输设计，能够在晶圆和主轴旋转过程中对磨削力进行实时监测，避免晶圆旋转绕线的风险；传感器采用分布式设计，能够监测磨削力沿晶圆径向，晶向的分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109326620A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811181878.4
申请日：2018-10-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种影像传感芯片的嵌入式封装结构和制作方法。本发明通过将影像传感芯片以功能面向上的方式嵌入带有凹槽的基板中，芯片非功能面和基板凹槽的底部键合，再将玻璃盖板与基板键合，然后在基板第二表面与影像传感芯片非功能面设置暴露影像传感芯片功能面焊垫的开口，并在开口内形成延伸到基板背面的导电线路，将焊垫电性引到基板背面。该封装结构不需要聚合物围堰，缓解了结构的热失配，可靠性高，且减小了功能区污染的概率，提供了更大的布球空间。
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公开(公告)号：CN117498131A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311551747.1
申请日：2023-11-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于薄片增益介质的超快薄片激光再生放大器，包括飞秒激光种子源、准直器、光隔离器、第一薄膜偏振片、法拉第选择器、半波片以及再生放大激光腔，飞秒激光种子源发射飞秒种子光，并依次经过准直器、光隔离器、第一薄膜偏振片、法拉第选择器和半波片后，飞秒种子光呈水平偏振并进入再生放大激光腔；再生放大激光腔包括第二薄膜偏振片、四分之一λ波片、普克尔盒、第一平面反射镜、长焦透镜、第二平面反射镜和薄片晶体。本发明飞秒种子光在再生放大激光腔中重复来回振荡，并对储存在薄片晶体增益介质能量的进行多次重复提取，以此实现了激光脉冲能量的有效率放大。
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公开(公告)号：CN109093454B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201811194808.2
申请日：2018-10-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种硅晶圆减薄亚表面损伤深度快速评估方法，属于半导体晶圆材料超精密加工领域。该方法包括确定晶圆磨削参数，计算单颗磨粒切削深度的建立，建立亚表面损伤深度与切削深度的关系，将单颗磨粒切削深度代入亚表面损伤深度与切削深度关系，得到磨削参数与亚表面损伤深度的关系，亚表面损伤深度快速评估。利用本发明提供的亚表面损伤深度快速评估方法，可以在磨削设计阶段针对不同磨削参数(磨轮目数、主轴进给速率、主轴转速、晶圆转速)硅晶圆亚表面损伤深度进行预测，提高晶圆磨削质量，降低晶圆磨削成本。
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公开(公告)号：CN110838480A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911090620.8
申请日：2019-11-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET模块的封装结构和制作方法，由碳化硅MOSFET芯片，上DBC基板，下DBC基板，陶瓷转接板，氧化硅介电填充层，纳米银焊膏，再布线层，过孔导电金属和功率端子组成。本发明通过纳米银焊膏将碳化硅MOSFET芯片和下DBC基板连接。同时在陶瓷转接板上制作矩形框架，并通过填充介电材料，将碳化硅MOSFET芯片嵌入在陶瓷转接板内。芯片和转接板的上表面覆有导电金属层，陶瓷转接板的上下表面分别和上下DBC基板互连，各功率端子分别从上下DBC基板的导电覆铜层引出。该发明可以实现碳化硅MOSFET模块的高温封装，而且可以实现双面散热，提高了散热效率。采用平面互连的方式取代引线键合，减小了模块的寄生电感。
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公开(公告)号：CN109093454A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811194808.2
申请日：2018-10-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种硅晶圆减薄亚表面损伤深度快速评估方法，属于半导体晶圆材料超精密加工领域。该方法包括确定晶圆磨削参数，计算单颗磨粒切削深度的建立，建立亚表面损伤深度与切削深度的关系，将单颗磨粒切削深度代入亚表面损伤深度与切削深度关系，得到磨削参数与亚表面损伤深度的关系，亚表面损伤深度快速评估。利用本发明提供的亚表面损伤深度快速评估方法，可以在磨削设计阶段针对不同磨削参数(磨轮目数、主轴进给速率、主轴转速、晶圆转速)硅晶圆亚表面损伤深度进行预测，提高晶圆磨削质量，降低晶圆磨削成本。
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