公开(公告)号：CN106404840A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610720469.1

申请日：2016-08-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  林猛 ,  黄如

IPC: G01N27/00

CPC classification number: G01N27/00

Abstract: 本发明提供一种实现纳米线生物传感器表面修饰的方法，该方法对纳米线生物传感器待修饰表面进行氨气或氮氢混合气体的等离子体处理，纳米线生物传感器待修饰表面被修饰上氨基；将混合有交联剂和待修饰生物分子的溶液滴定至纳米线生物传感器待修饰表面，生物分子在交联剂的作用下与待修饰表面的氨基形成共价键，完成对纳米线生物传感器表面的生物修饰。本发明提出的等离子体处理方法能够在纳米线待修饰表面形成更均匀、更高密度的氨基基团，使得后续待修饰分子的修饰密度也大大提高；大大提高生物传感的灵敏度和信号强度。

公开(公告)号：CN105655255A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510947001.1

申请日：2015-12-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  黎明 ,  林猛 ,  郝培霖 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明公开了一种应变锗器件的制备方法，属于半导体器件制造工艺领域。该制备方法通过离子注入对源漏区域表面进行预非晶化，并在源漏区域中注入张应变诱导元素，然后对衬底进行退火，使非晶区域固相外延再结晶。本发明采用固相外延方法可以抑制应变诱导原子的扩散，使其集中分布在表面，从而提高源漏区域中张应变诱导元素的组分，使沟道中的应力增加，并且与现有工艺兼容，可以用于应变锗MOS器件的工艺基础。

公开(公告)号：CN102610553A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210074448.9

申请日：2012-03-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上锗衬底的制备方法，属于半导体器件领域。该方法在制备GeOI衬底的过程中实现了上层锗膜与埋氧层界面的钝化处理，减少界面态密度，提高GeOI衬底的背界面质量。本发明有效降低理氧层(BOX)的介电常数，有利于抑制基于绝缘体上锗(GeOI)衬底制备的MOSFET的短沟道效应。

公开(公告)号：CN103295890B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201310208388.X

申请日：2013-05-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李志强 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02321 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5～50eV，氟等离子体漂移到栅介质中，高K介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01～0.15∶1。本发明提高了栅介质质量和钝化缺陷效率，减小界面态密度，实现了锗基和三五族化合物基MOS器件性能地提高。

公开(公告)号：CN102903625B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210397259.5

申请日：2012-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  云全新 ,  李敏 ,  王佳鑫 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种锗基衬底表面钝化方法，先对锗基衬底进行表面清洗，然后将其放入等离子体腔内，利用多键原子对应的反应气体产生等离子体，对锗基衬底表面进行等离子体浴处理，并且在等离子体浴处理过程中施加引导电场，引导等离子体漂移至锗基衬底表面。该处理使活性的多键原子和锗表面原子形成共价键连接，而不生成含锗化合物的界面层，从而既钝化了表面悬挂键，又降低了锗表面原子脱离锗基衬底表面而扩散的几率，同时不会引入界面层而不利于EOT的减薄。而且，施加引导电场能有效抑制锗亚氧化物的形成，提高钝化效率，减小界面态密度。

公开(公告)号：CN102664144B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210156456.8

申请日：2012-05-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  李敏 ,  安霞 ,  黎明 ,  林猛 ,  张兴

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C23C22/58 ,  C23G1/10 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明提供了一种适于锗基器件的界面处理方法，属于超大规模集成电路（ULSI）工艺制造技术领域。该方法采用15%～36%浓盐酸溶液去除锗基衬底表面的自然氧化层，然后用5%～10%稀盐酸溶液对表面悬挂键进行钝化，在表面形成一层稳定的钝化层，为之后在清洗钝化过的锗基衬底表面上淀积high-K（高介电常数）栅介质做好准备，提高栅介质层与衬底之间的界面质量，改善锗基MOS器件的电学性能。

公开(公告)号：CN103887241A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410080933.6

申请日：2014-03-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  刘朋强 ,  张冰馨 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L21/324

Abstract: 一种适用于锗基阱的制备方法，包括如下步骤：对锗基衬底进行清洗；在锗基衬底上淀积一层注入掩蔽层；注入所需的杂质；退火实现杂质的激活；去除注入的掩蔽层；用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度。利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度。利用牺牲氧化的方法改善去除掩蔽层后锗基衬底表面的粗糙度。由于高能量离子注入，及带掩蔽层的杂质激活退火会带来衬底表面粗糙度的退火。由于退火过程中锗衬底会氧化形成锗的亚氧化物，导致表面粗糙度退化。用H2O2氧化30s，使锗基衬底表面形成GeO2，再利用HCl去除GeO2层，实现减小表面粗糙度。

公开(公告)号：CN102881562A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210383308.X

申请日：2012-10-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  林猛 ,  李敏 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种锗基衬底的表面钝化方法，属于半导体器件表面钝化方法。该方法包括：1）对半导体锗衬底表面进行清洗，以去除表面沾污和自然氧化层；2）将锗基片放入等离子体腔内；3）利用多键原子对应的反应气体产生等离子体并对锗片进行等离子体浴处理；4）淀积栅介质，进行后续工艺以制备MOS电容或器件。本发明利用等离子体浴的办法，使多键原子和锗表面原子悬挂键结合，而不生成含锗的界面层。从而既钝化了表面悬挂键从而降低界面态，又利用该多键原子与锗表面相邻的锗原子的多键连接，降低锗表面原子脱离锗衬底表面而扩散的几率，达到加固锗表面原子和有效抑制表面锗原子的外扩散效果；同时不会引入界面层而不利于EOT的减薄。

公开(公告)号：CN102306625A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110259567.7

申请日：2011-09-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先对锗衬底进行清洗；随后去除衬底表面的自然氧化层；对锗衬底进行GeF4或含氟锗氢化合物和NH3或NF3的混合气体的等离子体处理，以实现淀积在锗衬底表面淀积氮化锗；淀积高K栅介质，进行退火处理。本发明充分结合氮化锗与氟离子对锗衬底表面钝化的作用，在锗衬底表面淀积氮化锗钝化层的过程中附带引入氟的等离子体处理，有效地减小锗衬底与栅介质界面处的界面态密度、抑制衬底中的锗向栅介质中扩散，明显提高了钝化效果。

公开(公告)号：CN105551941B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201610017832.3

申请日：2016-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  黎明 ,  刘朋强 ,  林猛 ,  郝培霖 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种提高金属锗化物热稳定性的方法，属于微电子器件领域。该方法通过在锗基衬底上制备金属锗化物薄膜前，采用氮等离子体对表面进行处理，可以提高锗基衬底上金属锗化物薄膜的热稳定性，改善其表面形貌，并且与现有工艺兼容，有利于锗基MOS器件的工艺集成。