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公开(公告)号：CN1363118A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN01800252.8
申请日：2001-03-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/02052 , H01L21/3225 , Y10S438/906
Abstract: 一种退火圆片的制造方法,在氩气气氛下以露出清洗后的圆片表面的状态下进行退火时能降低所发生的硼污染、并抑制由退火后的圆片表面附近的硼浓度的增加引起的电阻变化,另外即使用硼浓度比较低(1×106原子/cm3以下)的硅片的退火圆片,也能使其表层部与内部的硼浓度的差实质上没有问题地制造退火圆片。该制造方法是清洗硅片后,投入到热处理炉,在氩气气氛下进行热处理,并且使用含氟酸的水溶液作为所述清洗的最后的清洗液。
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公开(公告)号：CN112154229A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201980032658.1
申请日：2019-04-02
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种阳极氧化装置，其用于在被处理基板上形成多孔层，所述阳极氧化装置的特征在于，具备：填充有电解质溶液的电解槽；配置于所述电解质溶液中的阳极和阴极；以及使所述电解质溶液中的所述阳极与所述阴极的电极间通电的电源，所述阳极为所述被处理基板，所述阴极通过在硅基板表面上形成氮化膜而成。由此，提供一种在利用HF溶液中的电化学反应而形成多孔硅的阳极氧化中，对HF溶液中的电化学反应具有耐受性且无金属污染等，并比以往更便宜的阴极材料。此外，以比以往更便宜的方式提供高质量的多孔硅。
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公开(公告)号：CN1547764A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02816567.5
申请日：2002-08-23
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/332
CPC classification number: C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/3225 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以1100至1350℃的温度对以拉晶(CZ)法制作出的单晶硅晶片，进行10至600分钟的高温退火的退火晶片，其特征在于：在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于5mm的晶片中心侧的区域，且在进行上述高温退火之前，以未满上述高温退火的温度进行预退火，使氧析出物生长。由此，可提供一种即使为不小于300mm的大口径单晶硅晶片，也可抑制在进行高温退火时所产生的滑动位错的退火晶片的制造方法以及退火晶片。
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公开(公告)号：CN112154229B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201980032658.1
申请日：2019-04-02
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种阳极氧化装置，其用于在被处理基板上形成多孔层，所述阳极氧化装置的特征在于，具备：填充有电解质溶液的电解槽；配置于所述电解质溶液中的阳极和阴极；以及使所述电解质溶液中的所述阳极与所述阴极的电极间通电的电源，所述阳极为所述被处理基板，所述阴极通过在硅基板表面上形成氮化膜而成。由此，提供一种在利用HF溶液中的电化学反应而形成多孔硅的阳极氧化中，对HF溶液中的电化学反应具有耐受性且无金属污染等，并比以往更便宜的阴极材料。此外，以比以往更便宜的方式提供高质量的多孔硅。
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公开(公告)号：CN1463469A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN02801855.9
申请日：2002-05-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/3225
Abstract: 本发明涉及一种掺杂氮的退火晶片的制造方法，其在对由掺杂氮的硅单晶切削、并至少经过研磨的晶片在氩、氢或其混合气体环境下实施1100～1350℃的高温热处理前，通过进行在小于前述高温热处理的处理温度温度滞留的工序，使前述高温热处理中消灭的尺寸的氧析出核生长为前述高温热处理中不消灭的尺寸，然后，进行前述高温热处理的掺杂氮的退火晶片的制造方法。据此，提供不受掺杂于硅单晶的氮浓度影响，从硅单晶的各部位切削而成的硅单晶晶片中的退火后的BMD密度的误差可被缓和。
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