公开(公告)号：CN108025418A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054094.8

申请日：2016-08-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 安田太一 ,  佐佐木正直 ,  榎本辰男 ,  佐佐木拓也 ,  浅井一将

IPC: B24B37/00 ,  B24B53/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B37/00 ,  B24B37/08 ,  B24B37/107 ,  B24B53/00 ,  B24B53/017 ,  B24B53/12 ,  H01L21/67092

Abstract: 本发明提供一种研磨垫的调节方法，对于研磨垫使用调节头而调节，研磨垫用于研磨贴附于可旋转的圆盘状的平板的晶圆，调节方法包含：通过旋转平板而旋转贴附于平板的研磨垫的同时，于平板的半径方向移动调节头而实施调节，以及因应调节头的自平板的中心的距离而控制平板的转数以及调节头的于平板的半径方向的移动速度。通过此研磨垫的调节方法可对研磨垫的研磨面的全表面进行适当的调节。

公开(公告)号：CN108025418B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201680054094.8

申请日：2016-08-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 安田太一 ,  佐佐木正直 ,  榎本辰男 ,  佐佐木拓也 ,  浅井一将

IPC: B24B37/00 ,  B24B53/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B37/00 ,  B24B37/08 ,  B24B37/107 ,  B24B53/00 ,  B24B53/017 ,  B24B53/12 ,  H01L21/67092

Abstract: 本发明提供一种研磨垫的调节方法，对于研磨垫使用调节头而调节，研磨垫用于研磨贴附于可旋转的圆盘状的平板的晶圆，调节方法包含：通过旋转平板而旋转贴附于平板的研磨垫的同时，于平板的半径方向移动调节头而实施调节，以及因应调节头的自平板的中心的距离而控制平板的转数以及调节头的于平板的半径方向的移动速度。通过此研磨垫的调节方法可对研磨垫的研磨面的全表面进行适当的调节。

公开(公告)号：CN104620362B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201380047658.1

申请日：2013-10-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 浅井一将

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B49/12 ,  B24B37/005 ,  B24B37/08 ,  B24B49/03 ,  H01L21/02024 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明公开一种具有以高研磨速率进行研磨的第一研磨工序、及接着以低研磨速率进行研磨的第二研磨工序的双面研磨方法，该双面研磨方法包含：测量工序，其在研磨后将从晶圆的最外周部通过中心的直线分割成规定的区间，且光学测量该已分割的区间的截面形状；数值化工序，其将每个已分割的区间的已预先设定的权重附加至已测量的截面形状，将每个区间的平坦度加以数值化；以及设定工序，其基于已数值化的平坦度，来设定下次研磨时的第一研磨工序的研磨条件和第二研磨工序的研磨条件；其中，在测量截面形状的工序中，最外周区间的测量所使用的测量装置的光束直径，比最外周以外的区间的测量所使用的光束直径更小。由此，提供一种双面研磨方法，能够不降低生产率且以良好的精度来测量研磨后的晶圆的直到最外周部的形状，以提高包含晶圆的最外周部的晶圆整体的平坦度。

公开(公告)号：CN104602864B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201380046138.9

申请日：2013-08-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐佐木正直 ,  青木一晃 ,  安田太一 ,  佐藤勇章 ,  汤浅雄大 ,  浅井一将 ,  古川大辅

IPC: B24B37/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/28 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种双面研磨方法，其在载体上保持晶圆，且利用粘贴有研磨布的上平板和下平板来夹持所述载体，并同时研磨所述晶圆的双面，其中，所述载体具有：保持孔，其用于保持所述晶圆；环状的树脂插入物，其沿着所述保持孔的内周而配置，且具有接触所述所保持的晶圆的周缘部的内周面；该双面研磨方法的特征在于，在将所述树脂插入物的内周面上的凹凸的最大高低差定义为所述内周面的平面度，并将连结所述内周面的上端部与下端部的直线与垂直于载体主面的直线所夹的角度定义为所述内周面的垂直度时，一边将所述平面度维持在100μm以下，并将所述垂直度维持在5°以下，一边研磨所述晶圆的双面。由此，提供一种双面研磨方法，该双面研磨方法尤其能够抑制如外周塌边这样的研磨后的晶圆的平坦度的恶化，该平坦度的恶化由于载体的树脂插入物的内周面的形状变化所导致。

公开(公告)号：CN104620362A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047658.1

申请日：2013-10-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 浅井一将

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B49/12 ,  B24B37/005 ,  B24B37/08 ,  B24B49/03 ,  H01L21/02024 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明公开一种具有以高研磨速率进行研磨的第一研磨工序、及接着以低研磨速率进行研磨的第二研磨工序的双面研磨方法，该双面研磨方法包含：测量工序，其在研磨后将从晶圆的最外周部通过中心的直线分割成规定的区间，且光学测量该已分割的区间的截面形状；数值化工序，其将每个已分割的区间的已预先设定的权重附加至已测量的截面形状，将每个区间的平坦度加以数值化；以及设定工序，其基于已数值化的平坦度，来设定下次研磨时的第一研磨工序的研磨条件和第二研磨工序的研磨条件；其中，在测量截面形状的工序中，最外周区间的测量所使用的测量装置的光束直径，比最外周以外的区间的测量所使用的光束直径更小。由此，提供一种双面研磨方法，能够不降低生产率且以良好的精度来测量研磨后的晶圆的直到最外周部的形状，以提高包含晶圆的最外周部的晶圆整体的平坦度。

公开(公告)号：CN104602864A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380046138.9

申请日：2013-08-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐佐木正直 ,  青木一晃 ,  安田太一 ,  佐藤勇章 ,  汤浅雄大 ,  浅井一将 ,  古川大辅

IPC: B24B37/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/28 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种双面研磨方法，其在载体上保持晶圆，且利用粘贴有研磨布的上平板和下平板来夹持所述载体，并同时研磨所述晶圆的双面，其中，所述载体具有：保持孔，其用于保持所述晶圆；环状的树脂插入物，其沿着所述保持孔的内周而配置，且具有接触所述所保持的晶圆的周缘部的内周面；该双面研磨方法的特征在于，在将所述树脂插入物的内周面上的凹凸的最大高低差定义为所述内周面的平面度，并将连结所述内周面的上端部与下端部的直线与垂直于载体主面的直线所夹的角度定义为所述内周面的垂直度时，一边将所述平面度维持在100μm以下，并将所述垂直度维持在5°以下，一边研磨所述晶圆的双面。由此，提供一种双面研磨方法，该双面研磨方法尤其能够抑制如外周塌边这样的研磨后的晶圆的平坦度的恶化，该平坦度的恶化由于载体的树脂插入物的内周面的形状变化所导致。