公开(公告)号：CN104620351A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047651.X

申请日：2013-09-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  田原史夫 ,  大井裕喜

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  C30B31/22 ,  C30B33/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/3226 ,  C30B31/22

Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在氧化膜形成工序前，进行对准备好的硅晶圆在氧化性气氛下用1100℃～1250℃的温度实施30分钟～120分钟的热处理的工序，以及对成为该热处理后的硅晶圆的贴合面的表面进行研磨的工序。由此，在SOI晶圆的制造中，能够充分消除接合晶圆的缺陷，制造几乎没有缺陷等不良的SOI晶圆，此外，能够将在离子注入剥离法中作为副产物而生成的剥离晶圆多次再用作接合晶圆。