公开(公告)号：CN117597476A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202280046419.3

申请日：2022-07-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 三原佳祐

IPC: C30B29/06

Abstract: 本发明是一种单晶硅的制造方法，基于利用在提拉炉所具备的上侧线圈和下侧线圈中形成的勾形磁场的CZ法，所述制造方法具有使晶种与硅熔液接触而进行引晶的引晶工序和在将单晶硅扩径后进行的直体工序，所述引晶工序将位于所述提拉炉的中心轴上的磁场极小面位置设为比所述硅熔液的表面更靠下方的第一位置而进行，在转移到所述直体工序前，使位于所述提拉炉的中心轴上的磁场极小面位置移动到比所述第一位置更靠上方的第二位置，所述直体工序将位于所述提拉炉的中心轴上的磁场极小面位置设为所述第二位置而进行。由此，提供一种提高引晶的成功率并高效地制造氧浓度低且面内分布良好的单晶的单晶硅的制造方法。

公开(公告)号：CN116568872A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180080412.9

申请日：2021-11-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 三原佳祐 ,  柳濑和也 ,  三田村伸晃 ,  高野清隆

IPC: C30B15/00

Abstract: 本发明的第一方式提供一种单晶制造装置，其特征在于，具有：主腔室；提拉腔室；配置为与硅熔液对置的热屏蔽部件；以包围提拉中的单晶硅的方式配置在热屏蔽部件上的整流筒；配置为围住提拉中的单晶硅且包含朝向硅熔液延伸的部分的冷却筒；以及嵌合于冷却筒的内侧的冷却辅助筒，冷却筒的延伸的部分具有面向硅熔液的底面，冷却辅助筒至少具有围绕冷却筒的底面的第一部分和围绕整流筒的上端部的第二部分。由此，能够提供与现有技术相比能够制造碳浓度更低的单晶的装置。

公开(公告)号：CN112639176B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN201980056306.X

申请日：2019-06-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 星亮二 ,  三原佳祐 ,  菅原孝世 ,  松本克

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明涉及一种单晶培育方法，其为基于直拉法(CZ法)或磁控拉晶法(MCZ法)的单晶培育方法，其包括：将装填在坩埚中的硅原料熔融形成熔融液的第一工序；使所述熔融液部分凝固形成凝固层的第二工序；在所述凝固层与所述熔融液共存的状态下，去除所述熔融液的至少一部分的第三工序；将所述凝固层熔融形成熔融液的第四工序；及由该熔融液培育单晶硅的第五工序。由此能够提供用一台CZ拉晶机进行硅原料的高纯度化和单晶培育、从而培育降低了杂质浓度的单晶的方法。

公开(公告)号：CN119256125A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202380046010.6

申请日：2023-05-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 三原佳祐

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20

Abstract: 本发明是一种单晶硅的制造方法，其基于使用了会切磁场的CZ法，所述会切磁场由提拉炉所具备的上侧线圈及下侧线圈形成，该单晶硅的制造方法的特征在于，在直体工序中，将单晶硅的转速设为7rpm以上12rpm以下，将石英坩埚的转速设为1.0rpm以下，将所述会切磁场的磁场极小面的位置设在从原料熔液表面向下方10mm～从原料熔液表面向上方5mm的范围内，将与磁场极小面相同高度的面和石英坩埚内壁的交点处的所述会切磁场的磁场强度设为800～1200G，从而提拉单晶硅。由此，提供一种高效地制造与现有技术相比氧浓度更低，且氧浓度的面内分布良好的单晶硅的方法。

公开(公告)号：CN118251519A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202280078328.8

申请日：2022-10-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久保埜一平 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德 ,  三原佳祐 ,  菅原孝世

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体基板，其是在硅单晶基板上形成有氮化物半导体薄膜的氮化物半导体基板，所述硅单晶基板的碳浓度为5×1016个原子/cm3以上且2×1017个原子/cm3以下。由此，可提供一种对塑化变形具有耐性的氮化物半导体基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN112639176A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980056306.X

申请日：2019-06-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 星亮二 ,  三原佳祐 ,  菅原孝世 ,  松本克

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明涉及一种单晶培育方法，其为基于直拉法(CZ法)或磁控拉晶法(MCZ法)的单晶培育方法，其包括：将装填在坩埚中的硅原料熔融形成熔融液的第一工序；使所述熔融液部分凝固形成凝固层的第二工序；在所述凝固层与所述熔融液共存的状态下，去除所述熔融液的至少一部分的第三工序；将所述凝固层熔融形成熔融液的第四工序；及由该熔融液培育单晶硅的第五工序。由此能够提供用一台CZ拉晶机进行硅原料的高纯度化和单晶培育、从而培育降低了杂质浓度的单晶的方法。