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公开(公告)号：CN116360217A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211633529.8
申请日：2022-12-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，其能形成具有极高分辨率，LER小而矩形性优异且能形成显影负载的影响受抑制的图案的抗蚀剂膜。一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含基础聚合物，该基础聚合物含有：包括含苯酚性羟基的单元、苯酚性羟基受酸不稳定基团保护的单元及羧基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物、或包括含苯酚性羟基的单元及苯酚性羟基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物及包括含苯酚性羟基的单元及羧基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物，该基础聚合物中含有的聚合物的全部重复单元中，具有芳香环骨架的重复单元为65摩尔％以上。
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公开(公告)号：CN118666653A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410293726.2
申请日：2024-03-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C43/15 , C08F8/00 , G03F7/039 , C08F12/24 , C07C43/162 , C07C43/166 , C07C43/176 , C07C43/168 , C07C43/225 , C07C205/34 , C07D493/08 , C07C43/188 , C07C43/172 , C07C43/17 , G03F7/32 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及缩醛修饰剂、聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明课题：提供具有极高孤立间距分辨性，LER小，矩形性优异，抑制显影负载及残渣缺陷的影响，同时蚀刻耐性、图案崩塌受抑制的化学增幅正型抗蚀剂组成物；用以制造用于该抗蚀剂组成物中的基础聚合物的缩醛修饰剂；经该缩醛修饰剂修饰的聚合物；及抗蚀剂图案形成方法。本发明解决手段：提供具有会成为脂肪族性或芳香族性羟基保护基的三键的基团的缩醛修饰剂；含有在侧链具有芳香族性羟基被下式(AL‑1)或(AL‑2)表示的酸不稳定基保护而成的结构的重复单元A1，且会因酸的作用而脱保护并成为碱可溶性聚合物；及包含该聚合物的化学增幅正型抗蚀剂组成物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116954024A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310445090.4
申请日：2023-04-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供可获得改善了图案形成时的分辨率且LER及CDU经改善的抗蚀剂图案，缺陷少且可使用300～400nm的短波长进行缺陷检查的化学增幅正型抗蚀剂组成物，以及提供抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，分别以预定量含有：(A)下式(A1)表示的鎓盐化合物，(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元且会因酸的作用而分解并增加在碱显影液中的溶解度的聚合物，但，不包含含有具内酯环的重复单元的聚合物，及(C)光酸产生剂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115343911A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210518733.9
申请日：2022-05-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/038 , G03F1/20 , G03F1/22 , C08F212/14 , C08F232/08 , C08F220/38 , C08F220/20
Abstract: 本发明涉及化学增幅型抗蚀剂组成物、空白光掩膜、抗蚀剂图案的形成方法及高分子化合物的制造方法。本发明课题是为了提供可满足良好的分辨率、图案形状、线边缘粗糙度，同时可抑制会成为掩膜缺陷的原因的显影残渣缺陷的化学增幅型抗蚀剂组成物，以及提供使用该化学增幅型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案的形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅型抗蚀剂组成物，其特征为含有：(A)高分子化合物，含有1种或2种以上的重复单元，而且该重复单元中的至少1种以上的重复单元是由2～6聚物的残存寡聚物为1000ppm以下的聚合性单体聚合而成的重复单元。
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公开(公告)号：CN115113483A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210264307.7
申请日：2022-03-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供可形成有极高分辨率且LER小而矩形性优异，抑制了显影负载(loading)的影响的图案的抗蚀剂膜的化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包括基础聚合物，该基础聚合物含有：含有酸产生单元、含苯酚性羟基的单元、苯酚性羟基受酸不稳定基团保护的单元及羧基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物、或含有酸产生单元、含苯酚性羟基的单元及苯酚性羟基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物、以及含有酸产生单元、含苯酚性羟基的单元及羧基受酸不稳定基团保护的单元的聚合物；该基础聚合物中含有的聚合物的全部重复单元中，具有芳香环骨架的重复单元为60摩尔％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119219581A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410841838.7
申请日：2024-06-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D307/12 , C07D309/06 , C07D305/06 , C07D319/12 , C07D493/08 , C07D333/16 , C07D335/02 , G03F1/22 , G03F1/24 , G03F7/20 , G03F7/42 , C08F8/00 , C08F8/34 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/20 , G03F7/004 , G03F7/039
Abstract: 本发明涉及缩醛修饰剂、聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，并提供用于制造该抗蚀剂组成物使用的基础聚合物的缩醛修饰剂、经该缩醛修饰剂修饰的聚合物、及使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。给予成为脂肪族性或芳香族性羟基的保护基团的具有含氧原子或硫原子的环族饱和杂环的缩醛修饰剂、含有侧链具有芳香族性羟基被下式(AL‑1)或(AL‑2)表示的酸不稳定基团保护的结构的重复单元A1且因酸作用而脱保护成为碱可溶性的聚合物、及含有含该聚合物的基础聚合物的化学增幅正型抗蚀剂组成物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117666284A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311143912.X
申请日：2023-09-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可形成能形成具有极高的分辨率、LER小、矩形性优良、显影负载的影响及显影残渣缺陷受到抑制的图案的抗蚀剂膜的化学增幅正型抗蚀剂组成物，以及提供使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段是一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，含有：经酸不稳定基团保护且因酸的作用而成为碱可溶性的基础聚合物；该基础聚合物包含含有下式(A1)表示的含酚性羟基的单元及下式(A2)表示的被酸不稳定基团保护的重复单元的聚合物，且该基础聚合物所含的聚合物的全部重复单元中，具有芳香环骨架的重复单元为65摩尔％以上。
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公开(公告)号：CN100578358C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200410098151.1
申请日：2004-08-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C08F220/18 , C08F220/26 , G03F7/0397 , Y10S430/111
Abstract: 一种包含式(1)、(2)、(3)和(4)的重复单元的聚合物，其在碱性显影剂中，在酸的作用提高了溶解速率，(见右式)R1、R2、R3和R6是H或CH3，R4和R5是H或OH，X是具有双环[2.2.1]庚烷框架的叔外-烷基基团，由式(X-1)-(X-4)的任一个表示：(见右式)其中R7是C1-C10烷基，Y是具有金刚烷结构的叔烷基。一种包括该创造性聚合物的抗蚀剂组合物具有对高能辐射的灵敏度，提高的分辨率和最小化的近似偏差并且采用电子束或深UV向其本身提供微图案而用于VLSI制造。
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公开(公告)号：CN119165731A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410781639.1
申请日：2024-06-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供：可形成能形成具有极高的分辨性、LER小、矩形性优异、显影负载的影响及显影残渣缺陷经抑制的图案的抗蚀剂膜的化学增幅正型抗蚀剂组成物，以及使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含：(A)以下式(A)表示，且会因为高能射线的作用而产生酸的光酸产生剂；及(B)包含会因为酸的作用致使对于碱水溶液的溶解性增大且含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物的基础聚合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119080619A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410714566.4
申请日：2024-06-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C69/533 , C08F212/14 , C08F220/20 , C08F232/08 , G03F7/004 , G03F7/038 , C07D493/08 , C07C69/757 , C07D307/00 , C07C233/09
Abstract: 本发明涉及单体、聚合物、化学增幅负型抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供一种可获得改善图案形成时的分辨度，且LER及分辨度、图案忠实性、剂量宽容度经改善的抗蚀剂图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物，以及提供一种抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种下式(A1)表示的单体、含有来自该单体的重复单元的聚合物、及含有包含该聚合物的基础聚合物的化学增幅负型抗蚀剂组成物。#imgabs0#
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