公开(公告)号：CN118824930A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410451759.5

申请日：2024-04-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 龙野俊直 ,  福井慎次 ,  秋叶英生 ,  神谷重雄 ,  中岛和敬

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供基板支承构件、基板支承构件的制造方法、基板处理装置以及物品的制造方法。基板支承构件用于支承基板，其特征在于，具有：支承上述基板的多个凸部；以及用于在上述多个凸部支承着上述基板时在上述基板的被上述多个凸部支承着的面侧形成减压空间的密封部，上述多个凸部在各自的上端部具有膜，上述密封部在上述密封部的上端部不具有膜或者具有比上述多个凸部所具有的上述膜薄的膜。

公开(公告)号：CN116027465A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211315704.9

申请日：2022-10-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 福井慎次 ,  龙野俊直 ,  秋叶英生 ,  平林敬二

IPC: G02B1/11 ,  G02B1/14 ,  G03F7/20

Abstract: 一种衬底保持板，其包括第一层以及与第一层形成界面的第二层。所述第一层和所述第二层含有类金刚石碳。所述第一层在一定波长的折射率高于所述第二层在所述波长的折射率。从所述第二层到衬底保持板的最上表面的距离小于所述第一层的厚度。

公开(公告)号：CN118057216A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311527621.0

申请日：2023-11-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 星野和弘 ,  阿部达毅 ,  知花贵史 ,  石川恭兵 ,  秋叶英生

IPC: G02B1/115 ,  G02B5/08 ,  G02B5/04

Abstract: 提供在实现具有良好的光学特性的光学元件上有利的技术。光学元件，是具备基体及在上述基体上设置的光学结构体的光学元件，其中，上述光学结构体至少具有至少一个金属氧化物层、和至少一个金属氟化物层，上述一个金属氧化物层与上述一个金属氟化物层之间的距离比上述一个金属氟化物层的厚度小，将上述至少一个金属氧化物层中的铪的含量设为[Hf]原子％、将上述至少一个金属氧化物层中的镁的含量设为[Mg]原子％，满足：0.01≤[Mg]/([Mg]+[Hf])＜0.35。

公开(公告)号：CN117170000A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310621789.1

申请日：2023-05-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 知花贵史 ,  星野和弘 ,  石川恭兵 ,  秋叶英生 ,  阿部达毅

IPC: G02B5/08 ,  G02B5/04 ,  G02B3/00

Abstract: 本发明涉及光学元件和设备。提供一种有利于提高对紫外光的光学特性的技术。一种光学元件，具备基体和设置在所述基体之上的光学构造体，其中，所述光学构造体至少具有第1电介质层、第2电介质层、第3电介质层，该第3电介质层位于所述第1电介质层与所述第2电介质层之间，具有比所述第1电介质层和所述第2电介质层低的折射率，所述第1电介质层和所述第2电介质层是含有氧化铝和氢的膜，将所述膜中的氧的含量设为[O]at％，将所述膜中的铝的含量设为[Al]at％，将所述膜中的氢的含量设为[H]at％，满足[Al]+[O]≥50.0at％以及[O]/([Al]+[H])≤1.40。

公开(公告)号：CN111926293A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010330201.3

申请日：2020-04-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 秋叶英生 ,  石川恭兵

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  G02B1/10

Abstract: 本发明提供光学器件及其制造方法。光学器件依次包括由金属氧化物形成的表面，与由金属氧化物形成的表面接触的含有氧化钐的层，和与含有氧化钐的层接触的含有氟化镁的层，从而抑制在由金属氧化物形成的表面上高速率溅射沉积含有氟化镁的层产生的光吸收。

公开(公告)号：CN102828151B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201210203438.0

申请日：2012-06-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 秋叶英生

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  G02B1/11

CPC classification number: C23C14/0694 ,  C23C14/0057

Abstract: 形成金属氟化物膜的方法中，使用金属靶和含有O2气和作为碳氟化合物气体的反应性气体的混合气体通过溅射在基板上形成金属氟化物膜。

公开(公告)号：CN102828151A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210203438.0

申请日：2012-06-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 秋叶英生

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  G02B1/11

CPC classification number: C23C14/0694 ,  C23C14/0057

Abstract: 形成金属氟化物膜的方法中，使用金属靶和含有O2气和作为碳氟化合物气体的反应性气体的混合气体通过溅射在基板上形成金属氟化物膜。