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公开(公告)号：CN112599463A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011048311.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 平林敬二
IPC: H01L21/683 , H01L21/027 , C23C16/26 , C23C16/50 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及晶片卡盘、其生产方法和曝光装置。晶片卡盘包括由含有碳化硅的陶瓷制成的基底。该基底具有氧化处理层，并且在该基底的最外表面上形成有由类金刚石碳(DLC)制成的膜。
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公开(公告)号：CN112599463B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202011048311.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 平林敬二
IPC: H01L21/683 , H01L21/027 , C23C16/26 , C23C16/50 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及晶片卡盘、其生产方法和曝光装置。晶片卡盘包括由含有碳化硅的陶瓷制成的基底。该基底具有氧化处理层，并且在该基底的最外表面上形成有由类金刚石碳(DLC)制成的膜。
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公开(公告)号：CN102933512B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201180026372.6
申请日：2011-05-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C03B11/086 , C03B2215/12 , C03B2215/24 , C03B2215/72 , C23C14/0605 , C23C14/325 , G02B3/04
Abstract: 提供了一种制作光学元件成形模子的方法，该方法包括通过FCVA工艺在用于光学元件成形模子的模子基体10上形成ta-C膜12，在其中模子基体10被保持在浮置电位，电压被施加到用于经由绝缘部件（3a,3b）保持模子基体的模子基体保持部件2，并且在模子基体中内部设置的磁体4形成用于在模子基体的转印表面的法线方向上施加磁力以使得遵循由过滤线圈22施加的磁力的磁场，由此使膜质量均质化。
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公开(公告)号：CN1121963A
公开(公告)日：1996-05-08
申请号：CN95108952.8
申请日：1995-07-18
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/278 , C23C16/272 , C23C16/507
Abstract: 一种通过高频等离子体CVD方法形成金刚石膜的方法，使用了电感耦合放电，并将高频波的频率设定在40-250MHz之间，由此将含碳的原料气体分解为等离子体状态，以在基体上形成金刚石膜。
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公开(公告)号：CN117878049A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410035948.4
申请日：2020-09-29
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 平林敬二
IPC: H01L21/683 , G03F7/20 , H01L21/027 , C23C16/26 , C23C16/50
Abstract: 本发明涉及晶片卡盘、其生产方法和曝光装置。晶片卡盘包括由含有碳化硅的陶瓷制成的基底。该基底具有氧化处理层，并且在该基底的最外表面上形成有由类金刚石碳(DLC)制成的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1131847C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN97109525.6
申请日：1997-02-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C03B11/00
CPC classification number: C03B11/08 , C03B11/086 , C03B2215/22 , C03B2215/26
Abstract: 本发明提供一种光学元件成型模具，它不熔于玻璃，并具有高的硬度，高的表面平滑度和高的模具耐久性。为此，本发明的光学元件成型模具采用模压成型来制造玻璃光学元件，其中在至少一个模制表面上形成一层含有锂元素或锂化合物的TaN薄膜层作为脱模层。
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公开(公告)号：CN1058534C
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：CN95108952.8
申请日：1995-07-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/27 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/278 , C23C16/272 , C23C16/507
Abstract: 一种通过高频等离子体CVD方法形成金刚石膜的方法，使用了电感耦合放电，并将高频波的频率设定在40-250MHz之间，由此将含碳的原料气体分解为等离子体状态，以在基体上形成金刚石膜。
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公开(公告)号：CN102933512A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180026372.6
申请日：2011-05-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C03B11/086 , C03B2215/12 , C03B2215/24 , C03B2215/72 , C23C14/0605 , C23C14/325 , G02B3/04
Abstract: 提供了一种制作光学元件成形模子的方法，该方法包括通过FCVA工艺在用于光学元件成形模子的模子基体10上形成ta-C膜12，在其中模子基体10被保持在浮置电位，电压被施加到用于经由绝缘部件（3a,3b）保持模子基体的模子基体保持部件2，并且在模子基体中内部设置的磁体4形成用于在模子基体的转印表面的法线方向上施加磁力以使得遵循由过滤线圈22施加的磁力的磁场，由此使膜质量均质化。
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公开(公告)号：CN1168355A
公开(公告)日：1997-12-24
申请号：CN97109525.6
申请日：1997-02-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C03B11/00
CPC classification number: C03B11/08 , C03B11/086 , C03B2215/22 , C03B2215/26
Abstract: 本发明提供一种光学元件成型模具，它不熔于玻璃，并具有高的硬度，高的表面平滑度和高的模具耐久性。为此，本发明的光学元件成型模具采用模压成型来制造玻璃光学元件，其中在至少一个模制表面上形成一层含有锂元素或锂化合物的TaN薄膜层作为脱模层。
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