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公开(公告)号:CN102933512A
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201180026372.6
申请日:2011-05-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C03B11/086 , C03B2215/12 , C03B2215/24 , C03B2215/72 , C23C14/0605 , C23C14/325 , G02B3/04
Abstract: 提供了一种制作光学元件成形模子的方法,该方法包括通过FCVA工艺在用于光学元件成形模子的模子基体10上形成ta-C膜12,在其中模子基体10被保持在浮置电位,电压被施加到用于经由绝缘部件(3a,3b)保持模子基体的模子基体保持部件2,并且在模子基体中内部设置的磁体4形成用于在模子基体的转印表面的法线方向上施加磁力以使得遵循由过滤线圈22施加的磁力的磁场,由此使膜质量均质化。
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公开(公告)号:CN102081172B
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201010565702.6
申请日:2010-11-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G02B1/113 , G02B1/12 , G02B2207/107 , Y10T428/24997
Abstract: 以低成本制备包括低折射率膜的光学器件。为了实现该目的,在包括将低折射率膜和高折射率膜交替层叠的多层膜的光学器件的制备方法中,通过使用靶单元的溅射沉积系统在基材上形成多孔膜。将该多孔膜浸入液体中以降低该膜的折射率。通过以简单的步骤形成折射率比以往使用的膜低的低折射率膜,能够以低成本得到高质量光学器件。
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公开(公告)号:CN102933512B
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201180026372.6
申请日:2011-05-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C03B11/086 , C03B2215/12 , C03B2215/24 , C03B2215/72 , C23C14/0605 , C23C14/325 , G02B3/04
Abstract: 提供了一种制作光学元件成形模子的方法,该方法包括通过FCVA工艺在用于光学元件成形模子的模子基体10上形成ta-C膜12,在其中模子基体10被保持在浮置电位,电压被施加到用于经由绝缘部件(3a,3b)保持模子基体的模子基体保持部件2,并且在模子基体中内部设置的磁体4形成用于在模子基体的转印表面的法线方向上施加磁力以使得遵循由过滤线圈22施加的磁力的磁场,由此使膜质量均质化。
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公开(公告)号:CN102081172A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN201010565702.6
申请日:2010-11-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G02B1/113 , G02B1/12 , G02B2207/107 , Y10T428/24997
Abstract: 以低成本制备包括低折射率膜的光学器件。为了实现该目的,在包括将低折射率膜和高折射率膜交替层叠的多层膜的光学器件的制备方法中,通过使用靶单元的溅射沉积系统在基材上形成多孔膜。将该多孔膜浸入液体中以降低该膜的折射率。通过以简单的步骤形成折射率比以往使用的膜低的低折射率膜,能够以低成本得到高质量光学器件。
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