公开(公告)号：CN118057216A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311527621.0

申请日：2023-11-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 星野和弘 ,  阿部达毅 ,  知花贵史 ,  石川恭兵 ,  秋叶英生

IPC: G02B1/115 ,  G02B5/08 ,  G02B5/04

Abstract: 提供在实现具有良好的光学特性的光学元件上有利的技术。光学元件，是具备基体及在上述基体上设置的光学结构体的光学元件，其中，上述光学结构体至少具有至少一个金属氧化物层、和至少一个金属氟化物层，上述一个金属氧化物层与上述一个金属氟化物层之间的距离比上述一个金属氟化物层的厚度小，将上述至少一个金属氧化物层中的铪的含量设为[Hf]原子％、将上述至少一个金属氧化物层中的镁的含量设为[Mg]原子％，满足：0.01≤[Mg]/([Mg]+[Hf])＜0.35。

公开(公告)号：CN117170000A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310621789.1

申请日：2023-05-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 知花贵史 ,  星野和弘 ,  石川恭兵 ,  秋叶英生 ,  阿部达毅

IPC: G02B5/08 ,  G02B5/04 ,  G02B3/00

Abstract: 本发明涉及光学元件和设备。提供一种有利于提高对紫外光的光学特性的技术。一种光学元件，具备基体和设置在所述基体之上的光学构造体，其中，所述光学构造体至少具有第1电介质层、第2电介质层、第3电介质层，该第3电介质层位于所述第1电介质层与所述第2电介质层之间，具有比所述第1电介质层和所述第2电介质层低的折射率，所述第1电介质层和所述第2电介质层是含有氧化铝和氢的膜，将所述膜中的氧的含量设为[O]at％，将所述膜中的铝的含量设为[Al]at％，将所述膜中的氢的含量设为[H]at％，满足[Al]+[O]≥50.0at％以及[O]/([Al]+[H])≤1.40。

公开(公告)号：CN115390165A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210534600.0

申请日：2022-05-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 阿部达毅 ,  石川恭兵 ,  星野和弘 ,  知花贵史 ,  小林广明

IPC: G02B1/00 ,  G02B1/115

Abstract: 本发明涉及膜、元件和设备。一种膜，其包含非晶态过渡金属氧化物作为主要成分以及1.0at％以上的氢。