公开(公告)号：CN101719483B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200910179050.X

申请日：2009-10-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 板垣奈穗 ,  岩崎达哉 ,  星野胜之

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/203 ,  H01L29/72 ,  H01L29/861 ,  H01L33/00 ,  H01L31/0264

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B23/025 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明涉及用于生长纤锌矿型晶体的衬底及其制造方法，以及半导体器件。一种层叠结构包括：包括具有六重对称性的晶体的第一层，以及在第一层上形成的包括金属氧氮化物晶体的第二层，其中第二层包括选自由In、Ga、Si、Ge和Al构成的组中的至少一种元素、N、O和Zn作为主要元素，以及其中第二层具有面内取向。

公开(公告)号：CN101933150A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200980103882.1

申请日：2009-01-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 阿米达·高亚 ,  板垣奈穗 ,  岩崎达哉

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086

Abstract: 薄膜晶体管包括在衬底上形成的栅电极、栅极绝缘层、沟道层、源电极和漏电极，其中：该沟道层含有铟、锗和氧；并且该沟道层具有0.5-0.97的由In/(In+Ge)表示的组成比。

公开(公告)号：CN101926008A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200980103002.0

申请日：2009-01-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎达哉 ,  高亚阿米达 ,  板垣奈穗

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 一种场效应晶体管，至少包括形成在基板上的沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极、以及栅极电极。所述沟道层以至少包含In和B的非晶氧化物材料制成，所述非晶氧化物材料具有等于或大于0.05并且等于或小于0.29的元素比率B/(In+B)。

公开(公告)号：CN101719514B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200910204465.8

申请日：2009-09-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎达哉 ,  板垣奈穗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L21/34 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管及其制造工艺。场效应晶体管具有栅极电极、栅极绝缘层、沟道、以及与沟道电连接的源极电极和漏极电极，所述沟道包括氧化物半导体，所述源极电极或漏极电极包括氮氧化物。

公开(公告)号：CN101719514A

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200910204465.8

申请日：2009-09-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎达哉 ,  板垣奈穗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L21/34 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管及其制造工艺。场效应晶体管具有栅极电极、栅极绝缘层、沟道、以及与沟道电连接的源极电极和漏极电极，所述沟道包括氧化物半导体，所述源极电极或漏极电极包括氮氧化物。

公开(公告)号：CN101663762A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200880012789.5

申请日：2008-04-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 板垣奈穗 ,  岩崎达哉 ,  渡边壮俊 ,  田透

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/247

Abstract: 本发明提供氧氮化物半导体，其包含金属氧氮化物。该金属氧氮化物含有Zn和选自In、Ga、Sn、Mg、Si、Ge、Y、Ti、Mo、W和Al中的至少一种元素。该金属氧氮化物具有7原子％-80原子％的N的原子组成比N/(N+O)。

公开(公告)号：CN101506986A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780031168.7

申请日：2007-07-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 板垣奈穗 ,  田透 ,  加地信幸 ,  林享 ,  佐野政史

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括非晶氧化物半导体膜，其中形成有源层的步骤包括：在具有1×10－3Pa或更小的引入氧分压的气氛中形成氧化物膜的第一步骤，和在第一步骤之后在氧化气氛中对氧化物膜退火的第二步骤。

公开(公告)号：CN101263605B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN200680033996.X

申请日：2006-09-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎达哉 ,  田透 ,  板垣奈穗

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/26 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开了一种包括由包括In和Zn的氧化物半导体材料构成的沟道的场效应晶体管。通过In/(In+Zn)表达的原子组成比率不少于35原子％并且不多于55原子％。Ga不包括在氧化物半导体材料中，或者当Ga包括在其中时，将通过Ga/(In+Zn+Ga)表达的原子组成比率设置为30原子％或更低。所述晶体管具有改进的S值和场效应迁移率。

公开(公告)号：CN101506986B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200780031168.7

申请日：2007-07-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 板垣奈穗 ,  田透 ,  加地信幸 ,  林享 ,  佐野政史

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管包含有源层，所述有源层包含非晶氧化物半导体膜，所述非晶氧化物半导体膜包括In和Zn中的至少一种元素，所述制造方法包含如下步骤序列：第一步骤，形成所述非晶氧化物半导体膜；第二步骤，在氧化气氛中对所述非晶氧化物半导体膜进行退火；以及第三步骤，在所述非晶氧化物半导体膜上形成绝缘氧化物层。其特征在于：在氧化气氛中使用溅射来形成所述绝缘氧化物层。

公开(公告)号：CN101911304A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880123969.0

申请日：2008-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 板垣奈穗 ,  A·戈雅尔 ,  岩崎达哉

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 一种非晶氧化物至少包含：选自由In、Zn和Sn构成的组的至少一种元素；和Mo。该非晶氧化物中的Mo对比所有金属原子的数量的原子组成比大于等于0.1原子％且小于等于5原子％。