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公开(公告)号：CN102257176B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080003608.X
申请日：2010-06-08
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: B23B27/148 , B23B27/146 , B23B2226/315 , B23B2228/04 , C23C16/0227 , C23C16/27 , C23C16/271 , Y10T428/24372
Abstract: 本发明提供一种金刚石涂层工具(10)，在该金刚石涂层工具(10)中基体材料(1)与金刚石层(3)之间的分界处不容易出现剥离。金刚石涂层工具(10)包括：基体(1)；以及金刚石层(3)，其涂敷在所述基体(1)的表面上，其特征在于：基体(1)的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm-10μm(包括端点)而且粗糙度轮廓单元的平均长度(RSm)为1μm-100μm(包括端点)，并且金刚石层(3)具有从与所述基体(1)邻接的部分沿晶体生长方向延伸的多个腔(2)。
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公开(公告)号：CN102257176A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201080003608.X
申请日：2010-06-08
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: B23B27/148 , B23B27/146 , B23B2226/315 , B23B2228/04 , C23C16/0227 , C23C16/27 , C23C16/271 , Y10T428/24372
Abstract: 本发明提供一种金刚石涂层工具(10)，在该金刚石涂层工具(10)中基体材料(1)与金刚石层(3)之间的分界处不容易出现剥离。金刚石涂层工具(10)包括：基体(1)；以及金刚石层(3)，其涂敷在所述基体(1)的表面上，其特征在于：基体(1)的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm-10μm(包括端点)而且粗糙度轮廓单元的平均长度(RSm)为1μm-100μm(包括端点)，并且金刚石层(3)具有从与所述基体(1)邻接的部分沿晶体生长方向延伸的多个腔(2)。
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公开(公告)号：CN117120831A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202180097036.4
申请日：2021-04-28
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
IPC: G01N21/87
Abstract: 一种金刚石的氮浓度的测定方法，其具有第一工序、第二工序和第三工序。在第一工序中，在积分球的内部配置金刚石。在第二工序中，向积分球的内部射入可见光，接收在积分球的内表面反射并且在配置于积分球的内部的金刚石透射或反射的可见光。在第三工序中，基于所接收的可见光的数据以及金刚石的质量，计算金刚石的氮浓度。
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公开(公告)号：CN116783021A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202080107952.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
IPC: B23B27/14
Abstract: 准备具有作为与特定的晶体取向垂直的面的第一刻面的单晶金刚石。基于第一刻面，将单晶金刚石固定于支承体。通过将固定有单晶金刚石的支承体和X射线的照射方向相关联，由此拍摄将单晶金刚石的晶体取向和X射线的照射方向相关联后的单晶金刚石的X射线图像。基于X射线图像来对单晶金刚石中所包含的内含物在单晶金刚石中的位置进行确定。对是否能够从单晶金刚石提取在内含物排除区域不含有内含物的金刚石工具中间体的形状进行判定。从单晶金刚石提取在内含物排除区域不含有内含物的金刚石工具中间体的形状。
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公开(公告)号：CN104053517A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201280066661.3
申请日：2012-11-27
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
Inventor： 目黑贵一
CPC classification number: B23B27/20 , B23B51/00 , B23B2226/315 , B23B2228/10 , B23C5/16 , B23C2226/315 , B23C2228/10 , C23C16/0254 , C23C16/271 , C23C16/277 , Y10T407/27
Abstract: 本发明的金刚石包覆工具包含基材及包覆所述基材的表面的金刚石层，所述金刚石层含有金刚石、1.0×1018～1.0×1022个原子/cm3的硼和1.0×1017～1.0×1021个原子/cm3的氮。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1840472B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200610071559.9
申请日：2006-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B31/06
Abstract: 制造金刚石单晶衬底的方法，其中单晶从作为种衬底的金刚石单晶通过气相合成生长，所述方法包括：制备具有主表面的金刚石单晶种衬底作为种衬底，其中该主表面的沿面取向落在相对于{100}平面或{111}平面不超过8度的倾斜范围内；通过机械加工形成许多不同取向的平面，这些平面的主表面的外周边方向相对于该种衬底一侧的主表面倾斜；然后通过气相合成生长金刚石单晶。
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公开(公告)号：CN101410549A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011115.9
申请日：2007-01-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C23C16/511 , C30B29/04 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/105 , C23C16/24 , C23C16/511 , C30B29/04 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 一种微波等离子体CVD系统，其在可沉积大面积高品质金刚石薄膜的条件下可以令人满意地进行等离子体的位置控制。该微波等离子体CVD系统包括：真空腔(1)，其上部中心具有导入微波(20)的开口部(2)；基材支持台(11)，用于支持真空腔内基材；波导，用于将微波导入至开口部；介电窗(22)，用于将微波导入至真空腔；以及天线部(25)，用于将微波导入至真空腔，该天线部由圆棒部(23)和电极部(24)构成，该圆棒部(23)位于波导、开口部和介电窗的中心，该电极部(24)与该真空腔的上部结合以夹持介电窗从而保持真空。该电极部(24)的端面形成为宽于介电窗以遮蔽该介电窗，并且在真空腔中心侧的电极部(24)的表面上形成预定尺寸的凹部(26)。
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公开(公告)号：CN101400833A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008725.3
申请日：2007-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 本发明提供一种在磷原子/碳原子比为3％以上的条件下，在{111}单晶衬底的主表面上生长在300K下具有300Ωcm以下的电阻率的低电阻掺磷外延薄膜的方法，其特征在于主表面具有0.50°以上的倾斜角。根据本发明的具有低电阻掺磷金刚石外延薄膜的金刚石单晶的特征在于，薄膜表面相对于{111}面具有0.50°以上的倾斜角，以及在300K下低电阻掺磷金刚石外延薄膜的电阻率是300Ωcm以下。
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公开(公告)号：CN1840748A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610071561.6
申请日：2006-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供了一种制造大型金刚石衬底的方法，以及通过该方法制备的适合半导体石印加工和大型光学部件、半导体材料、放热衬底、半导体晶片加工和反馈器件等的衬底。本发明的金刚石衬底的制造方法包括：制备具有包含为凹面的第一区和围绕该第一区的第二区的主表面的衬底，并在第一区上安装板厚度大于第一区的凹面深度的单晶金刚石种衬底的安装步骤；通过化学气相沉积，从单晶金刚石种衬底形成CVD金刚石层，并通过在第二区上同时形成CVD金刚石层，从而相互连接的连接步骤；和通过机械抛光，将单晶金刚石种衬底上和第二区上的CVD金刚石层都抛光至基本上平坦的抛光步骤。
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公开(公告)号：CN100567592C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200480000322.0
申请日：2004-01-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C16/279 , C23C16/274 , C30B29/04 , C30B33/00 , C30B33/06
Abstract: 本发明目的在于提供一种具有好的韧性、大的表面积和高质量的金刚石基板及制造该基板的方法，该基板可用于半导体材料、电子元件、光学元件等等。金刚石多晶膜层叠在金刚石单晶基板表面上而形成金刚石复合基板。在所述的金刚石复合基板中，优选具有金刚石单晶基板的最大表面积的主要面为{100}面，而且金刚石多晶膜层叠在平行于该面的反面上。金刚石单晶基板3可以由具有相同方位的主要面的多个金刚石单晶构成，而且这些多个金刚石单晶可以通过金刚石单晶层4连接而形成金刚石复合基板2。金刚石单晶也可以用作种子晶体以及在其表面通过气相合成提供金刚石单晶。
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