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公开(公告)号：CN102257176B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080003608.X
申请日：2010-06-08
申请人： 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC分类号： B23B27/148 , B23B27/146 , B23B2226/315 , B23B2228/04 , C23C16/0227 , C23C16/27 , C23C16/271 , Y10T428/24372
摘要： 本发明提供一种金刚石涂层工具(10)，在该金刚石涂层工具(10)中基体材料(1)与金刚石层(3)之间的分界处不容易出现剥离。金刚石涂层工具(10)包括：基体(1)；以及金刚石层(3)，其涂敷在所述基体(1)的表面上，其特征在于：基体(1)的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm-10μm(包括端点)而且粗糙度轮廓单元的平均长度(RSm)为1μm-100μm(包括端点)，并且金刚石层(3)具有从与所述基体(1)邻接的部分沿晶体生长方向延伸的多个腔(2)。
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公开(公告)号：CN102257176A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201080003608.X
申请日：2010-06-08
申请人： 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC分类号： B23B27/148 , B23B27/146 , B23B2226/315 , B23B2228/04 , C23C16/0227 , C23C16/27 , C23C16/271 , Y10T428/24372
摘要： 本发明提供一种金刚石涂层工具(10)，在该金刚石涂层工具(10)中基体材料(1)与金刚石层(3)之间的分界处不容易出现剥离。金刚石涂层工具(10)包括：基体(1)；以及金刚石层(3)，其涂敷在所述基体(1)的表面上，其特征在于：基体(1)的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1μm-10μm(包括端点)而且粗糙度轮廓单元的平均长度(RSm)为1μm-100μm(包括端点)，并且金刚石层(3)具有从与所述基体(1)邻接的部分沿晶体生长方向延伸的多个腔(2)。
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公开(公告)号：CN103918080B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280054479.6
申请日：2012-11-07
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L29/045 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/66712 , H01L29/7813
摘要： MOSFET(1)设置有：第一沟槽(16)，其向主表面(10a)侧打开；衬底(10)，其包括碳化硅，在其主表面(10A)侧打开，其中形成有比第一沟槽(16)浅的第二沟槽(17)；栅极绝缘膜(20)；栅电极(30)；以及源电极(50)，其被定位为以便接触第二沟槽(17)的侧表面(17a)的顶部。衬底(10)包括：源极区(15)、体区(14)、以及漂移区(13)。第一沟槽(16)被形成为贯穿通过源极区(15)和体区(14)并且延伸到漂移区(13)中。第二沟槽(17)被形成为贯穿通过源极区(15)并且延伸到体区(14)。
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公开(公告)号：CN104885199A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380069381.2
申请日：2013-12-19
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L21/28 , H01L29/045 , H01L29/08 , H01L29/1075 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/41741 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： 一种MOSFET包括：包括主表面(10A)的碳化硅衬底(10)，该主表面(10A)相对于{0001}面具有偏离角；和形成为与主表面(10A)接触的源电极(40)。在碳化硅衬底(10)与源电极(40)的接触界面的至少一部分处暴露基底表面(10C)。这种构造使得在MOSFET中抑制阈值电压变化。
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公开(公告)号：CN101336484B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200680051916.3
申请日：2006-10-26
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/336
CPC分类号： C23C16/325 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02634 , H01L21/046 , H01L29/045 , H01L29/1037 , H01L29/66068 , H01L29/78
摘要： MOSFET(30)设置有SiC膜(11)。SiC膜(11)在其表面上具有刻面，该刻面的一个周期的长度是100nm或以上，并且该刻面被用作沟道(16)。此外，MOSFET(30)的制造方法包括：形成SiC膜(11)的步骤；在SiC膜(11)的表面上提供Si的状态下热处理SiC膜(11)的热处理步骤；以及将通过热处理步骤在SiC膜(11)的表面上获得的刻面形成为沟道(16)的步骤。由此，能够充分地提高性能。
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公开(公告)号：CN101501946A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029934.6
申请日：2007-05-21
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H01S5/18369 , B82Y20/00 , H01S5/0206 , H01S5/0215 , H01S5/105 , H01S5/18308 , H01S5/18341 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S5/423 , H01S2301/173
摘要： 一种表面发射激光元件(1)的制造方法，包括：制备导电性GaN多区域衬底作为导电性GaN衬底(10)的步骤，所述衬底包括高位错密度高电导区(10a)、低位错密度高电导区(10b)和低位错密度低电导区(10c)；在衬底上形成多个包括发射层(200)的III－V族化合物半导体层堆叠体(20)的半导体层堆叠体形成步骤；以及形成半导体侧电极(15)和衬底侧电极(11)的电极形成步骤。半导体层和电极被形成为使得发射层(200)中载流子流入的发射区(200a)位于低位错密度高电导区(10b)的跨度内的上方。因此，能以良好的成品率得到在发射区中具有均匀的发光的表面发射激光元件。
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公开(公告)号：CN101501946B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200780029934.6
申请日：2007-05-21
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H01S5/18369 , B82Y20/00 , H01S5/0206 , H01S5/0215 , H01S5/105 , H01S5/18308 , H01S5/18341 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S5/423 , H01S2301/173
摘要： 一种表面发射激光元件(1)的制造方法，包括：制备导电性GaN多区域衬底作为导电性GaN衬底(10)的步骤，所述衬底包括高位错密度高电导区(10a)、低位错密度高电导区(10b)和低位错密度低电导区(10c)；在衬底上形成多个包括发射层(200)的III-V族化合物半导体层堆叠体(20)的半导体层堆叠体形成步骤；以及形成半导体侧电极(15)和衬底侧电极(11)的电极形成步骤。半导体层和电极被形成为使得发射层(200)中载流子流入的发射区(200a)位于低位错密度高电导区(10b)的跨度内的上方。因此，能以良好的成品率得到在发射区中具有均匀的发光的表面发射激光元件。
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公开(公告)号：CN101336484A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200680051916.3
申请日：2006-10-26
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/336
CPC分类号： C23C16/325 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02634 , H01L21/046 , H01L29/045 , H01L29/1037 , H01L29/66068 , H01L29/78
摘要： MOSFET(30)设置有SiC膜(11)。SiC膜(11)在其表面上具有刻面，该刻面的一个周期的长度是100nm或以上，并且该刻面被用作沟道(16)。此外，MOSFET(30)的制造方法包括：形成SiC膜(11)的步骤；在SiC膜(11)的表面上提供Si的状态下热处理SiC膜(11)的热处理步骤；以及将通过热处理步骤在SiC膜(11)的表面上获得的刻面形成为沟道(16)的步骤。由此，能够充分地提高性能。
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公开(公告)号：CN104885199B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380069381.2
申请日：2013-12-19
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L21/28 , H01L29/045 , H01L29/08 , H01L29/1075 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/41741 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： 一种MOSFET包括：包括主表面(10A)的碳化硅衬底(10)，该主表面(10A)相对于{0001}面具有偏离角；和形成为与主表面(10A)接触的源电极(40)。在碳化硅衬底(10)与源电极(40)的接触界面的至少一部分处暴露基底表面(10C)。这种构造使得在MOSFET中抑制阈值电压变化。
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公开(公告)号：CN103918080A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054479.6
申请日：2012-11-07
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L29/045 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/66712 , H01L29/7813 , H01L21/0475
摘要： MOSFET(1)设置有：第一沟槽(16)，其向主表面(10a)侧打开；衬底(10)，其包括碳化硅，在其主表面(10A)侧打开，其中形成有比第一沟槽(16)浅的第二沟槽(17)；栅极绝缘膜(20)；栅电极(30)；以及源电极(50)，其被定位为以便接触第二沟槽(17)的侧表面(17a)的顶部。衬底(10)包括：源极区(15)、体区(14)、以及漂移区(13)。第一沟槽(16)被形成为贯穿通过源极区(15)和体区(14)并且延伸到漂移区(13)中。第二沟槽(17)被形成为贯穿通过源极区(15)并且延伸到体区(14)。
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