全固态电容器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105009240A

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201480009510.3

    申请日:2014-03-03

    CPC classification number: H01G9/15 H01G4/08 H01G11/56 Y02E60/13

    Abstract: 本发明提供一种高电容且在低频区域中的静电电容的频率依存性较小的全固态电容器。本发明的全固态电容器(1),包括:无机固体电解质(2);和夹着它而设置的一对集电体(3A、3B),所述无机固体电解质(2)具有多晶结构,当作为电阻分量而将所述无机电解质(2)的晶粒内电阻表示为R1,将晶粒晶界电阻表示为R2,将所述无机固体电解质(2)与所述集电体(3A、3B)的界面电阻表示为R3;作为静电电容分量而将所述无机固体电解质的晶粒内电容表示为C1,将晶粒晶界电容表示为C2,将所述无机固体电解质(2)与所述集电体(3A、3B)的界面电容表示为C3时,R1<R2<R3,并且C1<C3且C1<C2。

    全固态电容器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105009240B

    公开(公告)日:2017-12-19

    申请号:CN201480009510.3

    申请日:2014-03-03

    CPC classification number: H01G9/15 H01G4/08 H01G11/56 Y02E60/13

    Abstract: 本发明提供一种高电容且在低频区域中的静电电容的频率依存性较小的全固态电容器。本发明的全固态电容器(1),包括:无机固体电解质(2);和夹着它而设置的一对集电体(3A、3B),所述无机固体电解质(2)具有多晶结构,当作为电阻分量而将所述无机电解质(2)的晶粒内电阻表示为R1,将晶粒晶界电阻表示为R2,将所述无机固体电解质(2)与所述集电体(3A、3B)的界面电阻表示为R3;作为静电电容分量而将所述无机固体电解质的晶粒内电容表示为C1,将晶粒晶界电容表示为C2,将所述无机固体电解质(2)与所述集电体(3A、3B)的界面电容表示为C3时,R1<R2<R3,并且C1<C3且C1<C2。

    热敏头以及热敏打印机
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116323232A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202180064233.6

    申请日:2021-09-28

    Abstract: 热敏头(X1)具备基板(7)、电极(17、19)和电阻体层(15)。电极(17、19)位于基板(7)的上方,俯视观察下沿着基板(7)的第1方向(D1)延伸。电阻体层(15)位于基板(7)的上方以及电极(17、19)的上方。电极(17、19)具有在与第1方向(D1)交叉的第2方向(D2)上以给定的间隔并排的第1电极(17c)以及第2电极(19)。第1电极(17c)以及第2电极(19)当中的至少一者在位于电阻体层(15)的下方的上表面(19a),第2方向(D2)的中央部比第2方向(D2)的端部更突出。

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