公开(公告)号：CN105009240A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480009510.3

申请日：2014-03-03

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小野智之 ,  平原诚一郎 ,  大户贵司 ,  积洋二 ,  永吉麻衣子

IPC: H01G11/56

CPC classification number: H01G9/15 ,  H01G4/08 ,  H01G11/56 ,  Y02E60/13

Abstract: 本发明提供一种高电容且在低频区域中的静电电容的频率依存性较小的全固态电容器。本发明的全固态电容器(1)，包括：无机固体电解质(2)；和夹着它而设置的一对集电体(3A、3B)，所述无机固体电解质(2)具有多晶结构，当作为电阻分量而将所述无机电解质(2)的晶粒内电阻表示为R1，将晶粒晶界电阻表示为R2，将所述无机固体电解质(2)与所述集电体(3A、3B)的界面电阻表示为R3；作为静电电容分量而将所述无机固体电解质的晶粒内电容表示为C1，将晶粒晶界电容表示为C2，将所述无机固体电解质(2)与所述集电体(3A、3B)的界面电容表示为C3时，R1＜R2＜R3，并且C1＜C3且C1＜C2。

公开(公告)号：CN105009240B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201480009510.3

申请日：2014-03-03

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小野智之 ,  平原诚一郎 ,  大户贵司 ,  积洋二 ,  永吉麻衣子

IPC: H01G11/56

CPC classification number: H01G9/15 ,  H01G4/08 ,  H01G11/56 ,  Y02E60/13

Abstract: 本发明提供一种高电容且在低频区域中的静电电容的频率依存性较小的全固态电容器。本发明的全固态电容器(1)，包括：无机固体电解质(2)；和夹着它而设置的一对集电体(3A、3B)，所述无机固体电解质(2)具有多晶结构，当作为电阻分量而将所述无机电解质(2)的晶粒内电阻表示为R1，将晶粒晶界电阻表示为R2，将所述无机固体电解质(2)与所述集电体(3A、3B)的界面电阻表示为R3；作为静电电容分量而将所述无机固体电解质的晶粒内电容表示为C1，将晶粒晶界电容表示为C2，将所述无机固体电解质(2)与所述集电体(3A、3B)的界面电容表示为C3时，R1＜R2＜R3，并且C1＜C3且C1＜C2。